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1. 发明专利

TW201620020A 包含集成的通風系統的離子佈植機审中-公开
简体标题：包含集成的通风系统的离子布植机
公开(公告)号：TW201620020A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104135822
申请日：2015-10-30
申请人：安特格利斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：歐蘭德W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING , 察伯斯巴瑞盧伊斯 , CHAMBERS, BARRY LEWIS , 畢夏普史帝文E , BISHOP, STEVEN E.
IPC分类号： H01L21/265 , B01D53/74
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/1825 , H01J2237/31701 , H01L21/26513 , H01L21/67253 , H01L22/20
摘要：敘述一種離子佈植系統，包括：離子佈植機，離子佈植機包括殼體，殼體界定封圍容積，在封圍容積中定位有氣體箱，氣體箱係配置來固持一或更多個氣體供應容器，氣體箱係受限式氣體流動連通於在氣體箱外部之封圍容積中的氣體；第一通風組件，第一通風組件係配置來流動通風氣體通過殼體，並且從殼體排出通氣氣體至離子佈植機的周圍環境；第二通風組件，第二通風組件係配置來從氣體箱排出氣體至處理設備，處理設備適於從氣體箱排氣至少部分地移除污染物，或者處理設備適於稀釋氣體箱排氣，以產生已處理的流出氣體，第二通風組件包括可變流量控制裝置與運動流體驅動器，可變流量控制裝置用於調整氣體箱排氣的流率於較低的氣體箱排氣流率與較高的氣體箱排氣流率之間，且運動流體驅動器適於流動氣體箱排氣通過可變流量控制裝置至處理設備；以及監測與控制組件，監測與控制組件係配置來監測該離子佈植機的操作是否發生氣體危險事件，且當發生氣體危險事件時，回應地阻止一或更多個氣體供應容器的氣體分配操作，並且調整可變流量控制裝置至較高的氣體箱排氣流率，使得運動流體驅動器以較高的氣體箱排氣流率來流動氣體箱排氣至處理設備。較佳地，在氣體危險事件中，排放自殼體的殼排氣也終止，以促進殼體內、氣體箱的內部以及外部的所有氣體排出至處理單元。
简体摘要：叙述一种离子布植系统，包括：离子布植机，离子布植机包括壳体，壳体界定封围容积，在封围容积中定位有气体箱，气体箱系配置来固持一或更多个气体供应容器，气体箱系受限式气体流动连通于在气体箱外部之封围容积中的气体；第一通风组件，第一通风组件系配置来流动通风气体通过壳体，并且从壳体排出通气气体至离子布植机的周围环境；第二通风组件，第二通风组件系配置来从气体箱排出气体至处理设备，处理设备适于从气体箱排气至少部分地移除污染物，或者处理设备适于稀释气体箱排气，以产生已处理的流出气体，第二通风组件包括可变流量控制设备与运动流体驱动器，可变流量控制设备用于调整气体箱排气的流率于较低的气体箱排气流率与较高的气体箱排气流率之间，且运动流体驱动器适于流动气体箱排气通过可变流量控制设备至处理设备；以及监测与控制组件，监测与控制组件系配置来监测该离子布植机的操作是否发生气体危险事件，且当发生气体危险事件时，回应地阻止一或更多个气体供应容器的气体分配操作，并且调整可变流量控制设备至较高的气体箱排气流率，使得运动流体驱动器以较高的气体箱排气流率来流动气体箱排气至处理设备。较佳地，在气体危险事件中，排放自壳体的壳排气也终止，以促进壳体内、气体箱的内部以及外部的所有气体排出至处理单元。

2. 发明专利

TWI567775B 離子植入系統及其操作方法有权
简体标题：离子植入系统及其操作方法
公开(公告)号：TWI567775B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103120759
申请日：2009-08-13
申请人：安特格利斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22

3. 发明专利

TW201609542A 富含同位素的含硼化合物及其製造和使用方法审中-公开
简体标题：富含同位素的含硼化合物及其制造和使用方法
公开(公告)号：TW201609542A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104137028
申请日：2011-08-18
申请人：安特格利斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：肯恩羅伯 , KAIM, ROBERT , 史溫尼約瑟夫D , SWEENEY, JOSEPH D. , 帛爾歐雷格 , BYL, OLEG , 葉達夫夏拉德N , YEDAVE, SHARAD N. , 瓊斯愛德華E , JONES, EDWARD E. , 周平 , ZOU, PENG , 唐瀛 , TANG, YING , 錢柏斯巴瑞路易斯 , CHAMBERS, BARRY LEWIS , 瑞理查S , RAY, RICHARD S.
IPC分类号： C01B35/06
CPC分类号： C01B35/061 , C01P2006/88 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01J2237/31701 , Y02P20/134
摘要：本發明提供一種富含同位素的含硼化合物，該富含同位素的含硼化合物包含兩個或兩個以上硼原子及至少一個氟原子，其中至少一個硼原子含有所要的硼同位素，該同位素之濃度或比率大於該同位素之天然豐度濃度或比率。該化合物可具有化學式B2F4。本發明描述此類化合物的合成方法及使用此類化合物的離子植入方法，以及儲存及分配容器，在該等儲存及分配容器中有利地含有該富含同位素的含硼化合物，以用於後續之分配使用。
简体摘要：本发明提供一种富含同位素的含硼化合物，该富含同位素的含硼化合物包含两个或两个以上硼原子及至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所要的硼同位素，该同位素之浓度或比率大于该同位素之天然丰度浓度或比率。该化合物可具有化学式B2F4。本发明描述此类化合物的合成方法及使用此类化合物的离子植入方法，以及存储及分配容器，在该等存储及分配容器中有利地含有该富含同位素的含硼化合物，以用于后续之分配使用。

4. 发明专利

TW201523764A 化學試劑的遠端輸送审中-公开
简体标题：化学试剂的远程输送
公开(公告)号：TW201523764A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103125136
申请日：2014-07-22
申请人：安特格利斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：史溫尼約瑟夫D , SWEENEY, JOSEPH D. , 瓊斯愛德華E , JONES, EDWARD E. , 帛爾歐雷格 , BYL, OLEG , 唐瀛 , TANG, YING , 迪斯彼喬瑟夫R , DESPRES, JOSEPH R. , 畢夏普史帝文E , BISHOP, STEVEN E.
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01J2237/24564 , H01J2237/3365
摘要：本發明描述用於流體之遠端輸送的流體儲存與分配系統及方法，以便將流體自較低電壓下的源容器提供至較高電壓下的一或更多個利用流體的工具，使得流體跨越關聯電壓間隙而沒有電弧、放電、過早遊離或其他異常行為，及使得當由遠端源容器供應多個利用流體的工具時，在獨立操作多個容器中之其他者期間於適宜壓力水平下將流體有效率地供應至多個工具中之各者。
简体摘要：本发明描述用于流体之远程输送的流体存储与分配系统及方法，以便将流体自较低电压下的源容器提供至较高电压下的一或更多个利用流体的工具，使得流体跨越关联电压间隙而没有电弧、放电、过早游离或其他异常行为，及使得当由远程源容器供应多个利用流体的工具时，在独立操作多个容器中之其他者期间于适宜压力水平下将流体有效率地供应至多个工具中之各者。

5. 发明专利

TWI513658B 富含同位素的含硼化合物及其製造和使用方法有权
简体标题：富含同位素的含硼化合物及其制造和使用方法
公开(公告)号：TWI513658B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW103126445
申请日：2011-08-18
申请人：美商‧安特格利斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：肯恩羅伯 , KAIM, ROBERT , 史溫尼約瑟夫D , SWEENEY, JOSEPH D. , 帛爾歐雷格 , BYL, OLEG , 葉達夫夏拉德N , YEDAVE, SHARAD N. , 瓊斯愛德華E , JONES, EDWARD E. , 周平 , ZOU, PENG , 唐瀛 , TANG, YING , 錢柏斯巴瑞路易斯 , CHAMBERS, BARRY LEWIS , 瑞理查S , RAY, RICHARD S.
IPC分类号： C01B35/06 , H01L21/265
CPC分类号： C01B35/061 , C01P2006/88 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01J2237/31701 , Y02P20/134

6. 发明专利

TWI513657B 富含同位素的含硼化合物及其製造和使用方法有权
简体标题：富含同位素的含硼化合物及其制造和使用方法
公开(公告)号：TWI513657B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW100129581
申请日：2011-08-18
申请人：美商‧安特格利斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：肯恩羅伯 , KAIM, ROBERT , 史溫尼約瑟夫D , SWEENEY, JOSEPH D. , 帛爾歐雷格 , BYL, OLEG , 葉達夫夏拉德N , YEDAVE, SHARAD N. , 瓊斯愛德華E , JONES, EDWARD E. , 周平 , ZOU, PENG , 唐瀛 , TANG, YING , 錢柏斯巴瑞路易斯 , CHAMBERS, BARRY LEWIS , 瑞理查S , RAY, RICHARD S.
IPC分类号： C01B35/06
CPC分类号： C01B35/061 , C01P2006/88 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01J2237/31701 , Y02P20/134

7. 发明专利

TW201621985A 利用增強源技術的磷或砷離子佈植审中-公开
简体标题：利用增强源技术的磷或砷离子布植
公开(公告)号：TW201621985A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104128839
申请日：2015-09-01
申请人：安特格利斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：帛爾歐雷格 , BYL, OLEG , 葉達夫夏拉德N , YEDAVE, SHARAD N. , 史維尼約瑟夫D , SWEENEY, JOSEPH D. , 察伯斯巴瑞盧伊斯 , CHAMBERS, BARRY LEWIS , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2658 , H01J37/08 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L31/18
摘要：描述了使用固體摻雜劑磷和砷源和較高階磷或砷佈植源材料的設備和方法。在各種實施方式中，在離子源腔室中提供固體含磷或含砷材料，用於產生二聚物或四聚物佈植物種。在其他實施方式中，藉由使用用於分解氣態含磷或含砷材料的反應器來形成用於離子佈植的氣相二聚物和四聚物而增強離子佈植。
简体摘要：描述了使用固体掺杂剂磷和砷源和较高级磷或砷布植源材料的设备和方法。在各种实施方式中，在离子源腔室中提供固体含磷或含砷材料，用于产生二聚物或四聚物布植物种。在其他实施方式中，借由使用用于分解气态含磷或含砷材料的反应器来形成用于离子布植的气相二聚物和四聚物而增强离子布植。

8. 发明专利

TWI653669B 離子植入組成、系統及方法有权
简体标题：离子植入组成、系统及方法
公开(公告)号：TWI653669B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW103107470
申请日：2014-03-05
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：帛爾歐雷格 , BYL, OLEG , 史溫尼約瑟夫D , SWEENEY, JOSEPH D. , 唐瀛 , TANG, YING , 瑞理查S , RAY, RICHARD S.
IPC分类号： H01L21/265

9. 发明专利

TW201805240A 氫化且富含三氟化硼同位素之摻雜劑來源之氣體組合物审中-公开
简体标题：氢化且富含三氟化硼同位素之掺杂剂来源之气体组合物
公开(公告)号：TW201805240A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106110395
申请日：2017-03-28
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：唐瀛 , TANG, YING , 史溫尼約瑟夫 D , SWEENEY, JOSEPH D. , 畢夏普史帝文 E , BISHOP, STEVEN E. , 葉達夫夏拉德 N , YEDAVE, SHARAD N. , 帛爾歐雷格 , BYL, OLEG
IPC分类号： C01B35/06 , H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： C01B35/061 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J2237/006 , H01J2237/0206 , H01J2237/022
摘要：本發明係關於一種氫化且富含三氟化硼(BF3)同位素之摻雜劑來源氣體組合物。該組合物含有(i)三氟化硼，其富含高於天然豐度之同位素原子質量11之硼(11B)及(ii)氫氣，以該組合物中三氟化硼及氫氣之總體積計，該氫氣之量係2至6.99體積%。亦描述使用該摻雜劑來源氣體組合物之方法，及其對應的相關裝置。
简体摘要：本发明系关于一种氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素之掺杂剂来源气体组合物。该组合物含有(i)三氟化硼，其富含高于天然丰度之同位素原子质量11之硼(11B)及(ii)氢气，以该组合物中三氟化硼及氢气之总体积计，该氢气之量系2至6.99体积%。亦描述使用该掺杂剂来源气体组合物之方法，及其对应的相关设备。

10. 发明专利

TW201802888A 於氮離子植入中改善離子源效能的氟化組合物审中-公开
简体标题：于氮离子植入中改善离子源性能的氟化组合物
公开(公告)号：TW201802888A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106115760
申请日：2017-05-12
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：察伯斯巴瑞盧伊斯 , CHAMBERS, BARRY LEWIS , 田秉才 , TIEN, GIING-TSAIR , 史維尼約瑟夫 D , SWEENEY, JOSEPH D. , 唐瀛 , TANG, YING , 帛爾歐雷格 , BYL, OLEG , 畢夏普史帝文 E , BISHOP, STEVEN E. , 葉達夫夏拉德 N , YEDAVE, SHARAD N.
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , C09D1/00 , C09D5/24 , H01J37/026 , H01J37/3244 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01L21/265 , H01L21/67213
摘要：本發明闡述用於實施氮離子植入之組合物、方法及裝置，其在該氮離子植入後進行易於故障之另一離子植入操作、例如植入砷及/或磷離子物質時避免發生嚴重故障。該氮離子植入操作有利地利用引入離子植入系統之離子源室或在該離子源室中形成之氮離子植入組合物實施，其中該氮離子植入組合物包括氮(N2)摻雜劑氣體及故障抑制氣體，該故障抑制氣體包括一或多種選自由以下組成之群之氣體：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4及CxFy(x≥1、y≥1)通式之其他氟化烴、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4及O3，以及視情況含氫氣體，例如包括一或多種選自由以下組成之群之氣體之含氫氣體：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4及CxHy(x≥1、y≥1)通式之其他烴及GeH4。
简体摘要：本发明阐述用于实施氮离子植入之组合物、方法及设备，其在该氮离子植入后进行易于故障之另一离子植入操作、例如植入砷及/或磷离子物质时避免发生严重故障。该氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统之离子源室或在该离子源室中形成之氮离子植入组合物实施，其中该氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体及故障抑制气体，该故障抑制气体包括一或多种选自由以下组成之群之气体：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4及CxFy(x≥1、y≥1)通式之其他氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4及O3，以及视情况含氢气体，例如包括一或多种选自由以下组成之群之气体之含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4及CxHy(x≥1、y≥1)通式之其他烃及GeH4。

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