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1. 发明专利

TWI609242B 利用圖案磊晶定向自組裝以精確地切割線部有权
简体标题：利用图案磊晶定向自组装以精确地切割线部
公开(公告)号：TWI609242B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW103136203
申请日：2014-10-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：桑末薇拉馬克H , SOMERVELL, MARK H. , 盧斯薩克班傑明M , RATHSACK, BENJAMEN M.
IPC分类号： G03F7/16
CPC分类号： G03F7/0002 , G03F7/091 , G03F7/165 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/0273 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31116 , H01L21/32139

2. 发明专利

TWI595556B 用於基板圖案化之遮罩的形成方法有权
简体标题：用于基板图案化之遮罩的形成方法
公开(公告)号：TWI595556B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW104142393
申请日：2015-12-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：德維利耶安東 J , DEVILLIERS, ANTON J.
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/3088 , G03F7/0035 , G03F7/38 , H01L21/027 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32139

3. 发明专利

TW201629623A 使用嵌段共聚物的定向自組裝之自對準圖案化审中-公开
简体标题：使用嵌段共聚物的定向自组装之自对准图案化
公开(公告)号：TW201629623A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104133434
申请日：2015-10-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：梅茲安祖 W , METZ, ANDREW W. , 德維利耶安東 J , DEVILLIERS, ANTON J.
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/40 , C08L53/00 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/3086 , H01L21/0271 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L21/76897
摘要：在此提供之技術係用於自對準蝕刻之方法，使用現有的特徵部以供圖案化或標示圖案而無損傷現有特徵部。使用現有的基板結構來製作不帶有分離的微影圖案化層的表面，以使嵌段共聚物 (BCP)能進行定向自組裝 (DSA)。在此之方法包括在基板上至少使一現有材料或結構做出凹部，並加上一膜，此膜只留在該凹下的材料上。膜可選擇有理想的表面能量以能夠進行受控制之嵌段共聚物自組裝。然後可使用現有結構與一聚合物材料兩者作為蝕刻遮罩而蝕刻該基板。舉一優點而言，為可使已自組裝之聚合物材料配置成保護現有特徵部之露出的隅角，如此可減少選擇性蝕刻化學劑的負擔，增加後續蝕刻之精確性，並減少濺射率(sputter yield)。
简体摘要：在此提供之技术系用于自对准蚀刻之方法，使用现有的特征部以供图案化或标示图案而无损伤现有特征部。使用现有的基板结构来制作不带有分离的微影图案化层的表面，以使嵌段共聚物 (BCP)能进行定向自组装 (DSA)。在此之方法包括在基板上至少使一现有材料或结构做出凹部，并加上一膜，此膜只留在该凹下的材料上。膜可选择有理想的表面能量以能够进行受控制之嵌段共聚物自组装。然后可使用现有结构与一聚合物材料两者作为蚀刻遮罩而蚀刻该基板。举一优点而言，为可使已自组装之聚合物材料配置成保护现有特征部之露出的隅角，如此可减少选择性蚀刻化学剂的负担，增加后续蚀刻之精确性，并减少溅射率(sputter yield)。

4. 发明专利

TWI532123B 記憶裝置及記憶裝置結構的製備方法有权
简体标题：记忆设备及记忆设备结构的制备方法
公开(公告)号：TWI532123B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102126406
申请日：2013-07-24
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林瑄智 , LIN, SHIAN JYH , 黃仁瑞 , HUANG, JEN JUI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/31
CPC分类号： H01L27/1052 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L27/10891

5. 发明专利

TWI508147B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI508147B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW101122589
申请日：2012-06-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉銘棋 , LIU, MING CHYI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L29/045 , H01L29/06 , H01L29/0653 , H01L29/66651

6. 发明专利

TW201539650A 用於積體電路裝置之間隔物啟用之主動隔離审中-公开
简体标题：用于集成电路设备之间隔物激活之主动隔离
公开(公告)号：TW201539650A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104105948
申请日：2015-02-24
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：菲思特保羅 , FEST, PAUL
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31 , H01L21/31053 , H01L21/76
摘要：本發明揭示一種用於在一半導體積體電路晶粒中形成一主動隔離結構之方法。在一半導體基板上沈積一第一硬遮罩層。移除該第一硬遮罩層之部分以形成至少一溝渠。在該第一硬遮罩上沈積一間隔物層且該間隔物層延伸至各溝渠內以覆蓋各溝渠中之該半導體基板表面的暴露部分。移除該間隔物層之部分使得剩餘部分界定覆蓋各溝渠之側壁的間隔物層壁。沈積一第二硬遮罩層且該第二硬遮罩層延伸至各溝渠內且於相對間隔物層壁之間。移除該等間隔物層壁使得該第一及該第二硬遮罩層之剩餘部分界定一遮罩圖案，接著將該遮罩圖案轉移至該基板以在該基板中形成開口，該開口填充有一隔離材料。
简体摘要：本发明揭示一种用于在一半导体集成电路晶粒中形成一主动隔离结构之方法。在一半导体基板上沉积一第一硬遮罩层。移除该第一硬遮罩层之部分以形成至少一沟渠。在该第一硬遮罩上沉积一间隔物层且该间隔物层延伸至各沟渠内以覆盖各沟渠中之该半导体基板表面的暴露部分。移除该间隔物层之部分使得剩余部分界定覆盖各沟渠之侧壁的间隔物层壁。沉积一第二硬遮罩层且该第二硬遮罩层延伸至各沟渠内且于相对间隔物层壁之间。移除该等间隔物层壁使得该第一及该第二硬遮罩层之剩余部分界定一遮罩图案，接着将该遮罩图案转移至该基板以在该基板中形成开口，该开口填充有一隔离材料。

7. 发明专利

TW201428824A 半導體裝置處理工具及用於將基板型樣化的方法审中-公开
简体标题：半导体设备处理工具及用于将基板型样化的方法
公开(公告)号：TW201428824A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102144234
申请日：2013-12-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：特里維迪瑪友 , TRIVEDI, MAYUR , 帕迪亞速席爾 , PADIYAR, SUSHIL , 卡盧匹亞雷克須瑪南 , KARUPPIAH, LAKSHMANAN , 薩庫瑞希爾 , THAKUR, RANDHIR
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3088 , H01L21/3086 , H01L21/67184 , H01L21/67207
摘要：在一些實施例中，提供一種電子裝置處理系統，該電子裝置處理系統包括具有第一子系統之處理工具，該第一子系統經設置以在具有圖案特徵之基板上執行製程之第一子集，該第一子系統包括第一保形沉積腔室及第一蝕刻腔室。處理工具包括第二子系統，該第二子系統耦接至第一子系統且經設置以在基板上執行製程之第二子集，該第二子系統包括第二保形沉積腔室及第二蝕刻腔室。處理工具經設置以使用第一子系統及第二子系統在處理工具內於基板上執行間距分割，以便在基板上形成間距減小的圖案。提供大量其他實施例。
简体摘要：在一些实施例中，提供一种电子设备处理系统，该电子设备处理系统包括具有第一子系统之处理工具，该第一子系统经设置以在具有图案特征之基板上运行制程之第一子集，该第一子系统包括第一保形沉积腔室及第一蚀刻腔室。处理工具包括第二子系统，该第二子系统耦接至第一子系统且经设置以在基板上运行制程之第二子集，该第二子系统包括第二保形沉积腔室及第二蚀刻腔室。处理工具经设置以使用第一子系统及第二子系统在处理工具内于基板上运行间距分割，以便在基板上形成间距减小的图案。提供大量其他实施例。

8. 发明专利

TWI443710B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI443710B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW100110560
申请日：2011-03-28
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION.
发明人：蘇品源 , SU, PIN YUAN , 楊為棟 , YANG, WEI TUNG , 方玉宗 , FANG, YU CHUNG
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/76229

9. 发明专利

TW201413381A 光壓印用硬化性組成物、圖案形成方法、微細圖案以及半導體元件的製造方法审中-公开
简体标题：光压印用硬化性组成物、图案形成方法、微细图案以及半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW201413381A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134649
申请日：2013-09-26
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：北川浩 , KITAGAWA, HIROTAKA , 後藤雄一郎 , GOTO, YUICHIRO , 榎本雄一郎 , ENOMOTO, YUICHIRO
IPC分类号： G03F7/028 , G03F7/20 , B29C33/60 , B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/031 , C08F2/44 , C08F2/48 , C09D11/101 , C09D11/30 , G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0046 , G03F7/027 , G03F7/0388 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , Y10T428/24355
摘要：本發明提供一種噴墨適應性以及脫模性優異的光壓印用硬化性組成物。本發明的光壓印用硬化性組成物的特徵在於含有：聚合性化合物(A)、光聚合起始劑(B)、及脫模劑(C)，並且脫模劑(C)是由下述通式(I)所表示。(通式(I)中，Rf表示具有2個以上氟原子的碳數1~8的含氟烷基；m表示1或2；L表示單鍵或者2價連結基；n表示1或2；X表示單鍵、氧原子、硫原子、或者氮原子；R1表示碳數1~8的取代基(其中，不包含聚合性基)；R2表示氫原子、碳數1~8的取代基、或者2價連結基；p為1或2，q為0或1，r為1或2；R1及R2可相互鍵結而形成環。)
简体摘要：本发明提供一种喷墨适应性以及脱模性优异的光压印用硬化性组成物。本发明的光压印用硬化性组成物的特征在于含有：聚合性化合物(A)、光聚合起始剂(B)、及脱模剂(C)，并且脱模剂(C)是由下述通式(I)所表示。(通式(I)中，Rf表示具有2个以上氟原子的碳数1~8的含氟烷基；m表示1或2；L表示单键或者2价链接基；n表示1或2；X表示单键、氧原子、硫原子、或者氮原子；R1表示碳数1~8的取代基(其中，不包含聚合性基)；R2表示氢原子、碳数1~8的取代基、或者2价链接基；p为1或2，q为0或1，r为1或2；R1及R2可相互键结而形成环。)

10. 发明专利

TW201338016A 單次曝光自行對準雙重、三重及四重圖案化方法审中-公开
简体标题：单次曝光自行对准双重、三重及四重图案化方法
公开(公告)号：TW201338016A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101144001
申请日：2012-11-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：希諾費堤 , CINNOR, FITIH M. , 沃蘭斯查理斯 , WALLACE, CHARLES H.
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3088 , H01L21/0272 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144
摘要：一種方法，包括：在基底的表面上形成圖案，圖案包括包含至少一側壁的複數個離散結構中之一，相對於表面及由介於複數個離散結構之間的材料層補足之複數個離散結構，至少一側壁界定歪斜角，材料層包括修改成由相對於表面的至少一歪斜角所分開的不同區域之體積；以及，使用圖案，在基底上界定複數個電路特徵，複數個特徵具有的間距小於圖案的間距。
简体摘要：一种方法，包括：在基底的表面上形成图案，图案包括包含至少一侧壁的复数个离散结构中之一，相对于表面及由介于复数个离散结构之间的材料层补足之复数个离散结构，至少一侧壁界定歪斜角，材料层包括修改成由相对于表面的至少一歪斜角所分开的不同区域之体积；以及，使用图案，在基底上界定复数个电路特征，复数个特征具有的间距小于图案的间距。

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