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1. 发明专利

TW200952569A 低溫燒結陶瓷電路基板失效
简体标题：低温烧结陶瓷电路基板
公开(公告)号：TW200952569A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098106804
申请日：2009-03-03
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：山口和宏
IPC分类号： H05K , C04B , C03C
CPC分类号： H01B3/12 , C04B35/117 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/963 , H01B1/16 , H01B1/22 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K2203/125 , Y10T428/24926
摘要：本發明是由導電糊與生胚片在800℃~900℃同時燒結而成的低溫燒結陶瓷電路基板，其特徵在於：上述生胚片包含玻璃粉末與氧化鋁粉末，且上述玻璃粉末與上述氧化鋁粉末的重量比為4:6~6:4，上述玻璃粉末是由35~39重量%的SiO2、9~17重量%的Al2O3、21~40重量%的B2O3、10~20重量%的R'O(然而R'是選自Mg、Ca及Ba所組成的族群中的至少一種)、以及0.2~2重量%的Li2O、0.5~2重量%的MO2(然而M是選自Ti及Zr所組成的族群中的至少一種)所構成；以及上述導電糊含有含Ag的金屬粒子、黏結劑成分、與熱分解性的鹼金族金屬化合物，且上述熱分解性的鹼金族金屬化合物的含量是相對於100個上述金屬粒子的金屬原子，含有0.13或以上、7.8或以下的鹼金族金屬原子的相當量。若根據本發明，可提供一種低溫燒結陶瓷電路基板，其能夠在900℃或以下燒結，且在與Ag系導電糊同時燒結之時的基板翹曲、導體皺痕等較小，並伴隨著低吸濕性、優異的在高頻帶(微波帶、毫米波帶)的介電特性、具有玻璃成分未浮出的平坦電路表面。
简体摘要：本发明是由导电煳与生胚片在800℃~900℃同时烧结而成的低温烧结陶瓷电路基板，其特征在于：上述生胚片包含玻璃粉末与氧化铝粉末，且上述玻璃粉末与上述氧化铝粉末的重量比为4:6~6:4，上述玻璃粉末是由35~39重量%的SiO2、9~17重量%的Al2O3、21~40重量%的B2O3、10~20重量%的R'O(然而R'是选自Mg、Ca及Ba所组成的族群中的至少一种)、以及0.2~2重量%的Li2O、0.5~2重量%的MO2(然而M是选自Ti及Zr所组成的族群中的至少一种)所构成；以及上述导电煳含有含Ag的金属粒子、黏结剂成分、与热分解性的碱金族金属化合物，且上述热分解性的碱金族金属化合物的含量是相对于100个上述金属粒子的金属原子，含有0.13或以上、7.8或以下的碱金族金属原子的相当量。若根据本发明，可提供一种低温烧结陶瓷电路基板，其能够在900℃或以下烧结，且在与Ag系导电煳同时烧结之时的基板翘曲、导体皱痕等较小，并伴随着低吸湿性、优异的在高频带(微波带、毫米波带)的介电特性、具有玻璃成分未浮出的平坦电路表面。

2. 发明专利

TWI380746B 低溫燒結陶瓷電路基板失效
简体标题：低温烧结陶瓷电路基板
公开(公告)号：TWI380746B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW098106804
申请日：2009-03-03
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：山口和宏
IPC分类号： H05K , C04B , C03C
CPC分类号： H01B3/12 , C04B35/117 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/963 , H01B1/16 , H01B1/22 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K2203/125 , Y10T428/24926
摘要：本發明是由導電糊與生胚片在800℃~900℃同時燒結而成的低溫燒結陶瓷電路基板，其特徵在於：上述生胚片包含玻璃粉末與氧化鋁粉末，且上述玻璃粉末與上述氧化鋁粉末的重量比為4：6~6：4，上述玻璃粉末是由35~39重量%的SiO2、9~17重量%的Al2O3、21~40重量%的B2O3、10~20重量%的R’O(然而R’是選自Mg、Ca及Ba所組成的族群中的至少一種)、以及0.2~2重量%的Li2O、0.5~2重量%的MO2(然而M是選自Ti及Zr所組成的族群中的至少一種)所構成；以及上述導電糊含有含Ag的金屬粒子、黏結劑成分、與熱分解性的鹼金族金屬化合物，且上述熱分解性的鹼金族金屬化合物的含量是相對於100個上述金屬粒子的金屬原子，含有0.13或以上、7.8或以下的鹼金族金屬原子的相當量。若根據本發明，可提供一種低溫燒結陶瓷電路基板，其能夠在900℃或以下燒結，且在與Ag系導電糊同時燒結之時的基板翹曲、導體皺痕等較小，並伴隨著低吸濕性、優異的在高頻帶(微波帶、毫米波帶)的介電特性、
具有玻璃成分未浮出的平坦電路表面。
简体摘要：本发明是由导电煳与生胚片在800℃~900℃同时烧结而成的低温烧结陶瓷电路基板，其特征在于：上述生胚片包含玻璃粉末与氧化铝粉末，且上述玻璃粉末与上述氧化铝粉末的重量比为4：6~6：4，上述玻璃粉末是由35~39重量%的SiO2、9~17重量%的Al2O3、21~40重量%的B2O3、10~20重量%的R’O(然而R’是选自Mg、Ca及Ba所组成的族群中的至少一种)、以及0.2~2重量%的Li2O、0.5~2重量%的MO2(然而M是选自Ti及Zr所组成的族群中的至少一种)所构成；以及上述导电煳含有含Ag的金属粒子、黏结剂成分、与热分解性的碱金族金属化合物，且上述热分解性的碱金族金属化合物的含量是相对于100个上述金属粒子的金属原子，含有0.13或以上、7.8或以下的碱金族金属原子的相当量。若根据本发明，可提供一种低温烧结陶瓷电路基板，其能够在900℃或以下烧结，且在与Ag系导电煳同时烧结之时的基板翘曲、导体皱痕等较小，并伴随着低吸湿性、优异的在高频带(微波带、毫米波带)的介电特性、具有玻璃成分未浮出的平坦电路表面。

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