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1. 发明专利

TW201119974A 介電質陶瓷形成用組成物以及介電質陶瓷材料 COMPOSITION FOR FORMING DIELECTRIC CERAMIC AND DIELECTRIC CERAMIC MATERIAL 审中-公开
简体标题：介电质陶瓷形成用组成物以及介电质陶瓷材料 COMPOSITION FOR FORMING DIELECTRIC CERAMIC AND DIELECTRIC CERAMIC MATERIAL
公开(公告)号：TW201119974A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099134918
申请日：2010-10-13
申请人：日本化學工業股份有限公司
发明人：田邊信司
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： H01G4/1227 , C03C3/066 , C03C8/22 , C03C12/00 , C03C14/004 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/486 , C04B35/49 , C04B35/6261 , C04B35/6264 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/365 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/9615 , H01B3/12
摘要：本發明提供一種可進行較先前更低溫的燒,且可具有較高的相對介電常數的介電質陶瓷材料的介電質陶瓷形成用組成物。該介電質陶瓷形成用組成物包含鈣鈦礦(ABO3)系陶瓷原料粉末、以及以氧化物換算計含有35wt%-85wt%的Bi2O3、2.5wt%-20wt%的ZnO、1wt%-20wt%的B2O3、0.5wt%-15wt%的SiO2、0.5wt%-15wt%的鹼金屬氧化物及0.1wt%-35wt%的鹼土類金屬氧化物的玻璃粉末,其特徵在於:相對於該介電質陶瓷形成用組成物,調配有1wt%-15wt%的該玻璃粉末。
简体摘要：本发明提供一种可进行较先前更低温的烧,且可具有较高的相对介电常数的介电质陶瓷材料的介电质陶瓷形成用组成物。该介电质陶瓷形成用组成物包含钙钛矿(ABO3)系陶瓷原料粉末、以及以氧化物换算计含有35wt%-85wt%的Bi2O3、2.5wt%-20wt%的ZnO、1wt%-20wt%的B2O3、0.5wt%-15wt%的SiO2、0.5wt%-15wt%的碱金属氧化物及0.1wt%-35wt%的碱土类金属氧化物的玻璃粉末,其特征在于:相对于该介电质陶瓷形成用组成物,调配有1wt%-15wt%的该玻璃粉末。

2. 发明专利

TW200802439A 介電體陶瓷及積層陶瓷電容器审中-公开
简体标题：介电体陶瓷及积层陶瓷电容器
公开(公告)号：TW200802439A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096107766
申请日：2007-03-07
申请人：太陽誘電股份有限公司 TAIYO YUDEN CO., LTD.
发明人：金田和巳 KANEDA, KAZUMI , 上田周作 UEDA, SHUSAKU , 池見慎一郎 IKEMI, SHINICHIRO
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種介電體陶瓷及Ni內部電極積層陶瓷電容器,其可靠性較先前高,且介電常數之溫度特性滿足X6S特性。本發明之特徵在於,以ABO3+aRe+bM+Zr氧化物(其中,ABO3係將鈦酸鋇系固溶體以表示鈣鈦礦結構之通式表示者,Re係自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中選擇之至少1種金屬之氧化物,M係自Mg、Al、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu及Zn中選擇之金屬元素之氧化物,a、b表示將各氧化物換算為包含一個金屬元素之化學式時相對於1mol之ABO3之mol數)記述時,為1.100≦Ba/Ti≦1.700、0.05≦a≦0.25、0.05≦b≦0.25之範圍,Zr氧化物以相對於Ti之Zr之比率記述時,為Ti:Zr=95:5-60:40之範圍。
简体摘要：本发明提供一种介电体陶瓷及Ni内部电极积层陶瓷电容器,其可靠性较先前高,且介电常数之温度特性满足X6S特性。本发明之特征在于,以ABO3+aRe+bM+Zr氧化物(其中,ABO3系将钛酸钡系固溶体以表示钙钛矿结构之通式表示者,Re系自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中选择之至少1种金属之氧化物,M系自Mg、Al、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu及Zn中选择之金属元素之氧化物,a、b表示将各氧化物换算为包含一个金属元素之化学式时相对于1mol之ABO3之mol数)记述时,为1.100≦Ba/Ti≦1.700、0.05≦a≦0.25、0.05≦b≦0.25之范围,Zr氧化物以相对于Ti之Zr之比率记述时,为Ti:Zr=95:5-60:40之范围。

3. 发明专利

TW200502192A 磁性氧化物燒結體及使用其之高頻率電路零件审中-公开
简体标题：磁性氧化物烧结体及使用其之高频率电路零件
公开(公告)号：TW200502192A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093104340
申请日：2004-02-20
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：梅田秀信 UMEDA, HIDENOBU , 村瀨琢 MURASE, TAKU
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/2633 , C04B35/63 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/365 , C04B2235/656 , C04B2235/767 , H01F1/348 , H01F2017/048
摘要：本發明係提供磁性氧化物燒結體及使用該磁性氧化物燒結體之高頻率電路零件，該磁性氧化物燒結體係由80％以上為Y形六方晶鐵氧磁體(Ferrite)構成，而該磁性氧化物燒結體係含有主成分：以CuO計為5至17莫耳％之氧化銅，以Fe2O3計為57至61莫耳％之氧化鐵，MO為0至15莫耳％(MO為NiO、ZnO、MgO之至少一種，MO之含有率不為0)，餘分為AO(AO為BaO或SrO之至少一種)，以及副成分：氧化鉍(Bi2O3)、硼矽酸玻璃、硼矽酸鋅玻璃或鉍玻璃而構成，因而在達數百MHz至GHz之所謂高頻率區域磁氣特性仍極為良好，且儘量不含Y形六方晶鐵氧磁體以外之異相，而可以於1000℃以下，特別是900℃左右燒之磁性氧化物燒結體。
简体摘要：本发明系提供磁性氧化物烧结体及使用该磁性氧化物烧结体之高频率电路零件，该磁性氧化物烧结体系由80％以上为Y形六方晶铁氧磁体(Ferrite)构成，而该磁性氧化物烧结体系含有主成分：以CuO计为5至17莫耳％之氧化铜，以Fe2O3计为57至61莫耳％之氧化铁，MO为0至15莫耳％(MO为NiO、ZnO、MgO之至少一种，MO之含有率不为0)，余分为AO(AO为BaO或SrO之至少一种)，以及副成分：氧化铋(Bi2O3)、硼硅酸玻璃、硼硅酸锌玻璃或铋玻璃而构成，因而在达数百MHz至GHz之所谓高频率区域磁气特性仍极为良好，且尽量不含Y形六方晶铁氧磁体以外之异相，而可以于1000℃以下，特别是900℃左右烧之磁性氧化物烧结体。

5. 发明专利

TW201741266A 低溫共燒微波介電陶瓷材料及其製法审中-公开
简体标题：低温共烧微波介电陶瓷材料及其制法
公开(公告)号：TW201741266A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105115195
申请日：2016-05-17
申请人：華新科技股份有限公司
发明人：朱立文 , 梁志豪 , 馮奎智
IPC分类号： C04B35/20 , C04B35/22 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01P7/10
CPC分类号： C04B35/22 , C04B35/20 , C04B35/6262 , C04B35/6316 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3249 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/365 , C04B2235/656 , C04B2235/96
摘要：一種可和銀或銅電極低溫共燒微波介電陶瓷材料及其製法。係以85-99wt%比例之微波介電陶瓷材料1-y-z[(1-x)Mg2SiO4-xCa2SiO4]-yCaTiO3-zCaZrO3，其中0.2≦x≦0.7，0.05≦y≦0.3，0.02≦z≦0.15陶瓷材料組成；並混合1-15wt%比例之多元組成玻璃材料，所調配而成。利用主體陶瓷氧化物共晶組態下，可降低原本陶瓷的燒結反應溫度，再搭配低熔點玻璃相添加，進而達到可低溫共燒的特性。其中，具高化學穩定性之玻璃組成，是由Li2O-BaO-SrO-CaO-B2O3-SiO2材料所組成，而此一多元玻璃材料的製法，是經由1000-1300℃下熔融處理製得。該低溫共燒微波介電陶瓷材料組成物，可於較低燒結溫度(900℃-970℃)，於大氣氣氛和惰性氣體環境下，與銀或銅等導電金屬進行共燒。經燒結處理後，此材料具有介電常數範圍於8~14，並有低介電損耗、高品質因子、低溫度電容係數等優異特性，該低溫共燒微波介電陶瓷材料具有高化學穩定性，可適用於積層陶瓷元件製程與加工之應用。
简体摘要：一种可和银或铜电极低温共烧微波介电陶瓷材料及其制法。系以85-99wt%比例之微波介电陶瓷材料1-y-z[(1-x)Mg2SiO4-xCa2SiO4]-yCaTiO3-zCaZrO3，其中0.2≦x≦0.7，0.05≦y≦0.3，0.02≦z≦0.15陶瓷材料组成；并混合1-15wt%比例之多元组成玻璃材料，所调配而成。利用主体陶瓷氧化物共晶组态下，可降低原本陶瓷的烧结反应温度，再搭配低熔点玻璃相添加，进而达到可低温共烧的特性。其中，具高化学稳定性之玻璃组成，是由Li2O-BaO-SrO-CaO-B2O3-SiO2材料所组成，而此一多元玻璃材料的制法，是经由1000-1300℃下熔融处理制得。该低温共烧微波介电陶瓷材料组成物，可于较低烧结温度(900℃-970℃)，于大气气氛和惰性气体环境下，与银或铜等导电金属进行共烧。经烧结处理后，此材料具有介电常数范围于8~14，并有低介电损耗、高品质因子、低温度电容系数等优异特性，该低温共烧微波介电陶瓷材料具有高化学稳定性，可适用于积层陶瓷组件制程与加工之应用。

6. 发明专利

TW201705164A 複合電子零件审中-公开
简体标题：复合电子零件
公开(公告)号：TW201705164A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105122354
申请日：2016-07-15
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：角田晃一 , KAKUDA, KOUICHI , 鈴木孝志 , SUZUKI, TAKASHI , 髙橋聖樹 , TAKAHASHI, MASAKI , 高橋幸雄 , TAKAHASHI, YUKIO , 近藤真一 , KONDO, SHINICHI , 村井明日香 , MURAI, ASUKA , 生出章彦 , OIDE, AKIHIKO , 內田尚希 , UCHIDA, NAOKI , 佐藤英和 , SATO, HIDEKAZU
IPC分类号： H01G4/10 , H01P1/20
CPC分类号： H01G4/40 , B32B18/00 , C04B35/265 , C04B35/453 , C04B35/462 , C04B35/47 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2237/34 , C04B2237/346 , H01F1/0306 , H01F1/0315 , H01F1/344 , H01F17/0013 , H01F27/255 , H01F2017/0026
摘要：具有線圈部、電容部和中間部的複合電子零件。線圈部具有線圈導體及磁性體層。電容部具有內部電極及介電層。介電層具有SrO-TiO2系氧化物或ZnO-TiO2系氧化物。中間部設置於線圈部和電容部之間，中間部具有中間材料層。中間材料層具有ZnO、TiO2及硼。中間材料層中ZnO的含量為50~85莫耳份，TiO2的含量為15~50莫耳份，硼的含量為0.1~5.0重量份。中間材料層中包含的ZnO及TiO2構成ZnO-TiO2化合物。中間材料層包含的ZnO-TiO2化合物的含量為50重量%以上。
简体摘要：具有线圈部、电容部和中间部的复合电子零件。线圈部具有线圈导体及磁性体层。电容部具有内部电极及介电层。介电层具有SrO-TiO2系氧化物或ZnO-TiO2系氧化物。中间部设置于线圈部和电容部之间，中间部具有中间材料层。中间材料层具有ZnO、TiO2及硼。中间材料层中ZnO的含量为50~85莫耳份，TiO2的含量为15~50莫耳份，硼的含量为0.1~5.0重量份。中间材料层中包含的ZnO及TiO2构成ZnO-TiO2化合物。中间材料层包含的ZnO-TiO2化合物的含量为50重量%以上。

7. 发明专利

TW201313657A 多孔性陶瓷燒結體及其製造方法审中-公开
简体标题：多孔性陶瓷烧结体及其制造方法
公开(公告)号：TW201313657A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130449
申请日：2012-08-22
申请人：小松精練股份有限公司 , KOMATSU SEIREN CO., LTD.
发明人：高木泰治 , TAKAGI, YASUHARU , 林豊 , HAYASHI, YUTAKA , 富樫宏介 , TOGASHI, KOHSUKE , 金田明久 , KANEDA, AKIHISA , 大田剛志 , OHTA, TAKESHI
IPC分类号： C04B38/02 , C04B38/06
CPC分类号： C02F11/008 , C04B33/13 , C04B33/1321 , C04B33/138 , C04B33/30 , C04B33/32 , C04B33/36 , C04B35/6263 , C04B35/82 , C04B38/02 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/5248 , C04B2235/526 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/6021 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , Y02P40/69 , C04B38/0054 , C04B38/0058 , C04B38/0074
摘要：本發明提供一種雖然不使用矽藻土，但是形成有微細氣孔之多孔性陶瓷燒結體及其製造方法。本發明係有關於一種多孔性陶瓷燒結體，其特徵在於其係經成形含有發泡劑、黏土類及有機污泥且不含矽藻土之混合物，並燒結而得到者；及一種多孔性陶瓷燒結體之製造方法，其特徵在於其係成形含有發泡劑、黏土類及有機污泥且不含矽藻土之混合物，且在950至1200℃下進行燒成。
简体摘要：本发明提供一种虽然不使用硅藻土，但是形成有微细气孔之多孔性陶瓷烧结体及其制造方法。本发明系有关于一种多孔性陶瓷烧结体，其特征在于其系经成形含有发泡剂、黏土类及有机污泥且不含硅藻土之混合物，并烧结而得到者；及一种多孔性陶瓷烧结体之制造方法，其特征在于其系成形含有发泡剂、黏土类及有机污泥且不含硅藻土之混合物，且在950至1200℃下进行烧成。

8. 发明专利

TW201209003A 玻璃陶瓷組成物、發光元件用基板及發光裝置审中-公开
简体标题：玻璃陶瓷组成物、发光组件用基板及发光设备
公开(公告)号：TW201209003A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100127045
申请日：2011-07-29
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：今北健二
IPC分类号： C03C , H01L
CPC分类号： C04B35/117 , C03C3/091 , C03C8/20 , C03C14/004 , C03C2214/20 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3246 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/9607 , C04B2235/9646 , H01L23/15 , H01L24/73 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H05K1/0206 , H05K1/0306 , H05K3/284 , H05K2201/10106 , H05K2203/049 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：本發明係提供一種玻璃陶瓷組成物，係可獲得高反射率及高熱導率的發光元件用基板，且可抑制製造發光元件用基板時的破損。一種玻璃陶瓷組成物，係用於製造用以搭載發光元件之基板；其中相對於玻璃粉末、氧化鋁粉末及氧化鋯粉末的合計量計，含有30～45質量%的玻璃粉末、35～50質量%的氧化鋁粉末、及10～30質量%的氧化鋯粉末，且前述氧化鋯粉末的平均粒徑為前述氧化鋁粉末平均粒徑的1/4以下。
简体摘要：本发明系提供一种玻璃陶瓷组成物，系可获得高反射率及高热导率的发光组件用基板，且可抑制制造发光组件用基板时的破损。一种玻璃陶瓷组成物，系用于制造用以搭载发光组件之基板；其中相对于玻璃粉末、氧化铝粉末及氧化锆粉末的合计量计，含有30～45质量%的玻璃粉末、35～50质量%的氧化铝粉末、及10～30质量%的氧化锆粉末，且前述氧化锆粉末的平均粒径为前述氧化铝粉末平均粒径的1/4以下。

9. 发明专利

TW200940476A 高電阻高氧化鋯鑄造耐火材料 HIGH-RESISTANCE HIGH-ZIRCONIA CAST REFRACTORY MATERIAL 审中-公开
简体标题：高电阻高氧化锆铸造耐火材料 HIGH-RESISTANCE HIGH-ZIRCONIA CAST REFRACTORY MATERIAL
公开(公告)号：TW200940476A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097144931
申请日：2008-11-20
申请人：圣戈班TM股份有限公司
发明人：戶村信雄 , 遠藤茂男 , 三須安雄
IPC分类号： C04B , B22C
CPC分类号： C04B35/484 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/365 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/727
摘要：本發明提供一種高氧化鋯鑄造耐火材料，其含有85-95wt ％之ZrO2、4-12 wt％之SiO2、0.1至小於0.8 wt％之Al2O3、小於0.04 wt％之Na2O、0.01-0.15 wt％之K2O、0.1-1.5 wt％之B2O3、0.01-0.2 wt％之CaO、小於0.4 wt％之BaO、小於0.2 wt％之SrO、0.05-0.4 wt％之Y2O3及合計0.3 wt％或更少之Fe2O3與TiO2，但實質上不含CuO與P2O5(小於0.01 wt％)，以使得玻璃形成氧化物(諸如SiO2及B2O3)與玻璃改質氧化物(諸如Na2O、K2O、CaO、MgO、SrO及BaO)之莫耳比為20-100，該耐火材料在1500℃下靜置12小時後具有200Ω‧㎝或更高之電阻。
简体摘要：本发明提供一种高氧化锆铸造耐火材料，其含有85-95wt ％之ZrO2、4-12 wt％之SiO2、0.1至小于0.8 wt％之Al2O3、小于0.04 wt％之Na2O、0.01-0.15 wt％之K2O、0.1-1.5 wt％之B2O3、0.01-0.2 wt％之CaO、小于0.4 wt％之BaO、小于0.2 wt％之SrO、0.05-0.4 wt％之Y2O3及合计0.3 wt％或更少之Fe2O3与TiO2，但实质上不含CuO与P2O5(小于0.01 wt％)，以使得玻璃形成氧化物(诸如SiO2及B2O3)与玻璃改质氧化物(诸如Na2O、K2O、CaO、MgO、SrO及BaO)之莫耳比为20-100，该耐火材料在1500℃下静置12小时后具有200Ω‧㎝或更高之电阻。

10. 发明专利

TW200849299A 介電體陶瓷器組合物、複合電子元件以及層積陶瓷電容元件 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, COMPLEX ELECTRONIC DEVICE AND MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR 审中-公开
简体标题：介电体陶瓷器组合物、复合电子组件以及层积陶瓷电容组件 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, COMPLEX ELECTRONIC DEVICE AND MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR
公开(公告)号：TW200849299A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097109123
申请日：2008-03-14
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：角田晃一 KOUICHI KAKUDA , 鈴木孝志 TAKASHI SUZUKI , 鷹野祥子 SACHIKO TAKANO , 桃井博 HIROSHI MOMOI , 近藤真一 SHINICHI KONDO , 高橋聖樹 MASAKI TAKAHASHI
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/62655 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/365 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/9615 , H01G4/1227 , H01G4/30 , H01G4/40 , H03H1/0007 , H03H2001/0085
摘要：本發明係一種介電體陶瓷器組合物,係含有:包含從鈦酸鋇、鈦酸鍶以及鈦酸鈣所選出之至少1種之主成分,以及包含B的氧化物之玻璃成分作為副成分,其特徵在於前述玻璃成分的含有量,相對於前述主成分100重量%,為2~7重量%。根據本發明,藉由使玻璃成分等含有量相對減少,而可提供不僅可對應薄層化,且顯示良好特性(比介電率、損失Q値、絕緣電阻)之介電體陶瓷器組合物及具有由此介電體陶瓷器組合物構成之介電體層之層積型濾波器等複合電子元件或層積陶瓷電容元件。
简体摘要：本发明系一种介电体陶瓷器组合物,系含有:包含从钛酸钡、钛酸锶以及钛酸钙所选出之至少1种之主成分,以及包含B的氧化物之玻璃成分作为副成分,其特征在于前述玻璃成分的含有量,相对于前述主成分100重量%,为2~7重量%。根据本发明,借由使玻璃成分等含有量相对减少,而可提供不仅可对应薄层化,且显示良好特性(比介电率、损失Q値、绝缘电阻)之介电体陶瓷器组合物及具有由此介电体陶瓷器组合物构成之介电体层之层积型滤波器等复合电子组件或层积陶瓷电容组件。

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