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1. 发明专利

TWI581312B 離子植入方法及離子植入裝置有权
简体标题：离子植入方法及离子植入设备
公开(公告)号：TWI581312B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW101148073
申请日：2012-12-18
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 岡本泰治 , OKAMOTO, YASUHARU , 石川雅基 , ISHIKAWA, MASAKI , 黑瀬猛 , KUROSE, TAKESHI , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30477 , H01J2237/30488

2. 发明专利

TWI567798B 離子注入方法及離子注入裝置有权
简体标题：离子注入方法及离子注入设备
公开(公告)号：TWI567798B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW101109858
申请日：2012-03-22
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 工藤哲也 , KUDO, TETSUYA , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/265 , G01F13/00
CPC分类号： H01L21/265 , C23C14/48 , C23C14/542 , H01J37/3007 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01J2237/30483

3. 发明专利

TWI541870B 離子植入方法及離子植入裝置有权
简体标题：离子植入方法及离子植入设备
公开(公告)号：TWI541870B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW101110836
申请日：2012-03-28
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO , 木村靖彥 , KIMURA, YASUHIKO , 岡本泰治 , OKAMOTO, YASUHARU , 弓山敏男 , YUMIYAMA, TOSHIO
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J37/3172 , H01J2237/30483 , H01J2237/31701 , H01J2237/31706

4. 发明专利

TW201820378A 離子植入裝置及離子植入方法审中-公开
简体标题：离子植入设备及离子植入方法
公开(公告)号：TW201820378A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106129894
申请日：2017-09-01
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：石橋和久 , ISHIBASHI, KAZUHISA , 二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO , 弓山敏男 , YUMIYAMA, TOSHIO
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
摘要：本發明提供一種離子植入裝置及離子植入方法，其課題係實現作為目標之不均勻的二維離子植入量分佈。本發明的離子植入裝置(10)具備：射束掃描器(26)，按照掃描波形沿射束掃描方向提供往復射束掃描；機械掃描器，使晶圓(W)沿機械掃描方向往復運動；及控制裝置(60)，控制射束掃描器(26)及機械掃描器，以給予晶圓表面目標二維摻雜量分佈。控制裝置(60)具備：掃描頻率調整部，按照目標二維摻雜量分佈來確定掃描波形的頻率；及射束掃描器驅動部，使用具有掃描頻率調整部所確定之頻率之掃描波形來驅動射束掃描器。
简体摘要：本发明提供一种离子植入设备及离子植入方法，其课题系实现作为目标之不均匀的二维离子植入量分布。本发明的离子植入设备(10)具备：射束扫描仪(26)，按照扫描波形沿射束扫描方向提供往复射束扫描；机械扫描仪，使晶圆(W)沿机械扫描方向往复运动；及控制设备(60)，控制射束扫描仪(26)及机械扫描仪，以给予晶圆表面目标二维掺杂量分布。控制设备(60)具备：扫描频率调整部，按照目标二维掺杂量分布来确定扫描波形的频率；及射束扫描仪驱动部，使用具有扫描频率调整部所确定之频率之扫描波形来驱动射束扫描仪。

5. 发明专利

TWI592977B 離子植入方法以及離子植入裝置有权
简体标题：离子植入方法以及离子植入设备
公开(公告)号：TWI592977B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102124921
申请日：2013-07-11
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/302
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/3023 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30483

6. 发明专利

TWI688996B 離子植入裝置有权
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TWI688996B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW105129336
申请日：2016-09-09
申请人：日商住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 岡本泰治 , OKAMOTO, YASUHARU , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO , 上野勇介 , UENO, YUSUKE
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425

7. 发明专利

TW201801127A 離子植入裝置及掃描波形作成方法审中-公开
简体标题：离子植入设备及扫描波形作成方法
公开(公告)号：TW201801127A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106855
申请日：2017-03-02
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/04
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/1474 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/3172 , H01J2237/24535 , H01J2237/30488
摘要：在基板表面準確地實現不均勻的二維離子植入量分佈。本發明的離子植入裝置(10)具備：沿射束掃描方向提供往復射束掃描的射束掃描器(26)、在射束掃描器(26)的下游測定射束掃描方向的射束電流強度分佈的第2射束計測部(50)、及控制裝置(60)。控制裝置(60)具備：判定在所給予之掃描波形的基礎上藉由第2射束計測部(50)測定之測定射束電流強度分佈是否適合目標不均勻劑量分佈，當適合時，將所給予之掃描波形與目標不均勻劑量分佈作對應的掃描波形作成部。
简体摘要：在基板表面准确地实现不均匀的二维离子植入量分布。本发明的离子植入设备(10)具备：沿射束扫描方向提供往复射束扫描的射束扫描仪(26)、在射束扫描仪(26)的下游测定射束扫描方向的射束电流强度分布的第2射束计测部(50)、及控制设备(60)。控制设备(60)具备：判定在所给予之扫描波形的基础上借由第2射束计测部(50)测定之测定射束电流强度分布是否适合目标不均匀剂量分布，当适合时，将所给予之扫描波形与目标不均匀剂量分布作对应的扫描波形作成部。

8. 发明专利

TWI585829B 離子植入方法及離子植入設備有权
简体标题：离子植入方法及离子植入设备
公开(公告)号：TWI585829B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW102102649
申请日：2013-01-24
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 岡本泰治 , OKAMOTO, YASUHARU , 弓山敏男 , YUMIYAMA, TOSHIO , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01J2237/20228

9. 发明专利

TW201712737A 離子植入裝置审中-公开
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TW201712737A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105129336
申请日：2016-09-09
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：二宮史郎 , NINOMIYA, SHIRO , 岡本泰治 , OKAMOTO, YASUHARU , 越智昭浩 , OCHI, AKIHIRO , 上野勇介 , UENO, YUSUKE
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425
CPC分类号： H01J37/3171 , H01L21/26586
摘要：本發明提供一種兼顧離子植入處理的生產率與晶圓面內的不均勻植入精度之離子植入裝置。本發明的離子植入裝置(10)對同一晶圓連續執行植入條件不同的複數個離子植入製程。複數個離子植入製程中，(a)以晶圓的扭轉角互不相同的方式設定各植入條件，(b)構成為對在往復運動方向上運動之晶圓處理面照射往復掃描之離子束，並且(c)對應於晶圓的往復運動方向的位置，以可改變照射到晶圓處理面之離子束的射束電流密度分佈的目標值的方式設定各植入條件。控制裝置在對同一晶圓連續執行複數個離子植入製程之前，執行設置製程，該設置製程中，統一確定與作為複數個離子植入製程的各植入條件而設定之射束電流密度分佈的複數個目標值對應之複數個掃描參數。
简体摘要：本发明提供一种兼顾离子植入处理的生产率与晶圆面内的不均匀植入精度之离子植入设备。本发明的离子植入设备(10)对同一晶圆连续运行植入条件不同的复数个离子植入制程。复数个离子植入制程中，(a)以晶圆的扭转角互不相同的方式设置各植入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动之晶圆处理面照射往复扫描之离子束，并且(c)对应于晶圆的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶圆处理面之离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设置各植入条件。控制设备在对同一晶圆连续运行复数个离子植入制程之前，运行设置制程，该设置制程中，统一确定与作为复数个离子植入制程的各植入条件而设置之射束电流密度分布的复数个目标值对应之复数个扫描参数。

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