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1. 发明专利

TW521295B 離子佈植之離子源、系統和方法失效
简体标题：离子布植之离子源、系统和方法
公开(公告)号：TW521295B
公开(公告)日：2003-02-21
申请号：TW089126562
申请日：2000-12-13
申请人：森姆配備公司
发明人：湯瑪斯尼爾赫爾斯基
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J27/205 , H01J37/08 , H01J2237/047 , H01J2237/049 , H01J2237/063 , H01J2237/0812 , H01J2237/0815 , H01J2237/082 , H01J2237/083 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703 , H01J2237/31705 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/823814
摘要：離子佈植系統用的離子源1和離子佈植的方法應用可控制的寬廣、方向性的電子光束32，以在CMOS製造等中，由主要電子衝擊使如十硼十四氫的處理氣體或蒸氣在離子化容積16中離子化。經由高傳導路徑連通至離子化室的可控制低溫蒸發器2、28使供給材料的控制相對平順，使數種新穎的氫化物、含有二聚體的化合物以及其他溫度靈敏材料的使用成為可能。用以製造具能量的電子光束的電子槍12、33、34(第4B圖等)和具能量的光束指向的光束門11的隔離，以及利用熱傳導構件和冷卻離子化室5用的氣體傳導和控制蒸發器2、28的溫度，使利用具有如十硼十四氫等的大分子種類和其他溫度敏感分子的系統成為可能。電子光學系統，特別是多元件電子變焦鏡片系統(第10圖)，以及加速-減速排列(第18圖)便利電子從放射面抽取、以及電子的能量的修改、以及光述的尺寸和形狀，以有效地使位於抽取開口37鄰近的蒸氣或氣體的想要容積離子化。元件的尺寸和結構排列可翻新修改進入在現存的離子佈植系統中的離子源的其他形式佔據的容積60。應用可建構的轉換器(第16A圖)、利用此系統的相同控制界面，使離子佈植系統的現存設計的表現產生引人注目的改進。可拆裝且可代替的離子化室和蒸發器和其坩堝以及許多其他重要的特點，實現在構造、操作和保養上是合算的。數個材料的可用性並不被認為作為在這以前已被發現的離子源，包括Sb2O5、SbBr3、SbCl3、As2O3、P2O5、氫氧化銦、 In2(SO4)3 x H2O。可實現非常淺佈植的值得製造的操作的達成。
简体摘要：离子布植系统用的离子源1和离子布植的方法应用可控制的宽广、方向性的电子光束32，以在CMOS制造等中，由主要电子冲击使如十硼十四氢的处理气体或蒸气在离子化容积16中离子化。经由高传导路径连通至离子化室的可控制低温蒸发器2、28使供给材料的控制相对平顺，使数种新颖的氢化物、含有二聚体的化合物以及其他温度灵敏材料的使用成为可能。用以制造具能量的电子光束的电子枪12、33、34(第4B图等)和具能量的光束指向的光束门11的隔离，以及利用热传导构件和冷却离子化室5用的气体传导和控制蒸发器2、28的温度，使利用具有如十硼十四氢等的大分子种类和其他温度敏感分子的系统成为可能。电子光学系统，特别是多组件电子变焦镜片系统(第10图)，以及加速-减速排列(第18图)便利电子从放射面抽取、以及电子的能量的修改、以及光述的尺寸和形状，以有效地使位于抽取开口37邻近的蒸气或气体的想要容积离子化。组件的尺寸和结构排列可翻新修改进入在现存的离子布植系统中的离子源的其他形式占据的容积60。应用可建构的转换器(第16A图)、利用此系统的相同控制界面，使离子布植系统的现存设计的表现产生引人注目的改进。可拆装且可代替的离子化室和蒸发器和其坩埚以及许多其他重要的特点，实现在构造、操作和保养上是合算的。数个材料的可用性并不被认为作为在这以前已被发现的离子源，包括Sb2O5、SbBr3、SbCl3、As2O3、P2O5、氢氧化铟、 In2(SO4)3 x H2O。可实现非常浅布植的值得制造的操作的达成。

2. 发明专利

TW201415013A 荷電粒子線裝置审中-公开
简体标题：荷电粒子线设备
公开(公告)号：TW201415013A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102122951
申请日：2013-06-27
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：坂直磨 , BAN, NAOMA , 小原健二 , OBARA, KENJI , 平井大博 , HIRAI, TAKEHIRO
IPC分类号： G01N23/225
CPC分类号： H01J37/222 , H01J37/04 , H01J37/261 , H01J2237/049 , H01J2237/063 , H01J2237/221 , H01J2237/2448 , H01J2237/24585 , H01J2237/24592 , H01J2237/2602 , H01J2237/2803 , H01J2237/2817 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：用以特定晶粒缺陷之以往技術的CMP法是在晶圓全體的檢查需要時間且完全的破壞。並且，探針測試法是無法由電阻值來推測孔隙(void)的有無，有關配線中的孔隙發生處或其大小是無法得知，最終微細的孔隙或配線內部的孔隙的檢測是必須加工成可在FIB觀察配線剖面，於SEM或TEM觀察。其解決手段是對於試料的同處以複數的加速電壓來照射電子線，根據分別對應於複數的加速電壓而取得的複數個畫像之同處的對比變化量來區別晶粒及孔隙。
简体摘要：用以特定晶粒缺陷之以往技术的CMP法是在晶圆全体的检查需要时间且完全的破坏。并且，探针测试法是无法由电阻值来推测孔隙(void)的有无，有关配线中的孔隙发生处或其大小是无法得知，最终微细的孔隙或配线内部的孔隙的检测是必须加工成可在FIB观察配线剖面，于SEM或TEM观察。其解决手段是对于试料的同处以复数的加速电压来照射电子线，根据分别对应于复数的加速电压而取得的复数个画像之同处的对比变化量来区别晶粒及孔隙。

3. 发明专利

TW201027586A 用於離子佈植的可調整偏折光學組件 ADJUSTABLE DEFLECTION OPTICS FOR ION IMPLANTATION 审中-公开
简体标题：用于离子布植的可调整偏折光学组件 ADJUSTABLE DEFLECTION OPTICS FOR ION IMPLANTATION
公开(公告)号：TW201027586A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098131340
申请日：2009-09-17
申请人：艾克塞利斯科技公司
发明人：葛瑞夫麥可 , 梵德伯格寶 , 艾斯能愛德華
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/049 , H01J2237/12
摘要：一種適用於離子佈植系統之偏折構件包含:多個電極,其可選擇性偏壓以致使通過於其之離子束彎曲、偏折、聚焦、會聚、發散、加速、減速及/或去污染。由於該等電極為可選擇性偏壓,且因此其一或多者是可維持未偏壓或斷電,束路徑的有效長度是可如所期望而選擇性調整(例如:基於諸如能量、劑量、物種等等之束性質)。
简体摘要：一种适用于离子布植系统之偏折构件包含:多个电极,其可选择性偏压以致使通过于其之离子束弯曲、偏折、聚焦、会聚、发散、加速、减速及/或去污染。由于该等电极为可选择性偏压,且因此其一或多者是可维持未偏压或断电,束路径的有效长度是可如所期望而选择性调整(例如:基于诸如能量、剂量、物种等等之束性质)。

4. 发明专利

TW201714678A 離子植入系統以及原位電漿清洗方法审中-公开
简体标题：离子植入系统以及原位等离子清洗方法
公开(公告)号：TW201714678A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105115667
申请日：2016-05-20
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：安葛林凱文 , ANGLIN, KEVIN , 李威廉戴維斯 , LEE, WILLIAM DAVIS , 庫魯尼西彼得 , KURUNCZI, PETER , 道尼里安 , DOWNEY, RYAN , 舒爾傑 T‧ , SCHEUER, JAY T. , 利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE , 賀伯威廉 M‧ , HOLBER, WILLIAM M.
IPC分类号： B08B7/00 , H01J37/24 , H01J37/317 , H01J37/34
CPC分类号： H01J37/3171 , B08B7/0035 , H01J37/241 , H01J37/32862 , H01J37/3467 , H01J2237/022 , H01J2237/04756 , H01J2237/049 , H01J2237/057 , H01J2237/334 , H01J2237/335
摘要：本文中所提供爲用於離子植入系統的一或多個構件的原位電漿清洗的方法。在一個方法中，所述構件可包含具有一或多個傳導性束光學器件的束線構件。系統更包含電力供應器，其用於在處理模式期間將第一電壓和第一電流供應到構件且在清洗模式期間將第二電壓和第二電流供應到構件。第二電壓和電流可並聯地施加到構件的傳導性束光學器件以選擇性地（例如，個別地）在一或多個傳導性束光學器件中的一或多者周圍產生電漿。系統可更包含用於調整供應到構件的蝕刻劑氣體的注入速率的流量控制器，和用於調整構件的環境的壓力的真空泵。
简体摘要：本文中所提供为用于离子植入系统的一或多个构件的原位等离子清洗的方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性束光学器件的束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性束光学器件以选择性地（例如，个别地）在一或多个传导性束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。

5. 发明专利

TWI486992B 離子佈植系統、用於其中的一束線中的電氣偏折裝置及佈植離子之方法有权
简体标题：离子布植系统、用于其中的一束线中的电气偏折设备及布植离子之方法
公开(公告)号：TWI486992B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW098131340
申请日：2009-09-17
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：葛瑞夫麥可 , GRAF, MIKE , 梵德伯格寶 , VANDERBERG, BO , 艾斯能愛德華 , EISNER, EDWARD
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/04
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/049 , H01J2237/12

6. 发明专利

TW201250761A 具有動態射束成形的經改良均勻度控制之方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVED UNIFORMITY CONTROL WITH DYNAMIC BEAM SHAPING 审中-公开
简体标题：具有动态射束成形的经改良均匀度控制之方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVED UNIFORMITY CONTROL WITH DYNAMIC BEAM SHAPING
公开(公告)号：TW201250761A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101111649
申请日：2012-03-30
申请人：艾克塞利斯科技公司
发明人：艾斯能愛德華
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J3/14 , G21K5/10 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/049 , H01J2237/30477 , H01J2237/30483
摘要：本揭示係關於一種用於在一離子射束掃描於一工件的表面上之時,變化該離子射束的橫截面形狀之方法與設備,以產生一時均的離子射束,其具有經改良離子射束電流輪廓均勻度。在一實施例中,該離子射束的橫截面形狀係隨著該離子射束跨越該工件的表面移動而變化。該離子射束的橫截面形狀分別具有不同的射束輪廓(例如,沿著該射束輪廓在不同的場所具有峰値),以至於迅速地改變該離子射束的橫截面形狀會造成被暴露到該工件的射束電流輪廓平滑(例如,相關於個別射束輪廓的峰値會減少)。造成的平滑射束電流輪廓會提供該射束電流經改良均勻度以及經改良工件劑量均勻度。
简体摘要：本揭示系关于一种用于在一离子射束扫描于一工件的表面上之时,变化该离子射束的横截面形状之方法与设备,以产生一时均的离子射束,其具有经改良离子射束电流轮廓均匀度。在一实施例中,该离子射束的横截面形状系随着该离子射束跨越该工件的表面移动而变化。该离子射束的横截面形状分别具有不同的射束轮廓(例如,沿着该射束轮廓在不同的场所具有峰値),以至于迅速地改变该离子射束的横截面形状会造成被暴露到该工件的射束电流轮廓平滑(例如,相关于个别射束轮廓的峰値会减少)。造成的平滑射束电流轮廓会提供该射束电流经改良均匀度以及经改良工件剂量均匀度。

7. 发明专利

TW201248672A 帶電粒子束裝置之單色器 MONOCHROMATOR FOR CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS 审中-公开
简体标题：带电粒子束设备之单色器 MONOCHROMATOR FOR CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS
公开(公告)号：TW201248672A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101118079
申请日：2012-05-21
申请人：漢民微測科技股份有限公司
发明人：任偉明 , 陳仲瑋
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/28 , G21K1/093 , H01J37/05 , H01J2237/049 , H01J2237/057 , H01J2237/153
摘要：本發明提供一種可減少帶電粒子裝置中一主帶電粒子束之能量散佈的單色器,單色器包含一粒子束調整元件、二個Wien過濾器形式的分散單元與一能量限制孔徑。在單色器中,形成折射散佈與沿光軸的基本軌跡的雙對稱性,不但根本上避免引發實際上無法補償的離軸像差,同時也可確保離開的粒子束在單色器內具有一共焦、無分散的虛擬交叉。因此,在掃描式電子顯微鏡中使用單色器可以減少色散像差而不會引起不良的影響,以提高最終成像解析度。成像解析度的改進對於基於低電壓掃描式電子顯微鏡原理的低電壓掃描式電子顯微鏡及相關裝置而言更加明顯,例如半導體良率管理的缺陷檢測與缺陷檢視。本發明同時提供了兩種將一單色器整合到一掃描式電子顯微鏡的方法,其一是將一單色器置於電子源與聚光鏡之間,而另一種方法是將一單色器置於粒子束限制孔徑與物鏡之間。前者提供一額外能量角度過濾,並獲得一個較小的有效能量散佈。
简体摘要：本发明提供一种可减少带电粒子设备中一主带电粒子束之能量散布的单色器,单色器包含一粒子束调整组件、二个Wien过滤器形式的分散单元与一能量限制孔径。在单色器中,形成折射散布与沿光轴的基本轨迹的双对称性,不但根本上避免引发实际上无法补偿的离轴像差,同时也可确保离开的粒子束在单色器内具有一共焦、无分散的虚拟交叉。因此,在扫描式电子显微镜中使用单色器可以减少色散像差而不会引起不良的影响,以提高最终成像分辨率。成像分辨率的改进对于基于低电压扫描式电子显微镜原理的低电压扫描式电子显微镜及相关设备而言更加明显,例如半导体良率管理的缺陷检测与缺陷视图。本发明同时提供了两种将一单色器集成到一扫描式电子显微镜的方法,其一是将一单色器置于电子源与聚光镜之间,而另一种方法是将一单色器置于粒子束限制孔径与物镜之间。前者提供一额外能量角度过滤,并获得一个较小的有性能量散布。

8. 发明专利

TWI585809B 具有動態射束成形的經改良均勻度控制之方法與設備有权
简体标题：具有动态射束成形的经改良均匀度控制之方法与设备
公开(公告)号：TWI585809B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW101111649
申请日：2012-03-30
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：艾斯能愛德華 , EISNER, EDWARD
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/21
CPC分类号： H01J3/14 , G21K5/10 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/049 , H01J2237/30477 , H01J2237/30483

9. 发明专利

TWI484169B 荷電粒子線裝置有权
简体标题：荷电粒子线设备
公开(公告)号：TWI484169B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW102122951
申请日：2013-06-27
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：坂直磨 , BAN, NAOMA , 小原健二 , OBARA, KENJI , 平井大博 , HIRAI, TAKEHIRO
IPC分类号： G01N23/225
CPC分类号： H01J37/222 , H01J37/04 , H01J37/261 , H01J2237/049 , H01J2237/063 , H01J2237/221 , H01J2237/2448 , H01J2237/24585 , H01J2237/24592 , H01J2237/2602 , H01J2237/2803 , H01J2237/2817 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

10. 发明专利

TWI450306B 帶電粒子束裝置之單色器有权
简体标题：带电粒子束设备之单色器
公开(公告)号：TWI450306B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW101118079
申请日：2012-05-21
申请人：漢民微測科技股份有限公司 , HERMES MICROVISION INC.
发明人：任偉明 , REN, WEIMING , 陳仲瑋 , CHEN, ZHONGWEI
IPC分类号： H01J37/153 , H01J37/05 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/28 , G21K1/093 , H01J37/05 , H01J2237/049 , H01J2237/057 , H01J2237/153

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