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1. 发明专利

TW201919098A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201919098A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW106143696
申请日：2017-12-13
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：施信益 , SHIH, SHING-YIH
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L27/105 , H01L27/10894
摘要：本揭露提供一種半導體結構的製造方法，該製造方法包含以下步驟：提供具有一第一區與一第二區定義於其上的一基板，形成一第一遮罩結構於該基板上方，形成複數個第一構件於該第一區的第一遮罩結構中，形成一第二遮罩結構於該第一遮罩結構上方，同時形成複數個第二構件於該第二區中的該第二遮罩結構中與複數個第三構件於該第一區中的該第二遮罩結構中，以及將該等第二構件與該等第三構件轉移至該第一遮罩結構，以同時形成複數個島構件於該第一區中及複數個線構件於該第二區中。
简体摘要：本揭露提供一种半导体结构的制造方法，该制造方法包含以下步骤：提供具有一第一区与一第二区定义于其上的一基板，形成一第一遮罩结构于该基板上方，形成复数个第一构件于该第一区的第一遮罩结构中，形成一第二遮罩结构于该第一遮罩结构上方，同时形成复数个第二构件于该第二区中的该第二遮罩结构中与复数个第三构件于该第一区中的该第二遮罩结构中，以及将该等第二构件与该等第三构件转移至该第一遮罩结构，以同时形成复数个岛构件于该第一区中及复数个线构件于该第二区中。

2. 发明专利

TWI618225B 用於三維ＮＡＮＤ硬遮罩應用的奈米結晶鑽石碳膜有权
简体标题：用于三维ＮＡＮＤ硬遮罩应用的奈米结晶钻石碳膜
公开(公告)号：TWI618225B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW104127217
申请日：2015-08-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳咏梅 , CHEN, YONGMEI , 倪克里斯多夫S , NGAI, CHRISTOPHER S. , 劉菁菁 , LIU, JINGJING , 薛君 , XUE, JUN , 殷正操 , YING, CHENTSAU , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L21/0332 , C23C16/26 , C23C16/27 , C23C16/274 , C23C16/279 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/49 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/51 , H01L29/518

3. 发明专利

TW201807239A 複合退火以及選擇性沈積製程审中-公开
简体标题：复合退火以及选择性沉积制程
公开(公告)号：TW201807239A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106112725
申请日：2017-04-17
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V. , 愛美科公司 , IMEC VZW
发明人：梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 內本維爾納 , KNAEPEN, WERNER , 葛漢德羅爾 , GRONHEID, ROEL , 辛區艾爾君 , SINGH, ARJUN
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C8/02 , C23C8/06 , C23C8/80 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0338 , G03F7/0002 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/0273 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/32
摘要：揭露一種使用退火步驟及沈積步驟來形成膜的方法。所述方法包括用於在聚合物內誘發自組裝或對齊的退火步驟。所述方法亦包括選擇性沈積步驟以在聚合物上達成選擇性沈積。
简体摘要：揭露一种使用退火步骤及沉积步骤来形成膜的方法。所述方法包括用于在聚合物内诱发自组装或对齐的退火步骤。所述方法亦包括选择性沉积步骤以在聚合物上达成选择性沉积。

4. 发明专利

TW201737312A 形成導孔的方法审中-公开
简体标题：形成导孔的方法
公开(公告)号：TW201737312A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105125068
申请日：2016-08-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：許仲豪 , SHIU, JUNG HAU , 柯忠祁 , KO, CHUNG CHI , 李資良 , LEE, TZE LIANG , 謝文國 , HSIEH, WEN KUO , 彭羽筠 , PENG, YU YUN
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295
摘要：一種形成導孔的方法，包含形成一介電層、形成一光阻於介電層上方、形成一第一遮罩層於光阻上方、以及形成一第二遮罩層於第一遮罩層上方。實施一第一微影第一蝕刻以形成一第一導孔圖案於第二遮罩層中，其中第一微影第一蝕刻停止於第一遮罩層的上表面。實施一第二微影第二蝕刻以形成一第二導孔圖案於第二遮罩層中，其中第二微影第二蝕刻停止於第一遮罩層的上表面。利用第二遮罩層作為一蝕刻遮罩以蝕刻第一遮罩層。蝕刻光阻以及介電層以同時將第一導孔圖案及第二導孔圖案轉移至介電層中。
简体摘要：一种形成导孔的方法，包含形成一介电层、形成一光阻于介电层上方、形成一第一遮罩层于光阻上方、以及形成一第二遮罩层于第一遮罩层上方。实施一第一微影第一蚀刻以形成一第一导孔图案于第二遮罩层中，其中第一微影第一蚀刻停止于第一遮罩层的上表面。实施一第二微影第二蚀刻以形成一第二导孔图案于第二遮罩层中，其中第二微影第二蚀刻停止于第一遮罩层的上表面。利用第二遮罩层作为一蚀刻遮罩以蚀刻第一遮罩层。蚀刻光阻以及介电层以同时将第一导孔图案及第二导孔图案转移至介电层中。

5. 发明专利

TW201735115A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201735115A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105125069
申请日：2016-08-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林毓超 , LIN, YU CHAO , 陳昭成 , CHEN, CHAO CHENG , 李俊鴻 , LEE, CHUN HUNG , 楊裕隆 , YANG, YU LUNG
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/32
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/02326 , H01L21/0234 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/30655 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要：一種半導體裝置之製造方法，包含：形成複數個心軸圖案(mandrel patterns)在基材之圖案層上方；以及形成間隙層在圖案層與心軸圖案上方，以及在心軸圖案之複數個側壁上。此方法更包含利用乾式蝕刻技術修整間隙層，以使間隙層之相鄰之側壁之間的空間實質上與心軸圖案在沿著圖案寬度方向上的尺寸相匹配。此方法更包含蝕刻間隙層，以暴露心軸圖案以及圖案層，使得圖案化之間隙層形成於心軸圖案的側壁上。於修整間隙層以及蝕刻間隙層後，此方法更包含移除心軸圖案。此方法更包含將圖案化之間隙層的圖案移轉至圖案層。
简体摘要：一种半导体设备之制造方法，包含：形成复数个心轴图案(mandrel patterns)在基材之图案层上方；以及形成间隙层在图案层与心轴图案上方，以及在心轴图案之复数个侧壁上。此方法更包含利用干式蚀刻技术修整间隙层，以使间隙层之相邻之侧壁之间的空间实质上与心轴图案在沿着图案宽度方向上的尺寸相匹配。此方法更包含蚀刻间隙层，以暴露心轴图案以及图案层，使得图案化之间隙层形成于心轴图案的侧壁上。于修整间隙层以及蚀刻间隙层后，此方法更包含移除心轴图案。此方法更包含将图案化之间隙层的图案移转至图案层。

6. 发明专利

TWI591661B 多層電路元件之製造有权
简体标题：多层电路组件之制造
公开(公告)号：TWI591661B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104113366
申请日：2015-04-27
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：英格蘭盧克 , ENGLAND, LUKE , 貝勒爾馬赫什恩納特 , BHATKAR, MAHESH ANANT , 易萬兵 , YI, WANBING , 譚宇邦 , TAN, JUAN BOON
IPC分类号： H01F27/24 , H01F27/28 , H01F41/02 , H01F41/32 , H05K3/40
CPC分类号： H01L28/10 , H01L21/0335 , H01L21/2885 , H01L21/31058 , H01L21/31127 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/3213 , H01L21/324 , H01L21/78 , H01L23/49822 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TWI585854B 圖案化半導體晶圓及圖案化目標材料層之方法有权
简体标题：图案化半导体晶圆及图案化目标材料层之方法
公开(公告)号：TWI585854B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW103146211
申请日：2014-12-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：丁致遠 , TING, CHIH YUAN , 吳中文 , WU, CHUNG WEN
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0273 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/32139

8. 发明专利

TWI550798B 用於積體電路之互連結構及製造用於積體電路之互連結構的方法有权
简体标题：用于集成电路之互链接构及制造用于集成电路之互链接构的方法
公开(公告)号：TWI550798B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103137441
申请日：2014-10-29
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 布雷克威爾詹姆士 , BLACKWELL, JAMES M. , 梅爾斯艾倫 , MYERS, ALAN , 辛格肯瓦爾 , SINGH, KANWAL JIT
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L21/76816 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201539536A 在半導體裝置內形成圖案的方法审中-公开
简体标题：在半导体设备内形成图案的方法
公开(公告)号：TW201539536A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103146481
申请日：2014-12-31
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張世明 , CHANG, SHIH MING , 謝銘峰 , SHIEH, MING FENG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 高蔡勝 , GAU, TSAI SHENG
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/80
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/30625 , H01L21/3065
摘要：本揭露提供一種在半導體裝置內形成圖案的方法。根據某些實施例，該方法包括提供一基底、基底上的一圖案化目標層以及圖案化目標層上的一硬式罩幕層。在硬式罩幕層內形成一第一圖案。自硬式罩幕層內的第一圖案去除一修整部分，以形成一經修整的第一圖案。在硬式罩幕層上形成一第一阻劑層。在第一阻劑層內形成一主要圖案。使用主要圖案及經修整的第一圖案作為一蝕刻遮罩元件來蝕刻圖案化目標層，以在圖案化目標層內形成一最終圖案。在某些實施例中，最終圖案包括主要圖案減去主要圖案與經修整的第一圖案之間的一第一重疊部分。
简体摘要：本揭露提供一种在半导体设备内形成图案的方法。根据某些实施例，该方法包括提供一基底、基底上的一图案化目标层以及图案化目标层上的一硬式罩幕层。在硬式罩幕层内形成一第一图案。自硬式罩幕层内的第一图案去除一修整部分，以形成一经修整的第一图案。在硬式罩幕层上形成一第一阻剂层。在第一阻剂层内形成一主要图案。使用主要图案及经修整的第一图案作为一蚀刻遮罩组件来蚀刻图案化目标层，以在图案化目标层内形成一最终图案。在某些实施例中，最终图案包括主要图案减去主要图案与经修整的第一图案之间的一第一重叠部分。

10. 发明专利

TW201535061A 圖案測定裝置，及圖案測定用的電腦程式审中-公开
简体标题：图案测定设备，及图案测定用的电脑进程
公开(公告)号：TW201535061A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103140648
申请日：2014-11-24
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：山口聡 , YAMAGUCHI, SATORU , 長谷川昇雄 , HASEGAWA, NORIO , 杉山明之 , SUGIYAMA, AKIYUKI , 伊澤美紀 , ISAWA, MIKI , 鬼澤明洋 , ONIZAWA, AKIHIRO , 三橋二 , MITSUHASHI, RYUJI
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/36 , G06F17/50
CPC分类号： G01B15/00 , G01B2210/56 , H01J37/28 , H01J2237/2817 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L22/12
摘要：本發明是以提供一種適當地評價藉由圖案化法(形成在光罩沒有的圖案)所形成的圖案之圖案測定裝置。本發明為了達成上述目的，而提案一種圖案測定裝置，係具備測定被形成於試料的圖案間的尺寸之運算裝置，其特徵為：從藉由照射射束而取得的被測定資料來抽出被形成於試料的圖案的重心，在該被抽出的重心與設定有成為測定始點或測定終點的基準的測定基準資料之間實行對位處理，測定該被對位的測定基準資料的測定始點或測定終點與被測定資料中所含的圖案的重心或邊緣之間的尺寸。
简体摘要：本发明是以提供一种适当地评价借由图案化法(形成在光罩没有的图案)所形成的图案之图案测定设备。本发明为了达成上述目的，而提案一种图案测定设备，系具备测定被形成于试料的图案间的尺寸之运算设备，其特征为：从借由照射射束而取得的被测定数据来抽出被形成于试料的图案的重心，在该被抽出的重心与设置有成为测定始点或测定终点的基准的测定基准数据之间实行对位处理，测定该被对位的测定基准数据的测定始点或测定终点与被测定数据中所含的图案的重心或边缘之间的尺寸。

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