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1. 发明专利

TW201802860A 處理設備及處理襯底的方法审中-公开
简体标题：处理设备及处理衬底的方法
公开(公告)号：TW201802860A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106109286
申请日：2017-03-21
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：拜洛科斯特爾 , BILOIU, COSTEL , 盧比克皮爾 , LUBICKI, PIOTR , 洛克威爾泰勒 , ROCKWELL, TYLER , 坎貝爾克里斯多夫 , CAMPBELL, CHRISTOPHER , 辛維克拉姆 , SINGH, VIKRAM , 丹尼爾斯凱文 M. , DANIELS, KEVIN M. , 赫爾特理查德 J. , HERTEL, RICHARD J. , 庫魯尼西彼得 F. , KURUNCZI, PETER F. , 利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/3244
摘要：本發明提供一種處理設備，所述處理設備可以包含:電漿腔室，以容納電漿並且具有包括電絕緣體的主體部分；提取板，其沿著電漿腔室的提取側安置，所述提取板是導電的並且具有提取孔隙；襯底平臺，其安置在電漿腔室的外部並且鄰近提取孔隙，所述襯底平臺在接地電勢處；以及射頻產生器，其電耦合到所述提取板，當電漿存在於電漿腔室中時所述射頻產生器相對於接地電勢在提取板處建立正直流自身偏置電壓。
简体摘要：本发明提供一种处理设备，所述处理设备可以包含:等离子腔室，以容纳等离子并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，其沿着等离子腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，其安置在等离子腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台在接地电势处；以及射频产生器，其电耦合到所述提取板，当等离子存在于等离子腔室中时所述射频产生器相对于接地电势在提取板处创建正直流自身偏置电压。

2. 发明专利

TWI700725B 電漿處理設備有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI700725B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105109207
申请日：2016-03-24
申请人：美商瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE , 瑞都凡諾史費特那B. , RADOVANOV, SVETLANA B. , 李威廉戴維斯 , LEE, WILLIAM DAVIS
IPC分类号： H01J37/32 , H01J7/24

3. 发明专利

TWI695080B 多層沉積處理裝置有权
简体标题：多层沉积处理设备
公开(公告)号：TWI695080B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105114373
申请日：2016-05-10
申请人：美商瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE , 李威廉戴維斯 , LEE, WILLIAM DAVIS , 瑞都凡諾史費特那 B‧ , RADOVANOV, SVETLANA B.
IPC分类号： C23C14/46 , C23C14/34

4. 发明专利

TW201828326A 萃取離子束的裝置审中-公开
简体标题：萃取离子束的设备
公开(公告)号：TW201828326A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106141426
申请日：2017-11-28
申请人：美商瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE
IPC分类号： H01J49/02 , H01J49/26
摘要：一種能夠不使用質量分析器磁體便從所萃取的離子束過濾出不需要的種類的裝置。所述裝置包括具有腔室壁的離子源，由射頻電壓對所述腔室壁施加偏壓。利用射頻萃取會使離子以不同的能量離開離子源，其中每一離子種類的能量與此離子種類的質量相關。然後可只使用靜電能量過濾器來過濾所萃取的離子束以除去不需要的種類。靜電能量過濾器可充當高通過濾器，以使能量高於某一閾值的離子到達工件。作為另一選擇，靜電能量過濾器可充當低通過濾器，以使能量低於某一閾值的離子到達工件。在另一實施例中，靜電能量過濾器用作帶通過濾器。
简体摘要：一种能够不使用质量分析器磁体便从所萃取的离子束过滤出不需要的种类的设备。所述设备包括具有腔室壁的离子源，由射频电压对所述腔室壁施加偏压。利用射频萃取会使离子以不同的能量离开离子源，其中每一离子种类的能量与此离子种类的质量相关。然后可只使用静电能量过滤器来过滤所萃取的离子束以除去不需要的种类。静电能量过滤器可充当高通过滤器，以使能量高于某一阈值的离子到达工件。作为另一选择，静电能量过滤器可充当低通过滤器，以使能量低于某一阈值的离子到达工件。在另一实施例中，静电能量过滤器用作带通过滤器。

5. 发明专利

TW201705187A 電漿處理設備审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201705187A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105109207
申请日：2016-03-24
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE , 瑞都凡諾史費特那B. , RADOVANOV, SVETLANA B. , 李威廉戴維斯 , LEE, WILLIAM DAVIS
IPC分类号： H01J37/32 , H01J7/24
CPC分类号： H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32697
摘要：本發明公開了一種用於形成植入到基底中用的傾角離子束的設備。所述設備包含形成電漿的電漿室。提取孔口包含多個可旋轉板。通過由多個可旋轉板界定的孔口提取離子細束。這些板的旋轉程度決定了提取離子束的提取角。這些板可以形成為多種不同的形狀，這樣可以增大可實現的最大提取角。另外，電極可以安置在板附近以影響提取角。
简体摘要：本发明公开了一种用于形成植入到基底中用的倾角离子束的设备。所述设备包含形成等离子的等离子室。提取孔口包含多个可旋转板。通过由多个可旋转板界定的孔口提取离子细束。这些板的旋转程度决定了提取离子束的提取角。这些板可以形成为多种不同的形状，这样可以增大可实现的最大提取角。另外，电极可以安置在板附近以影响提取角。

6. 发明专利

TW201822244A 工作處理裝置、平台與處理工作的方法审中-公开
简体标题：工作处理设备、平台与处理工作的方法
公开(公告)号：TW201822244A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106129082
申请日：2017-08-28
申请人：美商瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE , 彼特森莫林 , PETTERSON, MAUREEN , 哈塔拉約翰 , HAUTALA, JOHN , 雷諾安東尼 , RENAU, ANTHONY , 羅蘭德克里斯多福 A. , ROWLAND, CHRISTOPHER A. , 拜洛科斯特爾 , BILOIU, COSTEL
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本揭露提供一種工件處理裝置，可單獨控制施加於遮蔽環與工件的電壓。工件處理裝置包括平台。平台包括介電材料，其上設置有工件。偏壓電極設置於介電材料下方。遮蔽環由金屬、陶瓷、半導體或介電材料構成，圍繞工件的周圍排列。環形電極設置於遮蔽環下方。環形電極與偏壓電極可分別被供電。這使得遮蔽環的表面電壓與工件的表面電壓相匹配，使電漿鞘變為平坦。除此之外，施加於遮蔽環的電壓可不同於施加於工件的電壓，以補償幾何結構錯配。如此可改進沿著工件外緣的入射角的均勻度。
简体摘要：本揭露提供一种工件处理设备，可单独控制施加于屏蔽环与工件的电压。工件处理设备包括平台。平台包括介电材料，其上设置有工件。偏压电极设置于介电材料下方。屏蔽环由金属、陶瓷、半导体或介电材料构成，围绕工件的周围排列。环形电极设置于屏蔽环下方。环形电极与偏压电极可分别被供电。这使得屏蔽环的表面电压与工件的表面电压相匹配，使等离子鞘变为平坦。除此之外，施加于屏蔽环的电压可不同于施加于工件的电压，以补偿几何结构错配。如此可改进沿着工件外缘的入射角的均匀度。

7. 发明专利

TW201737287A 離子束裝置中汙染控制的裝置和方法审中-公开
简体标题：离子束设备中污染控制的设备和方法
公开(公告)号：TW201737287A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106101462
申请日：2017-01-17
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE , 舒爾傑 T. , SCHEUER, JAY T. , 李威廉戴維斯 , LEE, WILLIAM DAVIS
IPC分类号： H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/151
摘要：一種裝置可包含產生離子束的離子源，所述離子源耦合到第一電壓。裝置可進一步包含：停止元件，其安置於離子源與襯底位置之間；停止電壓供應器，其耦合到停止元件；以及控制元組件，其用於引導停止電壓供應器以將停止電壓施加到停止元件，當離子束包括正離子時，停止電壓等於第一電壓或比第一電壓更加偏正，且當離子束包括負離子時，停止電壓等於第一電壓或比第一電壓更加偏負，其中當將停止電壓施加到停止元件時，離子束的至少一部分從初始軌跡向後經偏轉為經偏轉的離子。
简体摘要：一种设备可包含产生离子束的离子源，所述离子源耦合到第一电压。设备可进一步包含：停止组件，其安置于离子源与衬底位置之间；停止电压供应器，其耦合到停止组件；以及控制元组件，其用于引导停止电压供应器以将停止电压施加到停止组件，当离子束包括正离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏正，且当离子束包括负离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏负，其中当将停止电压施加到停止组件时，离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。

8. 发明专利

TW201703863A 控制粒子軌跡的系統及方法與靜電過濾器审中-公开
简体标题：控制粒子轨迹的系统及方法与静电过滤器
公开(公告)号：TW201703863A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105122688
申请日：2016-07-19
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：李威廉戴維斯 , LEE, WILLIAM DAVIS , 利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE
IPC分类号： B03C3/38 , B03C3/66
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/028
摘要：本文提供了用於從束線靜電元件控制粒子軌跡的方法。在示範性方法中，沿著靜電過濾器(EF)的束線安置束線靜電元件，並將電壓供應到束線靜電元件上以產生圍繞束線靜電元件的靜電場，從而攪動在束線靜電元件上形成的汙染粒子層。然後，修改來自汙染粒子層的粒子集合的軌跡以將粒子集合導向EF內的所希望的位置上。在一個方法中，通過提供鄰接束線靜電元件的額外電極和供應電壓到額外電極上以控制接近束線靜電元件的局部靜電場來控制軌跡。在另一方法中，軌跡受束線靜電元件的一或多個幾何特徵影響。
简体摘要：本文提供了用于从束线静电组件控制粒子轨迹的方法。在示范性方法中，沿着静电过滤器(EF)的束线安置束线静电组件，并将电压供应到束线静电组件上以产生围绕束线静电组件的静电场，从而搅动在束线静电组件上形成的污染粒子层。然后，修改来自污染粒子层的粒子集合的轨迹以将粒子集合导向EF内的所希望的位置上。在一个方法中，通过提供邻接束线静电组件的额外电极和供应电压到额外电极上以控制接近束线静电组件的局部静电场来控制轨迹。在另一方法中，轨迹受束线静电组件的一或多个几何特征影响。

9. 发明专利

TW201921414A 改善的離子束流之裝置與方法审中-公开
简体标题：改善的离子束流之设备与方法
公开(公告)号：TW201921414A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107129367
申请日：2018-08-23
申请人：美商瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：常勝武 , CHANG, SHENGWU , 辛克萊法蘭克 , SINCLAIR, FRANK , 利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE , 萊恩菲力浦 , LAYNE, PHILIP
IPC分类号： H01J37/317
摘要：一種裝置可包括：電極系統，所述電極系統包括多個電極以將離子束從進入開孔導向到出射開孔；以及電壓電源，用以對所述電極系統施加多個電壓。所述電極系統可包括出射電極總成，其中所述出射電極總成包括第一出射電極及第二出射電極，所述第二出射電極通過電極間隙與所述第一出射電極分隔開。所述第一出射電極及所述第二出射電極能夠相對於彼此移動，以在間隙範圍內改變所述電極間隙的大小。
简体摘要：一种设备可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。

10. 发明专利

TW201833979A 用於離子植入系統中的靜電元件的射頻清除系統及其方法审中-公开
简体标题：用于离子植入系统中的静电组件的射频清除系统及其方法
公开(公告)号：TW201833979A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106139824
申请日：2017-11-17
申请人：美商瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：安葛林凱文 , ANGLIN, KEVIN , 賓斯布蘭特 S. , BINNS, BRANT S. , 庫魯尼西彼得 F. , KURUNCZI, PETER F. , 舒爾傑 T. , SCHEUER, JAY T. , 赫爾曼森艾立克 , HERMANSON, ERIC , 利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本發明提供用於對離子植入系統的一個或多個組件進行原位（in-situ）等離子體清潔的方法。在一種方法中，組件可包括射束線組件，例如其中包含有多個傳導性射束光學元件的能量純度模塊。系統更包括在清潔模式期間向射束線組件供應電壓及電流的電源供應系統，其中電源供應系統可包括耦合到多個傳導性射束光學元件的第一子集的第一電源插頭以及耦合到多個傳導性射束光學元件的第二子集的第二電源插頭。在清潔模式期間，電壓與電流可被同時供應且在第一電源插頭與第二電源插頭中的每一者之間分流。
简体摘要：本发明提供用于对离子植入系统的一个或多个组件进行原位（in-situ）等离子体清洁的方法。在一种方法中，组件可包括射束线组件，例如其中包含有多个传导性射束光学组件的能量纯度模块。系统更包括在清洁模式期间向射束线组件供应电压及电流的电源供应系统，其中电源供应系统可包括耦合到多个传导性射束光学组件的第一子集的第一电源插头以及耦合到多个传导性射束光学组件的第二子集的第二电源插头。在清洁模式期间，电压与电流可被同时供应且在第一电源插头与第二电源插头中的每一者之间分流。

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