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1. 发明专利

TW394961B 低電容片狀變阻器及其製造方法失效
简体标题：低电容片状变阻器及其制造方法
公开(公告)号：TW394961B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW087103906
申请日：1998-03-17
申请人：西拉提克股份有限公司
发明人：安炳俊 , 金龍柱
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/18 , H01C7/1006 , H01C7/108 , H01C7/112
摘要：一種低電容片狀變阻器其製造方法揭示於本文中，此片狀變阻器可以保護電器的的電子元件免受內部或外部衝擊，且極適用於要求低電容的電子元件，低電容片狀變阻器包括至少一片支持層形成具低介電常數的構件，一變阻器層，包括至少一個以上形成於支持層上的變阻器層，至少兩個以上內部電極與變阻器層的預定部分折疊並與之相連，其兩端從支持層的側面上延伸，及一對整體形成外部之電極整體形成於變阻器堆積體之側面上以整體形成支持層，變阻器層和內部電極與各內部電極的一端相連。
简体摘要：一种低电容片状变阻器其制造方法揭示于本文中，此片状变阻器可以保护电器的的电子组件免受内部或外部冲击，且极适用于要求低电容的电子组件，低电容片状变阻器包括至少一片支持层形成具低介电常数的构件，一变阻器层，包括至少一个以上形成于支持层上的变阻器层，至少两个以上内部电极与变阻器层的预定部分折叠并与之相连，其两端从支持层的侧面上延伸，及一对整体形成外部之电极整体形成于变阻器堆积体之侧面上以整体形成支持层，变阻器层和内部电极与各内部电极的一端相连。

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