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1. 发明专利

TW201810342A 電極堆疊及相關之帶電粒子束產生器、帶電粒子微影系統及電極审中-公开
简体标题：电极堆栈及相关之带电粒子束产生器、带电粒子微影系统及电极
公开(公告)号：TW201810342A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106139730
申请日：2014-11-14
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：爾本尼斯威稜漢克 , URBANUS, WILLEM HENK , 威蘭德瑪寇傑加寇 , WIELAND, MARCO JAN-JACO
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/07 , H01J37/317
CPC分类号： G21K1/02 , G21K5/04 , H01J37/026 , H01J37/065 , H01J37/12 , H01J37/16 , H01J37/24 , H01J37/3002 , H01J37/3007 , H01J37/3174 , H01J37/3175 , H01J37/3177 , H01J2237/002 , H01J2237/0216 , H01J2237/024 , H01J2237/032 , H01J2237/04 , H01J2237/1215 , H01J2237/16 , H01J2237/1825 , H01J2237/303 , H01J2237/30472
摘要：本發明係關於一種電極堆疊(70)，其包含用於操縱沿著光軸(A)之帶電粒子束(54)的堆疊電極(71-80)。每一電極包含一電極主體(81)，該電極主體(81)具有用於該帶電粒子束之孔(82)。所述電極主體相互間隔開且所述電極孔沿著該光軸同軸地對準。該電極堆疊包含介於每一對相鄰電極之間的電絕緣間隔結構(89)，所述電絕緣間隔結構(89)用於沿著軸向方向(Z)以預定相互距離來定位所述電極(71-80)。第一電極及第二電極各自包含具有一或多個支撐部分(86)的一電極主體(81)，其中每一支撐部分經配置以容納至少一個間隔結構(89)。該電極堆疊具有至少一個夾緊構件(91-91c)，所述夾緊構件(91-91c)經配置以將該第一電極及該第二電極之所述支撐部分(86)以及中間間隔結構(89)固持在一起。
简体摘要：本发明系关于一种电极堆栈(70)，其包含用于操纵沿着光轴(A)之带电粒子束(54)的堆栈电极(71-80)。每一电极包含一电极主体(81)，该电极主体(81)具有用于该带电粒子束之孔(82)。所述电极主体相互间隔开且所述电极孔沿着该光轴同轴地对准。该电极堆栈包含介于每一对相邻电极之间的电绝缘间隔结构(89)，所述电绝缘间隔结构(89)用于沿着轴向方向(Z)以预定相互距离来定位所述电极(71-80)。第一电极及第二电极各自包含具有一或多个支撑部分(86)的一电极主体(81)，其中每一支撑部分经配置以容纳至少一个间隔结构(89)。该电极堆栈具有至少一个夹紧构件(91-91c)，所述夹紧构件(91-91c)经配置以将该第一电极及该第二电极之所述支撑部分(86)以及中间间隔结构(89)固持在一起。

2. 发明专利

TW201710682A 檢測帶電荷試件表面的方法及裝置审中-公开
简体标题：检测带电荷试件表面的方法及设备
公开(公告)号：TW201710682A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105127857
申请日：2016-08-30
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：施內爾麥可 , SCHNELL, MICHAEL , 伯澤馬庫斯 , BOESE, MARKUS
IPC分类号： G01Q30/00 , H05F3/06 , H05F3/04
CPC分类号： H01J37/28 , G01Q30/02 , H01J37/026 , H01J37/222 , H01J2237/004 , H01J2237/2818 , H01J2237/3174
摘要：本發明係關於一種用掃描式探針顯微鏡(1060)之探針(1070)檢測試件表面(120)的方法，該試件表面(120)具有電位分佈(850)，且該方法包含下列步驟：(a)判定該試件表面(120)之至少一個第一部分區域(820)之電位分佈(850)；以及(b)修改在該試件表面(120)之至少一個第一部分區域(820)中的電位分佈(850)，及/或在掃描該試件表面(120)之至少一個第二部分區域(830)之前修改該掃描式探針顯微鏡(1060)之探針(1070)之一電位。
简体摘要：本发明系关于一种用扫描式探针显微镜(1060)之探针(1070)检测试件表面(120)的方法，该试件表面(120)具有电位分布(850)，且该方法包含下列步骤：(a)判定该试件表面(120)之至少一个第一部分区域(820)之电位分布(850)；以及(b)修改在该试件表面(120)之至少一个第一部分区域(820)中的电位分布(850)，及/或在扫描该试件表面(120)之至少一个第二部分区域(830)之前修改该扫描式探针显微镜(1060)之探针(1070)之一电位。

3. 发明专利

TWI485742B 荷電粒子束裝置及使用該裝置之半導體元件製造方法有权
简体标题：荷电粒子束设备及使用该设备之半导体组件制造方法
公开(公告)号：TWI485742B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW103100024
申请日：2007-09-11
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：渡邊賢治 , WATANABE, KENJI , 村上武司 , MURAKAMI, TAKESHI , 田島涼 , TAJIMA, RYO , 畠山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO , 恒岡正年 , TSUNEOKA, MASATOSHI , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/304 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/026 , H01J37/153 , H01J37/29 , H01J2237/0047 , H01J2237/1532 , H01J2237/216

4. 发明专利

TWI471892B 離子植入之增強型低能量離子束傳輸有权
简体标题：离子植入之增强型低能量离子束传输
公开(公告)号：TWI471892B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW099101742
申请日：2010-01-22
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：狄貝爾吉利歐威廉 , DIVERGILIO, WILLIAM , 梵德伯格寶 , VANDERBERG, BO
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J37/05 , H01J2237/0041 , H01J2237/055

5. 发明专利

TWI463517B 檢查物的高速放電的調變器、系統及方法有权
简体标题：检查物的高速放电的调制器、系统及方法
公开(公告)号：TWI463517B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW100133626
申请日：2011-09-19
申请人：應用材料以色列公司 , APPLIED MATERIALS ISRAEL, LTD.
发明人：拜柏圖維亞 , BIBER, TUVIA , 凱納艾凡 , KERNER, EFIM
IPC分类号： H01J37/12
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/0044 , H01J2237/065 , H01J2237/083 , H01J2237/21

6. 发明专利

TWI420575B 離子束照射裝置及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：离子束照射设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI420575B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW096121137
申请日：2007-06-12
申请人：日新意旺機器股份有限公司 , NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD. , 國立大學法人京都大學 , KYOTO UNIVERSITY
发明人：酒井滋樹 , SHIGEKI SAKAI , 石川順三 , JUNZO ISHIKAWA , 譚尼可拉耶斯克 , DAN NICOLAESCU , 後藤康仁 , YASUHITO GOTOH
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/31701

7. 发明专利

TWI368951B 晶圓電荷補償裝置及具有晶圓電荷補償裝置之離子植入系統 WAFER CHARGE COMPENSATION DEVICE AND ION IMPLANTATION SYSTEM HAVING THE SAME 有权
简体标题：晶圆电荷补偿设备及具有晶圆电荷补偿设备之离子植入系统 WAFER CHARGE COMPENSATION DEVICE AND ION IMPLANTATION SYSTEM HAVING THE SAME
公开(公告)号：TWI368951B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW094119655
申请日：2005-06-14
申请人：住友伊頓諾巴股份有限公司
发明人：川口宏 , 佐野信 , 杉谷道朗 , 村上純一 , 月原光國 , 椛澤光昭 , 黑田隆之 , 上田一成 , 曾我部博
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J49/26 , H01J37/026 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/0041
摘要：根據本發明之電荷補償裝置係當以來自射束產生源單元之射束照射晶圓時用來抑制晶圓之荷電，該電荷補償裝置包含至少一第一電弧室，具有至少一第一提取孔，及一第二電弧室，具有至少一面向該預定掃描範圍之往復擺動射束的第二提取孔，第一電弧電壓被施加於該第一電弧室以產生第一電漿於該第一電弧室中，所產生之第一電漿係自第一電弧室中被提取出且被導引入第二電弧室內，第二電漿被產生於第二電弧室中，並且來自第二電弧室之第二提取電漿形成電漿橋於該第二提取孔與往復擺動射束之間。
简体摘要：根据本发明之电荷补偿设备系当以来自射束产生源单元之射束照射晶圆时用来抑制晶圆之荷电，该电荷补偿设备包含至少一第一电弧室，具有至少一第一提取孔，及一第二电弧室，具有至少一面向该预定扫描范围之往复摆动射束的第二提取孔，第一电弧电压被施加于该第一电弧室以产生第一等离子于该第一电弧室中，所产生之第一等离子系自第一电弧室中被提取出且被导引入第二电弧室内，第二等离子被产生于第二电弧室中，并且来自第二电弧室之第二提取等离子形成等离子桥于该第二提取孔与往复摆动射束之间。

8. 发明专利

TWI357089B 具有Ｘ燈加熱器之真空反應室 VACUUM REACTION CHAMBER WITH X-LAMP HEATER 有权
简体标题：具有Ｘ灯加热器之真空反应室 VACUUM REACTION CHAMBER WITH X-LAMP HEATER
公开(公告)号：TWI357089B
公开(公告)日：2012-01-21
申请号：TW095133932
申请日：2006-09-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：阿巴雅提亞彌爾 , 德庫魯茲萊斯特A , 狄摩斯亞歷山卓T , 督波斯道爾R , 艾爾希瑞夫哈雷德A , 岩崎直之 , 薩德希肯姆 , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , 山亞席士 , 清水隆史
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/317 , B23K15/00 , C23F4/00 , H01J37/026 , H01J37/20 , H01J2237/004 , H01J2237/0044 , H01J2237/2001 , H01J2237/304 , H01J2237/3156 , H01J2237/316 , H01J2237/3165 , H01L21/67115
摘要：本發明提供電子束處理基材之方法與設備。電子束設備包含真空室、至少一與真空室連通之熱電偶組件、與真空室連通之加熱裝置、以及其組合物。在一實施例中，真空室包含電子源，其中電子源包含連結至高壓源之陰極、連結至低壓源之陽極、以及基材支撐。另一實施例中，真空室包含設置介於陰極與基材支撐間之柵極(grid)。在一實施例中，加熱裝置包含第一平行光束陣列(parallel light array)與第二平行光束陣列係定位於可與第一平行光束陣列交叉之位置。在一實施例中，熱電偶組件包含由氮化鋁所製之溫度感測器。
简体摘要：本发明提供电子束处理基材之方法与设备。电子束设备包含真空室、至少一与真空室连通之热电偶组件、与真空室连通之加热设备、以及其组合物。在一实施例中，真空室包含电子源，其中电子源包含链接至高压源之阴极、链接至低压源之阳极、以及基材支撑。另一实施例中，真空室包含设置介于阴极与基材支撑间之栅极(grid)。在一实施例中，加热设备包含第一平行光束数组(parallel light array)与第二平行光束数组系定位于可与第一平行光束数组交叉之位置。在一实施例中，热电偶组件包含由氮化铝所制之温度传感器。

9. 发明专利

TWI338908B 帶電粒子束裝置 CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE 失效
简体标题：带电粒子束设备 CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
公开(公告)号：TWI338908B
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：TW096105544
申请日：2007-02-14
申请人： ICT積體電路測試股份有限公司
发明人：佛瑞森傑葛 , 愛爾格亞卡克
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/26 , H01J37/3174 , H01J2237/004 , H01J2237/022 , H01J2237/2809 , H01J2237/2817
摘要：本發明提供一種用來照射樣本(28)之帶電粒子束裝置，該裝置包含一用以提供帶電粒子束(31)的粒子來源(13；14,16)、一用以引導該帶電粒子束至該樣本上的光學裝置(18,20,22,24,26,27)以及一用以減少該樣本之電荷累積及/或污染的臭氧單元。該臭氧單元包含一臭氧供應器(34,35,36)及一樣本噴嘴單元(38)，用以引導一臭氧氣流至該樣本(28)。此外，本發明提供一種用來照射樣本之帶電粒子束裝置，該裝置包含一用以提供帶電粒子束(31)的粒子來源(13；14,16)、一用以引導該帶電粒子束至該樣本上的光學裝置(18,20,22,24,26,27)、一偵測器(30)以及一用以減少該偵測器之電荷累積及/或污染的氣體單元。該氣體單元包含一氣體供應器(34,35,37)及一偵測器噴嘴單元(40)，用以引導一氣流至該偵測器。此外，本發明提供用來操作根據本發明之帶電粒子束裝置的方法。
简体摘要：本发明提供一种用来照射样本(28)之带电粒子束设备，该设备包含一用以提供带电粒子束(31)的粒子来源(13；14,16)、一用以引导该带电粒子束至该样本上的光学设备(18,20,22,24,26,27)以及一用以减少该样本之电荷累积及/或污染的臭氧单元。该臭氧单元包含一臭氧供应器(34,35,36)及一样本喷嘴单元(38)，用以引导一臭氧气流至该样本(28)。此外，本发明提供一种用来照射样本之带电粒子束设备，该设备包含一用以提供带电粒子束(31)的粒子来源(13；14,16)、一用以引导该带电粒子束至该样本上的光学设备(18,20,22,24,26,27)、一侦测器(30)以及一用以减少该侦测器之电荷累积及/或污染的气体单元。该气体单元包含一气体供应器(34,35,37)及一侦测器喷嘴单元(40)，用以引导一气流至该侦测器。此外，本发明提供用来操作根据本发明之带电粒子束设备的方法。

10. 发明专利

TW200926246A 離子束導管 AN ION BEAM GUIDE TUBE 审中-公开
简体标题：离子束导管 AN ION BEAM GUIDE TUBE
公开(公告)号：TW200926246A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097138417
申请日：2008-10-06
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：瑞汀傑佛瑞 RYDING, GEOFFREY , 艾可喬治羅柏特 ALCOTT, GREGORY ROBERT , 史瑞根李 SPRAGGON, LEE , 米契爾羅伯特 MITCHELL, ROBERT , 西爾肯馬汀 HILKENE, MARTIN , 凱瑟馬修 CASTLE, MATTHEW , 法雷馬文 FARLEY, MARVIN
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/16 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
摘要：本發明係涉及一種離子佈植器,且特別是涉及用於離子佈植器中的離子束導管。該導管在該佈植器中位於與待佈植晶圓相鄰的位置。且該導管係主要在佈植期間限制用於晶圓中和的帶電粒子。有利地,導管具有向外逐漸變細的中心內徑,藉此緩解當離子束通過導管時出現射束撞擊的問題。
简体摘要：本发明系涉及一种离子布植器,且特别是涉及用于离子布植器中的离子束导管。该导管在该布植器中位于与待布植晶圆相邻的位置。且该导管系主要在布植期间限制用于晶圆中和的带电粒子。有利地,导管具有向外逐渐变细的中心内径,借此缓解当离子束通过导管时出现射束撞击的问题。

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