专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TW201535545A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201535545A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103125585
申请日：2014-07-25
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：小牟田直幸 , KOMUTA, NAOYUKI
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49844 , H01L23/5384 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/065 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/1403 , H01L2224/14152 , H01L2224/14155 , H01L2224/14181 , H01L2224/14505 , H01L2224/16105 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/1713 , H01L2224/17181 , H01L2224/17517 , H01L2224/2731 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/2919 , H01L2224/30155 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81815 , H01L2224/8188 , H01L2224/81905 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/92242 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83
摘要：本發明提供一種可防止於焊錫接合部產生龜裂之半導體裝置之製造方法及半導體裝置。將第1-第2電極焊墊位置對準而將包含第1貫通通道及接合於該通通道之第2電極焊墊之第2半導體晶片搭載於包含第1電極焊墊之第1半導體晶片。將第2-第3電極焊墊位置對準而將第3半導體晶片搭載於第2半導體晶片，該第3半導體晶片包含第2貫通通道、於一面接合於上述通道之第3電極焊墊、於另一面以接合於上述通道之方式介隔保護膜而形成之配線及以接合於上述配線之方式形成之第4電極焊墊。將第1~第3電極焊墊接合而將第1~第3半導體晶片間電性連接，將樹脂填充至具備第1~第3半導體晶片之積層體之間隙。將基板上之焊錫凸塊與各積層體之第4電極焊墊位置對準而接合，並且利用接著材固定複數個積層體。最後，利用塑模樹脂將積層體及基板之一面密封後將複數個積層體封裝切割而單片化。
简体摘要：本发明提供一种可防止于焊锡接合部产生龟裂之半导体设备之制造方法及半导体设备。将第1-第2电极焊垫位置对准而将包含第1贯通信道及接合于该通信道之第2电极焊垫之第2半导体芯片搭载于包含第1电极焊垫之第1半导体芯片。将第2-第3电极焊垫位置对准而将第3半导体芯片搭载于第2半导体芯片，该第3半导体芯片包含第2贯通信道、于一面接合于上述信道之第3电极焊垫、于另一面以接合于上述信道之方式介隔保护膜而形成之配线及以接合于上述配线之方式形成之第4电极焊垫。将第1~第3电极焊垫接合而将第1~第3半导体芯片间电性连接，将树脂填充至具备第1~第3半导体芯片之积层体之间隙。将基板上之焊锡凸块与各积层体之第4电极焊垫位置对准而接合，并且利用接着材固定复数个积层体。最后，利用塑模树脂将积层体及基板之一面密封后将复数个积层体封装切割而单片化。

3. 发明专利

TW201526232A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201526232A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103140863
申请日：2014-11-25
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：渡邊真司 , WATANABE, SHINJI , 木田剛 , KIDA, TSUYOSHI , 小野善宏 , ONO, YOSHIHIRO , 森健太郎 , MORI, KENTARO , 坂田賢治 , SAKATA, KENJI , 山田裕介 , YAMADA, YUSUKE
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/13017 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/1607 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16238 , H01L2224/165 , H01L2224/16505 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/2064 , H01L2924/00012 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013
摘要：本發明可提高半導體裝置之可靠性。關於將Cu柱電極PLBMP與引線LD電性連接之導電性材料CM，於該導電性材料CM中，形成有包含錫與銅之合金之合金部AU。此時，合金部AU與Cu柱電極PLBMP及引線LD之兩者相接，且Cu柱電極PLBMP與引線LD經由合金部AU而相連。同樣地可知，於圖8中亦為，Cu柱電極PLBMP與引線LD利用合金部AU而電性連接。藉此，可提高Cu柱電極PLBMP與引線LD之電性連接可靠性。
简体摘要：本发明可提高半导体设备之可靠性。关于将Cu柱电极PLBMP与引线LD电性连接之导电性材料CM，于该导电性材料CM中，形成有包含锡与铜之合金之合金部AU。此时，合金部AU与Cu柱电极PLBMP及引线LD之两者相接，且Cu柱电极PLBMP与引线LD经由合金部AU而相连。同样地可知，于图8中亦为，Cu柱电极PLBMP与引线LD利用合金部AU而电性连接。借此，可提高Cu柱电极PLBMP与引线LD之电性连接可靠性。

4. 发明专利

TW201421658A 覆晶接合方法、及特徵爲包含該覆晶接合方法之固體攝像裝置之製造方法审中-公开
简体标题：覆晶接合方法、及特征为包含该覆晶接合方法之固体摄像设备之制造方法
公开(公告)号：TW201421658A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102137025
申请日：2013-10-14
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：迫田直樹 , SAKOTA, NAOKI
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/60
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L27/14618 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75343 , H01L2224/81047 , H01L2224/8112 , H01L2224/81193 , H01L2224/81205 , H01L2224/81208 , H01L2224/81986 , H01L2924/15787 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
摘要：本發明係在將電子零件元件(1)之電極介隔凸塊(2)而接合於基板(4)之電極(5)時，施加僅凸塊(2)之塊體材料之屈服應力以上之第1壓力後，降低或停止施加第1壓力，並對凸塊(2)施加特定之超音波振動，而階段性地施加壓力直到成為凸塊(2)之塊體材料之屈服應力以上之第2壓力為止。
简体摘要：本发明系在将电子零件组件(1)之电极介隔凸块(2)而接合于基板(4)之电极(5)时，施加仅凸块(2)之块体材料之屈服应力以上之第1压力后，降低或停止施加第1压力，并对凸块(2)施加特定之超音波振动，而阶段性地施加压力直到成为凸块(2)之块体材料之屈服应力以上之第2压力为止。

5. 发明专利

TW201401397A 製造電子裝置之方法及電子組件安裝裝置审中-公开
简体标题：制造电子设备之方法及电子组件安装设备
公开(公告)号：TW201401397A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102113764
申请日：2013-04-18
申请人：新光電氣工業股份有限公司 , SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：東澤好正 , HIGASHIZAWA, YOSHITADA , 小林公輔 , KOBAYASHI, KOSUKE , 畑山恭德 , HATAYAMA, YUKINORI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , B23K1/0004 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/203 , B23K3/082 , B23K2201/42 , H01L21/561 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/13111 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/7501 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/75841 , H01L2224/7598 , H01L2224/7901 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81097 , H01L2224/81098 , H01L2224/8113 , H01L2224/81191 , H01L2224/812 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2224/83 , H01L2224/83104 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/3494 , H05K13/0061 , H05K13/04 , H05K13/0465 , H05K2201/10515 , H05K2201/10674 , H05K2203/047 , H05K2203/1115 , Y10T29/4913 , Y10T29/53174 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012
摘要：一種電子組件安裝裝置，包括一工作台，數個工作台部份被界定在該工作台中、一分別設置在該數個工作台部份且能夠被獨立地控制的第一加熱器、一配置在該工作台之上的安裝頭、及一設置於該安裝頭的第二加熱器。
简体摘要：一种电子组件安装设备，包括一工作台，数个工作台部份被界定在该工作台中、一分别设置在该数个工作台部份且能够被独立地控制的第一加热器、一配置在该工作台之上的安装头、及一设置于该安装头的第二加热器。

6. 发明专利

TW201303966A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201303966A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101110946
申请日：2012-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中尾賢 , NAKAO, KEN , 原田宗生 , HARADA, MUNEO , 飯田到 , IIDA, ITARU , 山口永司 , YAMAGUCHI, EIJI
IPC分类号： H01L21/08 , H01L23/535
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05551 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11002 , H01L2224/11332 , H01L2224/11505 , H01L2224/13009 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/8184 , H01L2224/81986 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種可容易實現於晶片形成貫穿電極或貫穿電極相互間的連接之半導體裝置之製造方法。實施型態之製造方法係準備形成有貫穿主面間的貫穿孔且該貫穿孔內係充填有多孔質導體之複數半導體基板，使充填於該貫穿孔內之多孔質導體的位置對位來層積該複數半導體基板，將含有粒子狀導體之導體塗料導入至所層積之該複數半導體基板的該多孔質導體，燒結所層積之該複數半導體基板。
简体摘要：本发明提供一种可容易实现于芯片形成贯穿电极或贯穿电极相互间的连接之半导体设备之制造方法。实施型态之制造方法系准备形成有贯穿主面间的贯穿孔且该贯穿孔内系充填有多孔质导体之复数半导体基板，使充填于该贯穿孔内之多孔质导体的位置对位来层积该复数半导体基板，将含有粒子状导体之导体涂料导入至所层积之该复数半导体基板的该多孔质导体，烧结所层积之该复数半导体基板。

7. 发明专利

TWI317669B 藉由後塌陷再熔融並再凝固凸點以接合倒裝晶片之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR FLIP CHIP ATTACHMENT BY POST-COLLAPSE RE-MELT AND RE-SOLIDIFICATION OF BUMPS 有权
简体标题：借由后塌陷再熔融并再凝固凸点以接合倒装芯片之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR FLIP CHIP ATTACHMENT BY POST-COLLAPSE RE-MELT AND RE-SOLIDIFICATION OF BUMPS
公开(公告)号：TWI317669B
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW093119939
申请日：2004-07-01
申请人：恰巴克有限公司
发明人：雷俊德D 潘迪司
IPC分类号： B23K , H05K
CPC分类号： H01L24/81 , H01L2224/13111 , H01L2224/81801 , H01L2224/81986 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H05K3/3436 , H05K3/3494 , H05K2203/1476 , Y02P70/613
摘要：一種焊錫凸點軟熔方法，包括將對準之晶粒基板組合體的溫度升高至高於熔融溫度(或共熔溫度)之溫度，維持充足時間以造成第一次軟熔；使該組合體的溫度降到低於熔融溫度(或共熔溫度)，達到第一次冷卻溫度，並維持充足時間以再凝固該焊錫；將該晶粒基板組合體之溫度第二次提高到高於該熔融溫度(或共熔溫度)之溫度，並維持充足時間以造成第二次軟熔；第二次使該組合體的溫度降到低於該熔融溫度(或共熔溫度)，達到第二次冷卻溫度及最後降到室溫；其中至少該第一次與第二次熔融與第一次再凝固作用係在該組合體不曝露於氧化氣氛之下進行。此外，用以進行該方法之裝置包括一個多區爐，其具有一個進料口與出料口及具有一或多個區之第一區域，於該第一區域中進行第一次熔融作用；具有一或多個區之第二區域，於該第二區域中進行第一次再凝固作用；以及第三區域，於該第三區域中進行第二次熔融作用；於該裝置進一步包括一個用以將晶粒基板組合體自該進料口輸送通過該第一、第二與第三區域，送到出料口之輸送帶。
简体摘要：一种焊锡凸点软熔方法，包括将对准之晶粒基板组合体的温度升高至高于熔融温度(或共熔温度)之温度，维持充足时间以造成第一次软熔；使该组合体的温度降到低于熔融温度(或共熔温度)，达到第一次冷却温度，并维持充足时间以再凝固该焊锡；将该晶粒基板组合体之温度第二次提高到高于该熔融温度(或共熔温度)之温度，并维持充足时间以造成第二次软熔；第二次使该组合体的温度降到低于该熔融温度(或共熔温度)，达到第二次冷却温度及最后降到室温；其中至少该第一次与第二次熔融与第一次再凝固作用系在该组合体不曝露于氧化气氛之下进行。此外，用以进行该方法之设备包括一个多区炉，其具有一个进料口与出料口及具有一或多个区之第一区域，于该第一区域中进行第一次熔融作用；具有一或多个区之第二区域，于该第二区域中进行第一次再凝固作用；以及第三区域，于该第三区域中进行第二次熔融作用；于该设备进一步包括一个用以将晶粒基板组合体自该进料口输送通过该第一、第二与第三区域，送到出料口之输送带。

8. 发明专利

TWI311354B 多晶片封裝結構 MULTI-CHIP PACKAGE STRUCTURE 有权
简体标题：多芯片封装结构 MULTI-CHIP PACKAGE STRUCTURE
公开(公告)号：TWI311354B
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW093106614
申请日：2004-03-12
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：趙興華 CHAO, SHIN-HUA , 羅健文 LO, JIAN-WEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/14131 , H01L2224/14135 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17505 , H01L2224/81986 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
摘要：一種多晶片封裝結構,主要係由一第一晶片、一圖案化疊層、多個第一凸塊、一第二晶片與多個第二凸塊所構成。其中,第一晶片具有一第一主動表面。圖案化疊層係配置於第一主動表面的部分區域上。圖案化疊層所暴露之第一主動表面上具有多個第一焊墊,而圖案化疊層上有多個第二焊墊。第二晶片具有一第二主動表面,第一凸塊配置於第二主動表面上。第二晶片係藉由第一凸塊與對應之第一焊墊電性連接。第二凸塊係配置於第二焊墊上。多晶片封裝結構例如更具有一零組件,配置於第一晶片上且與其餘第一焊墊電性連接。
简体摘要：一种多芯片封装结构,主要系由一第一芯片、一图案化叠层、多个第一凸块、一第二芯片与多个第二凸块所构成。其中,第一芯片具有一第一主动表面。图案化叠层系配置于第一主动表面的部分区域上。图案化叠层所暴露之第一主动表面上具有多个第一焊垫,而图案化叠层上有多个第二焊垫。第二芯片具有一第二主动表面,第一凸块配置于第二主动表面上。第二芯片系借由第一凸块与对应之第一焊垫电性连接。第二凸块系配置于第二焊垫上。多芯片封装结构例如更具有一零组件,配置于第一芯片上且与其余第一焊垫电性连接。

10. 发明专利

TW201737441A 藉由微轉印之壓力啟動電性互連审中-公开
简体标题：借由微转印之压力启动电性互连
公开(公告)号：TW201737441A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106110956
申请日：2017-03-31
申请人：艾克斯瑟樂普林特有限公司 , X-CELEPRINT LIMITED
发明人：鮑爾克里斯多夫安卓魯 , BOWER, CHRISTOPHER ANDREW , 庫可羅那德 S , COK, RONALD S. , 梅特馬修 , MEITL, MATTHEW , 普利維特卡爾雷二世 , PREVATTE, CARL RAY JR.
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/52
CPC分类号： H01L22/12 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/22 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L27/1266 , H01L27/3255 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L51/0022 , H01L51/102 , H01L51/5203 , H01L2224/02123 , H01L2224/13008 , H01L2224/13013 , H01L2224/13016 , H01L2224/1411 , H01L2224/16237 , H01L2224/75305 , H01L2224/75315 , H01L2224/7598 , H01L2224/81 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81903 , H01L2224/81986 , H01L2224/83 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/83986 , H01L2224/9211 , H01L2224/951 , H01L2224/95136 , H01L2227/323 , H01L2924/014
摘要：本發明揭示一種印刷電連接結構，其包含具有一或多個電連接襯墊之基板及具有一或多個連接柱之微轉印組件。各連接柱與連接襯墊電接觸。樹脂經安置於該基板與該組件之間且與其等接觸。該樹脂具有低於固化溫度之回流溫度。當溫度在一操作溫度與該回流溫度之間循環時，該樹脂在該回流溫度下重複流動，但在該樹脂暴露於固化溫度之後不流動。銲料可經安置於該連接柱或該連接襯墊上。在印刷及回流之後，可測試該組件，若該組件未通過，則將另一組件微轉印至該基板上，該樹脂再次回流，測試該另一組件，若該另一組件通過該測試，則該樹脂最終固化。
简体摘要：本发明揭示一种印刷电连接结构，其包含具有一或多个电连接衬垫之基板及具有一或多个连接柱之微转印组件。各连接柱与连接衬垫电接触。树脂经安置于该基板与该组件之间且与其等接触。该树脂具有低于固化温度之回流温度。当温度在一操作温度与该回流温度之间循环时，该树脂在该回流温度下重复流动，但在该树脂暴露于固化温度之后不流动。焊料可经安置于该连接柱或该连接衬垫上。在印刷及回流之后，可测试该组件，若该组件未通过，则将另一组件微转印至该基板上，该树脂再次回流，测试该另一组件，若该另一组件通过该测试，则该树脂最终固化。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式