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1. 发明专利

TW201234404A 使用光之佈植晶圓後加熱 POST IMPLANT WAFER HEATING USING LIGHT 审中-公开
简体标题：使用光之布植晶圆后加热 POST IMPLANT WAFER HEATING USING LIGHT
公开(公告)号：TW201234404A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100141227
申请日：2011-11-11
申请人：艾克塞利斯科技公司
发明人：李威廉D , 泰戈丹尼爾R , 謝澤仁
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01L21/67213 , H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/24585 , H01L21/67115 , H01L21/67201 , H01L21/67248
摘要：本發明提供一種用於在冷離子植入中之消減凝結的離子佈植系統、方法及設備。一種離子佈植設備經建構以提供離子至放置在處理腔室中之工件。在該工件暴露至複數個離子的過程中,次環境溫度夾具係支撐該工件。該次環境溫度夾具進一步經建構以冷卻該工件至一處理溫度,其中該處理溫度係低於外部環境之露點。一承載腔室使處理腔室之處理環境與外部環境隔離。一光源係在該工件存在於該承載腔室中的同時提供一預定波長的電磁輻射至該工件,其中該預定波長或是波長的範圍與該工件之最大輻射能量吸收範圍有關,其中該光源經建構以選擇性地加熱該工件。
简体摘要：本发明提供一种用于在冷离子植入中之消减凝结的离子布植系统、方法及设备。一种离子布植设备经建构以提供离子至放置在处理腔室中之工件。在该工件暴露至复数个离子的过程中,次环境温度夹具系支撑该工件。该次环境温度夹具进一步经建构以冷却该工件至一处理温度,其中该处理温度系低于外部环境之露点。一承载腔室使处理腔室之处理环境与外部环境隔离。一光源系在该工件存在于该承载腔室中的同时提供一预定波长的电磁辐射至该工件,其中该预定波长或是波长的范围与该工件之最大辐射能量吸收范围有关,其中该光源经建构以选择性地加热该工件。

2. 发明专利

TW201222617A 帶電粒子束用試樣裝置审中-公开
简体标题：带电粒子束用试样设备
公开(公告)号：TW201222617A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100134371
申请日：2011-09-23
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：長久保康平 , 谷垣俊明 , 廣田秀樹 , 伊藤勝治 , 淺川孝之
IPC分类号： H01J , G01N
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/185 , H01J2237/2006 , H01J2237/204 , H01J2237/208
摘要：為了提供容易在FIB和SEM之間以遮斷氛圍的狀態進行試樣的交接之帶電粒子束用試樣裝置。在透過閘體和FIB1或SEM的試樣室(4)連通之試樣交換器(5)中，設置用來裝卸可遮斷大氣之氛圍遮斷試樣保持具(7)的蓋體(9)之氛圍遮斷單元(10)，藉由推進試樣交換棒(11)而使蓋體(9)卸下，僅將試樣保持具(7)配置於試樣室(4)內。氛圍遮斷試樣保持具(7)，在與大氣遮斷之氛圍中、例如真空中搭載試樣後，安裝蓋體(9)而使試樣與外氣遮斷，在此狀態下推進試樣交換棒(11)而能在FIB1或SEM內進行試樣的加工及觀察，又在將試樣交換棒(11)拉出時是藉由氛圍遮斷單元(10)安裝蓋體(9)，而保持試樣與外氣之遮斷狀態。
简体摘要：为了提供容易在FIB和SEM之间以遮断氛围的状态进行试样的交接之带电粒子束用试样设备。在透过闸体和FIB1或SEM的试样室(4)连通之试样交换器(5)中，设置用来装卸可遮断大气之氛围遮断试样保持具(7)的盖体(9)之氛围遮断单元(10)，借由推进试样交换棒(11)而使盖体(9)卸下，仅将试样保持具(7)配置于试样室(4)内。氛围遮断试样保持具(7)，在与大气遮断之氛围中、例如真空中搭载试样后，安装盖体(9)而使试样与外气遮断，在此状态下推进试样交换棒(11)而能在FIB1或SEM内进行试样的加工及观察，又在将试样交换棒(11)拉出时是借由氛围遮断单元(10)安装盖体(9)，而保持试样与外气之遮断状态。

3. 发明专利

TW200917309A 荷電粒子束描繪方法 CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD 审中-公开
简体标题：荷电粒子束描绘方法 CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD
公开(公告)号：TW200917309A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097121785
申请日：2008-06-11
申请人：紐富來科技股份有限公司 NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：砂押仁 SUNAOSHI, HITOSHI
IPC分类号： H01J , H01L
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/185 , H01J37/304 , H01J2237/30455
摘要：本發明之荷電粒子束描繪方法,其特徵為:於描繪裝置內,使用荷電粒子束描繪第1試料,即使於包含上述描繪裝置之搬出口與搬入口之搬送路徑之任一者中配置有第2試料之情形,於描繪上述第1試料之期間不進行上述第2試料的搬送動作,而於上述第1試料之描繪結束後才進行上述第2試料的搬送。
简体摘要：本发明之荷电粒子束描绘方法,其特征为:于描绘设备内,使用荷电粒子束描绘第1试料,即使于包含上述描绘设备之搬出口与搬入口之搬送路径之任一者中配置有第2试料之情形,于描绘上述第1试料之期间不进行上述第2试料的搬送动作,而于上述第1试料之描绘结束后才进行上述第2试料的搬送。

4. 发明专利

TWI597765B 惰性大氣壓預冷及後熱處理有权
简体标题：惰性大气压预冷及后热处理
公开(公告)号：TWI597765B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW102118920
申请日：2013-05-29
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：李威廉D , LEE, WILLIAM D. , 杜魯門史帝夫 , DRUMMOND, STEVE
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/31701

6. 发明专利

TWI417694B 密閉空間之進氣方法、氣體供應裝置及帶電粒子束成像系統有权
简体标题：密闭空间之进气方法、气体供应设备及带电粒子束成像系统
公开(公告)号：TWI417694B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW098145557
申请日：2009-12-29
申请人：漢民微測科技股份有限公司 , HERMES MICROVISION, INC.
发明人：王友金 , WANG, YOU-JIN
IPC分类号： G05D16/02 , G01N23/225
CPC分类号： G05D16/2013 , H01J37/185 , H01J37/28 , H01J2237/006 , H01J2237/182 , H01J2237/184 , H01J2237/186 , Y10T137/0396

7. 发明专利

TWI297167B 檢查裝置,以及檢查方法 INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD 有权
简体标题：检查设备,以及检查方法 INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD
公开(公告)号：TWI297167B
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：TW094128163
申请日：2001-06-27
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
发明人：中筋護 NAKASUJI, MAMORU , 野路伸治 NOJI, NOBUHARU , 佐竹徹 SATAKE, TOHRU , 曾布川拓司 SOBUKAWA, HIROSI , 吉川省二 YOSHIKAWA, SHOJI , 金馬利文 KIMBA, TOSHIFUMI , 狩努 KARIMATA, TSUTOMU , 大和田伸 OOWADA, SHIN , 西藤睦 SAITO, MUTSUMI , 濱島宗樹 HAMASHIMA, MUNEKI , 高木徹 TAKAGI, TORU
IPC分类号： H01J
CPC分类号： G03F7/70616 , G01N23/225 , H01J37/05 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/075 , H01J37/185 , H01J37/20 , H01J37/222 , H01J37/226 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0435 , H01J2237/057 , H01J2237/06316 , H01J2237/082 , H01J2237/202 , H01J2237/20228 , H01J2237/204 , H01J2237/22 , H01J2237/2446 , H01J2237/24485 , H01J2237/24564 , H01J2237/248 , H01J2237/2482 , H01J2237/2806 , H01J2237/2816 , H01J2237/2817
摘要：本發明關於檢查裝置及使用該裝置之半導體裝置的製造方法。本檢查裝置使用於對晶圓等之試件實行缺陷檢查、線幅測定、表面電位測定等。本檢查裝置由一次光學系對試件射入複數之帶電粒子，將試件放出之二次帶電粒子由一次光學系分離，並經由二次光學系導入檢測器。帶電粒子之照射為於移動試件中實行。帶電粒子照射點為依試件移動方向的N行及與其成直角方向之M列配置。帶電粒子照射點之各行為對試件移動方向之直角方向順次以預定量偏移。[本文中之行為/row，列為column]
简体摘要：本发明关于检查设备及使用该设备之半导体设备的制造方法。本检查设备使用于对晶圆等之试件实行缺陷检查、线幅测定、表面电位测定等。本检查设备由一次光学系对试件射入复数之带电粒子，将试件放出之二次带电粒子由一次光学系分离，并经由二次光学系导入检测器。带电粒子之照射为于移动试件中实行。带电粒子照射点为依试件移动方向的N行及与其成直角方向之M列配置。带电粒子照射点之各行为对试件移动方向之直角方向顺次以预定量偏移。[本文中之行为/row，列为column]

8. 发明专利

TW200608097A 大型基材測試系統 LARGE SUBSTRATE TEST SYSTEM 审中-公开
简体标题：大型基材测试系统 LARGE SUBSTRATE TEST SYSTEM
公开(公告)号：TW200608097A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094125181
申请日：2005-07-25
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布魯兒馬提阿斯 BRUNNER, MATTHIAS , 栗田西治 KURITA, SHINICHI , 柏隆格恩溫德爾T BLONIGAN, WENDELL T. , 凱爾博格艾德嘎爾 KEHRBERG, EDGAR
IPC分类号： G02F
CPC分类号： H01J37/185 , G01R31/2886 , H01J2237/204
摘要：本發明提供一種用以測試一或多個大型基材之方法及系統。在一或多個實施例中，該系統包含一測試室，其內部配置有一基材座。該基材座係適於在該測試室中以各種方向移動一基材。更明確地說，該基材座包含一可在一第一方向上移動的第一台座，以及一可在一第二方向上移動的第二台座，其中每一個台座在X方向、Y方向或X和Y兩方向上移動。該系統更包含一負載鎖定室與一傳送室，該負載鎖定室至少部分配置在該測試室下方，以及該傳送室係與該負載鎖定室和該測試室連接。在一或多個實施例中，該傳送室包含一配置於其內部的機械手臂，用以在該負載鎖定室和該測試室之間傳送基材。
简体摘要：本发明提供一种用以测试一或多个大型基材之方法及系统。在一或多个实施例中，该系统包含一测试室，其内部配置有一基材座。该基材座系适于在该测试室中以各种方向移动一基材。更明确地说，该基材座包含一可在一第一方向上移动的第一台座，以及一可在一第二方向上移动的第二台座，其中每一个台座在X方向、Y方向或X和Y两方向上移动。该系统更包含一负载锁定室与一发送室，该负载锁定室至少部分配置在该测试室下方，以及该发送室系与该负载锁定室和该测试室连接。在一或多个实施例中，该发送室包含一配置于其内部的机械手臂，用以在该负载锁定室和该测试室之间发送基材。

9. 发明专利

TW201725602A 高產量之冷卻離子佈植系統及方法审中-公开
简体标题：高产量之冷却离子布植系统及方法
公开(公告)号：TW201725602A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105124712
申请日：2016-08-04
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：胡賽諾維克阿敏 , HUSEINOVIC, ARMIN , 費瑞拉約瑟夫 , FERRARA, JOSEPH , 泰瑞布萊恩 , TERRY, BRIAN
IPC分类号： H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/317 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/31705 , H01L21/26593 , H01L21/67109 , H01L21/67213 , H01L21/6831
摘要：一種離子佈植系統具備具有一處理環境之一處理腔室，及經組態以將離子佈植至由該處理腔室內之一夾盤所支撐之一工件中的一離子佈植裝備。一負載鎖定腔室使該處理(真空)環境與一大氣環境隔離，其中一負載鎖定工件支撐件支撐其中之該工件。一隔離腔室耦接至具有定義於其中之一預佈植冷卻環境的該處理腔室。一隔離閘閥選擇性地使該預佈植冷卻環境與該處理環境隔離，其中該隔離腔室包含用於支撐該工件且使該工件冷卻的一預佈植冷卻工件支撐件。該隔離閘閥為該工件進入及離開該隔離腔室之唯一進入路徑。一加壓氣體選擇性地將該預佈植冷卻環境加壓至大於用於使該工件迅速冷卻之該處理壓力的一預佈植冷卻壓力。一工件轉移臂在該負載鎖定腔室、該隔離腔室與該夾盤之間轉移該工件。一控制器經由對該隔離閘閥、該預佈植冷卻工件支撐件及該加壓氣體源之一控制而控制該工件轉移臂，以選擇性地使該工件在該隔離腔室中在該預佈植冷卻壓力下冷卻至一預佈植冷卻溫度。
简体摘要：一种离子布植系统具备具有一处理环境之一处理腔室，及经组态以将离子布植至由该处理腔室内之一夹盘所支撑之一工件中的一离子布植装备。一负载锁定腔室使该处理(真空)环境与一大气环境隔离，其中一负载锁定工件支撑件支撑其中之该工件。一隔离腔室耦接至具有定义于其中之一预布植冷却环境的该处理腔室。一隔离闸阀选择性地使该预布植冷却环境与该处理环境隔离，其中该隔离腔室包含用于支撑该工件且使该工件冷却的一预布植冷却工件支撑件。该隔离闸阀为该工件进入及离开该隔离腔室之唯一进入路径。一加压气体选择性地将该预布植冷却环境加压至大于用于使该工件迅速冷却之该处理压力的一预布植冷却压力。一工件转移臂在该负载锁定腔室、该隔离腔室与该夹盘之间转移该工件。一控制器经由对该隔离闸阀、该预布植冷却工件支撑件及该加压气体源之一控制而控制该工件转移臂，以选择性地使该工件在该隔离腔室中在该预布植冷却压力下冷却至一预布植冷却温度。

10. 发明专利

TW201241575A 微影系統及在該微影系統內處理基板之方法 LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATES IN SUCH A LITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
简体标题：微影系统及在该微影系统内处理基板之方法 LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATES IN SUCH A LITHOGRAPHY SYSTEM
公开(公告)号：TW201241575A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100146173
申请日：2011-12-14
申请人：瑪波微影IP公司
发明人：迪包爾古伊杜 , 迪將亨卓克傑 , 庫柏芬森特席爾菲斯特 , 史羅特歐文
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/70808 , G03F7/708 , G03F7/70975 , H01J37/16 , H01J37/185 , H01J2237/31774
摘要：本發明關於一種包括複數個微影系統單元的微影系統(300)。每一個微影系統單元都包括：一微影設備(301)，其會被排列在一真空腔室之中，用以圖樣化一基板；一裝載鎖定系統(310)，用以將基板傳輸至該真空腔室裡面與外面；以及一出入口，用以達到進入該真空腔室以進行維修的目的。每一個微影系統單元的裝載鎖定系統與出入口會被提供在相同側並且面向該微影系統某一側的自由區，明確地說，面向維修區(305)。
简体摘要：本发明关于一种包括复数个微影系统单元的微影系统(300)。每一个微影系统单元都包括：一微影设备(301)，其会被排列在一真空腔室之中，用以图样化一基板；一装载锁定系统(310)，用以将基板传输至该真空腔室里面与外面；以及一出入口，用以达到进入该真空腔室以进行维修的目的。每一个微影系统单元的装载锁定系统与出入口会被提供在相同侧并且面向该微影系统某一侧的自由区，明确地说，面向维修区(305)。

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