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1. 发明专利

TW201807239A 複合退火以及選擇性沈積製程审中-公开
简体标题：复合退火以及选择性沉积制程
公开(公告)号：TW201807239A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106112725
申请日：2017-04-17
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V. , 愛美科公司 , IMEC VZW
发明人：梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 內本維爾納 , KNAEPEN, WERNER , 葛漢德羅爾 , GRONHEID, ROEL , 辛區艾爾君 , SINGH, ARJUN
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C8/02 , C23C8/06 , C23C8/80 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0338 , G03F7/0002 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/0273 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/32
摘要：揭露一種使用退火步驟及沈積步驟來形成膜的方法。所述方法包括用於在聚合物內誘發自組裝或對齊的退火步驟。所述方法亦包括選擇性沈積步驟以在聚合物上達成選擇性沈積。
简体摘要：揭露一种使用退火步骤及沉积步骤来形成膜的方法。所述方法包括用于在聚合物内诱发自组装或对齐的退火步骤。所述方法亦包括选择性沉积步骤以在聚合物上达成选择性沉积。

2. 发明专利

TW201802874A 於基底上形成定向自組裝層之方法审中-公开
简体标题：于基底上形成定向自组装层之方法
公开(公告)号：TW201802874A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106112840
申请日：2017-04-18
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V. , 愛美科公司 , IMEC VZW
发明人：內本維爾納 , KNAEPEN, WERNER , 梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 斯托克霍夫馬丁 , STOKHOF, MAARTEN , 葛漢德羅爾 , GRONHEID, ROEL , 斯里拉曼哈利琶森吉 , SRIRAMAN, HARI PATHANGI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/0271 , G03F7/0002 , H01L21/768
摘要：一種藉由以下步驟於基底上形成定向自組裝（DSA）層之方法：提供基底；在所述基底上施加包含自組裝材料的層；以及藉由在所述基底周圍提供受控的溫度及受控的氣體環境而將所述層的所述自組裝材料退火以形成定向自組裝層。所述受控的氣體環境以介於10帕至2000帕之間的分壓包含含有氧元素的分子。
简体摘要：一种借由以下步骤于基底上形成定向自组装（DSA）层之方法：提供基底；在所述基底上施加包含自组装材料的层；以及借由在所述基底周围提供受控的温度及受控的气体环境而将所述层的所述自组装材料退火以形成定向自组装层。所述受控的气体环境以介于10帕至2000帕之间的分压包含含有氧元素的分子。

3. 发明专利

TW201809346A 反應室鈍化以及金屬膜的選擇性沈積审中-公开
简体标题：反应室钝化以及金属膜的选择性沉积
公开(公告)号：TW201809346A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118780
申请日：2017-06-07
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：隆吉戴芬 , LONGRIE, DELPHINE , 尼斯卡嫩安提具哈尼 , NISKANEN, ANTTI JUHANI , 王瀚 , WANG, HAN , 謝琦 , XIE, QI , 梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 陳尚 , CHEN, SHANG , 渡會俊晴 , WATARAI, TOSHIHARU , 小沼大 , ONUMA, TAKAHIRO , 石川大 , ISHIKAWA, DAI , 難波邦年 , NAMBA, KUNITOSHI
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/06 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC分类号： C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/7685
摘要：可將金屬層相對於基底的第二表面選擇性地沈積於基底的一個表面上。在一些實施例中，相對於包括矽的第二表面，將金屬層選擇性地沈積於第一金屬表面上。在一些實施例中，可視情況在執行選擇性沈積製程之前對將要執行選擇性沈積的反應室進行鈍化。在一些實施例中，達成高於約50%或甚至約90%的選擇性。
简体摘要：可将金属层相对于基底的第二表面选择性地沉积于基底的一个表面上。在一些实施例中，相对于包括硅的第二表面，将金属层选择性地沉积于第一金属表面上。在一些实施例中，可视情况在运行选择性沉积制程之前对将要运行选择性沉积的反应室进行钝化。在一些实施例中，达成高于约50%或甚至约90%的选择性。

4. 发明专利

TW201705247A 積體電路的製造方法及半導體加工反應器系統审中-公开
简体标题：集成电路的制造方法及半导体加工反应器系统
公开(公告)号：TW201705247A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105117329
申请日：2016-06-02
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：謝琦 , XIE, QI , 湯福 , TANG, FU , 吉文斯麥克 , GIVENS, MICHAEL , 拉薩內尼佩托 , RAISANEN, PETRI , 梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 蔣曉強 , JIANG, XIAOQIANG
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/318
CPC分类号： H01L23/3171 , C23C16/0218 , C23C16/403 , C23C16/405 , H01L21/02192 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L21/28255 , H01L29/1054 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要：在一些實施例中，可利用氮化，較佳使用肼、肼衍生物或其組合有效地保護半導體表面。表面可為電晶體通道區域之半導體表面。在一些實施例中，自半導體表面移除原生氧化物且接著將表面氮化。在一些其他實施例中，在半導體表面形成半導體表面氧化物層且藉由在表面形成半導體氮氧化物層來實現保護，其中氮化將氮貢獻給表面氧化物以形成氮氧化物層。可藉由原子層沈積（atomic layer deposition；ALD）來沈積半導體氧化物層且氮化亦可作為ALD之一部分來進行。
简体摘要：在一些实施例中，可利用氮化，较佳使用肼、肼衍生物或其组合有效地保护半导体表面。表面可为晶体管信道区域之半导体表面。在一些实施例中，自半导体表面移除原生氧化物且接着将表面氮化。在一些其他实施例中，在半导体表面形成半导体表面氧化物层且借由在表面形成半导体氮氧化物层来实现保护，其中氮化将氮贡献给表面氧化物以形成氮氧化物层。可借由原子层沉积（atomic layer deposition；ALD）来沉积半导体氧化物层且氮化亦可作为ALD之一部分来进行。

5. 发明专利

TW202026461A 選擇性沉積的方法以及用於選擇性沉積的組合工具和系統审中-公开
简体标题：选择性沉积的方法以及用于选择性沉积的组合工具和系统
公开(公告)号：TW202026461A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108135626
申请日：2019-10-02
申请人：荷蘭商ASM IP 控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 吉文斯麥克 , GIVENS, MICHAEL , 賀加蘇維 , HAUKKA, SUVI , 帕魯齊里瓦蒙西 , PARUCHURI, VAMSI , 拉吉馬克斯艾翁 , RAAIJMAKERS, IVO , 鄧紹仁 , DENG, SHAOREN , 伊利貝里安德莉亞 , ILLIBERI, ANDREA , 多益斯艾娃 , TOIS, EVA , 隆吉戴芬 , LONGRIE, DELPHINE
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/18 , H01L21/3065
摘要：本發明提供用於選擇性沉積之方法。材料相對於不同材料組成之第二表面選擇性地沉積於基板之第一表面上。抑制劑，諸如聚醯亞胺層相對於該第二表面自氣相反應物選擇性地形成於該第一表面上。相關層相對於該第一表面自氣相反應物選擇性地沉積於該第二表面上。該第一表面可為金屬性，而該第二表面為介電性。因此，諸如介電性過渡金屬氧化物及氮化物之材料可使用本文所描述之技術相對於介電性表面選擇性地沉積於金屬性表面上。
简体摘要：本发明提供用于选择性沉积之方法。材料相对于不同材料组成之第二表面选择性地沉积于基板之第一表面上。抑制剂，诸如聚酰亚胺层相对于该第二表面自气相反应物选择性地形成于该第一表面上。相关层相对于该第一表面自气相反应物选择性地沉积于该第二表面上。该第一表面可为金属性，而该第二表面为介电性。因此，诸如介电性过渡金属氧化物及氮化物之材料可使用本文所描述之技术相对于介电性表面选择性地沉积于金属性表面上。

6. 发明专利

TW201826351A 製造半導體元件的方法审中-公开
简体标题：制造半导体组件的方法
公开(公告)号：TW201826351A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106144295
申请日：2017-12-18
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：普羅菲特哈拉德 , PROFIJT, HARALD , 謝琦 , XIE, QI , 梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 科亨大衛 , KOHEN, DAVID
IPC分类号： H01L21/225
摘要：在一些實施例中，藉由使半導體物種自來源半導體層擴散至基板中之半導體材料中來形成化合物半導體。來源半導體層可係非晶形或多晶形結構，並提供用於稍後擴散至另一半導體材料中之半導體物種的來源。此一半導體層可有利地較磊晶生長的結晶半導體層更為等形。結果，此更為等形的半導體層充作用於擴散至基板中之半導體材料中之半導體物種的均勻來源。在一些實施例中，在來源半導體層與基板之間形成中間層，及接著在沉積來源半導體層之前修整中間層。在一些其他實施例中，來源半導體層係直接沉積於基板上，且具有非晶形或多晶形結構。
简体摘要：在一些实施例中，借由使半导体物种自来源半导体层扩散至基板中之半导体材料中来形成化合物半导体。来源半导体层可系非晶形或多晶形结构，并提供用于稍后扩散至另一半导体材料中之半导体物种的来源。此一半导体层可有利地较磊晶生长的结晶半导体层更为等形。结果，此更为等形的半导体层充作用于扩散至基板中之半导体材料中之半导体物种的均匀来源。在一些实施例中，在来源半导体层与基板之间形成中间层，及接着在沉积来源半导体层之前修整中间层。在一些其他实施例中，来源半导体层系直接沉积于基板上，且具有非晶形或多晶形结构。

7. 发明专利

TW201809334A 用於在基板上選擇性地沈積有機薄膜的製程审中-公开
简体标题：用于在基板上选择性地沉积有机薄膜的制程
公开(公告)号：TW201809334A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106117800
申请日：2017-05-31
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：多益斯艾娃 E. , TOIS, EVA E. , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 波爾維爾傑米 J. , PORE, VILJAMI J. , 賀加蘇維 P. , HAUKKA, SUVI P. , 夏瑪瓦倫 , SHARMA, VARUN , 梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 隆吉戴芬 , LONGRIE, DELPHINE , 卡吉爾克滋托夫 , KACHEL, KRZYSZTOF
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/31144 , C23C16/04 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02118 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , H01L21/32 , H01L21/32139 , H01L21/76834
摘要：本文中提供用於有機薄膜的沈積的製程。可沈積有機薄膜，包括在基板的一個表面上相對於基板的第二表面進行選擇性沈積。舉例而言，聚合物薄膜可選擇性地沈積於與第二介電質表面相對的第一金屬性表面上。達成高於約50%或甚至約90%的藉由不同層上的相對厚度而量測的選擇性。選擇性地沈積的有機薄膜可經受蝕刻製程，以使得製程變得完全具有選擇性。亦不依賴於選擇性針對特定有機薄膜材料提供製程。提供採用選擇性有機薄膜的遮罩應用。亦揭露對有機薄膜的沈積後的修飾，其例如為金屬性滲透及/或碳移除。
简体摘要：本文中提供用于有机薄膜的沉积的制程。可沉积有机薄膜，包括在基板的一个表面上相对于基板的第二表面进行选择性沉积。举例而言，聚合物薄膜可选择性地沉积于与第二介电质表面相对的第一金属性表面上。达成高于约50%或甚至约90%的借由不同层上的相对厚度而量测的选择性。选择性地沉积的有机薄膜可经受蚀刻制程，以使得制程变得完全具有选择性。亦不依赖于选择性针对特定有机薄膜材料提供制程。提供采用选择性有机薄膜的遮罩应用。亦揭露对有机薄膜的沉积后的修饰，其例如为金属性渗透及/或碳移除。

8. 发明专利

TW201738971A 複合退火以及選擇性沈積製程审中-公开
简体标题：复合退火以及选择性沉积制程
公开(公告)号：TW201738971A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106112446
申请日：2017-04-14
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 內本維爾納 , KNAEPEN, WERNER
IPC分类号： H01L21/477
CPC分类号： C23C16/04 , C23C16/0209 , C23C16/06 , C23C16/303 , C23C16/308 , C23C16/36 , C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/45525 , H01L21/67103 , H01L21/67207
摘要：揭露一種使用退火步驟及沈積步驟來形成膜的系統及方法。所述系統執行用於在聚合物內誘發自組裝或對齊的退火步驟。所述系統亦執行選擇性沈積步驟以在聚合物上達成選擇性沈積。
简体摘要：揭露一种使用退火步骤及沉积步骤来形成膜的系统及方法。所述系统运行用于在聚合物内诱发自组装或对齐的退火步骤。所述系统亦运行选择性沉积步骤以在聚合物上达成选择性沉积。

9. 发明专利

TW201718923A 含鋁與氮之物質的選擇性沈積审中-公开
简体标题：含铝与氮之物质的选择性沉积
公开(公告)号：TW201718923A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105124529
申请日：2016-08-03
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：王瀚 , WANG, HAN , 謝琦 , XIE, QI , 隆吉戴芬 , LONGRIE, DELPHINE , 梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 德羅斯特大衛 , DE ROEST, DAVID , 謝朱利安 , HSIEH, JULIAN , 朱馳宇 , ZHU, CHIYU , 阿西凱寧泰瑪 , ASIKAINEN, TIMO
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/12 , C23C16/42 , H01L21/02 , H01L21/283 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/283 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76834 , H01L21/76897
摘要：提供的方法選擇性沉積含鋁與氮之物質於基底的第一導電表面上，其是相對於同一基底的第二介電表面。在一些方面也提供用在積體電路製程中形成含鋁與氮保護層或蝕刻終止層的方法。
简体摘要：提供的方法选择性沉积含铝与氮之物质于基底的第一导电表面上，其是相对于同一基底的第二介电表面。在一些方面也提供用在集成电路制程中形成含铝与氮保护层或蚀刻终止层的方法。

10. 发明专利

TW201701334A 在基材表面上形成結構或閘極堆疊之方法审中-公开
简体标题：在基材表面上形成结构或闸极堆栈之方法
公开(公告)号：TW201701334A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105118667
申请日：2016-06-15
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：謝琦 , XIE, QI , 湯福 , TANG, FU , 吉文斯麥克尤金 , GIVENS, MICHAEL EUGENE , 梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM
IPC分类号： H01L21/283 , C23C16/06
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/28255 , H01L21/28264 , H01L29/513 , H01L29/66568
摘要：在一些態樣中，提供形成金屬硒化物或金屬碲化物薄膜之方法。根據一些方法，金屬硒化物或金屬碲化物薄膜以循環沉積製程在反應空間中在基材上沉積，其中至少一個循環包括使該基材與第一氣相金屬反應物及第二氣相硒或碲反應物交替地且依次地接觸。在一些態樣中，提供在基材表面上形成三維構造之方法。在一些實施例中，該方法包括在基材與電介質之間形成金屬硒化物或金屬碲化物界面層。在一些實施例中，該方法包括在基材與導電層之間形成金屬硒化物或金屬碲化物介電層。
简体摘要：在一些态样中，提供形成金属硒化物或金属碲化物薄膜之方法。根据一些方法，金属硒化物或金属碲化物薄膜以循环沉积制程在反应空间中在基材上沉积，其中至少一个循环包括使该基材与第一气相金属反应物及第二气相硒或碲反应物交替地且依次地接触。在一些态样中，提供在基材表面上形成三维构造之方法。在一些实施例中，该方法包括在基材与电介质之间形成金属硒化物或金属碲化物界面层。在一些实施例中，该方法包括在基材与导电层之间形成金属硒化物或金属碲化物介电层。

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