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1. 发明专利

TW201806143A 記憶裝置审中-公开
简体标题：记忆设备
公开(公告)号：TW201806143A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106104578
申请日：2017-02-13
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：杉前紀久子 , SUGIMAE, KIKUKO , 新屋敷悠介 , ARAYASHIKI, YASUKE
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0045 , G11C2013/0078 , G11C2213/11 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675
摘要：本發明之實施形態之記憶裝置具備：第1配線、第2配線、第1電阻變化構件、第3配線、第2電阻變化構件、第4配線、第5配線及第3電阻變化構件。上述第1配線、上述第3配線及上述第4配線於第1方向延伸。上述第2配線及上述第5配線於與上述第1方向交叉之第2方向延伸。上述第1電阻變化構件連接於上述第1配線與上述第2配線之間。上述第2電阻變化構件連接於上述第2配線與上述第3配線之間。上述第3電阻變化構件連接於上述第4配線與上述第5配線之間。上述第4配線與上述第3配線絕緣。
简体摘要：本发明之实施形态之记忆设备具备：第1配线、第2配线、第1电阻变化构件、第3配线、第2电阻变化构件、第4配线、第5配线及第3电阻变化构件。上述第1配线、上述第3配线及上述第4配线于第1方向延伸。上述第2配线及上述第5配线于与上述第1方向交叉之第2方向延伸。上述第1电阻变化构件连接于上述第1配线与上述第2配线之间。上述第2电阻变化构件连接于上述第2配线与上述第3配线之间。上述第3电阻变化构件连接于上述第4配线与上述第5配线之间。上述第4配线与上述第3配线绝缘。

2. 发明专利

TWI517359B 包含堆疊反及式阻抗性記憶體單元串的非揮發記憶體裝置及其製造方法有权
简体标题：包含堆栈反及式阻抗性内存单元串的非挥发内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI517359B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW097128531
申请日：2008-07-25
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：河大元 , HA, DAE-WON , 高寬協 , KOH, GWAN-HYEOB
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/82
CPC分类号： G11C13/003 , G11C11/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/75 , H01L27/228 , H01L27/2454 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/147

3. 发明专利

TWI497523B 非揮發性半導體記憶體裝置有权
简体标题：非挥发性半导体内存设备
公开(公告)号：TWI497523B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW098122460
申请日：2009-07-02
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/06 , G11C16/14
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/31 , G11C2213/72

4. 发明专利

TWI413121B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI413121B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW098104195
申请日：2009-02-10
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 常盤直哉 , TOKIWA, NAOYA
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/22
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C8/04 , G11C8/10 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/0038 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72

5. 发明专利

TWI406407B 資訊記錄再生裝置失效
简体标题：信息记录再生设备
公开(公告)号：TWI406407B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098110468
申请日：2009-03-30
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：鎌田親義 , KAMATA, CHIKAYOSHI , 塚本隆之 , TSUKAMOTO, TAKAYUKI , 山口豪 , YAMAGUCHI, TAKESHI , 中居司 , NAKAI, TSUKASA , 平井隆大 , HIRAI, TAKAHIRO , 青木伸也 , AOKI, SHINYA , 久保光一 , KUBO, KOHICHI
IPC分类号： H01L27/24
CPC分类号： G11B11/002 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C16/0483 , G11C2211/565 , G11C2213/31 , G11C2213/53 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/78 , G11C2213/79

6. 发明专利

TWI379401B 具有可變電阻之薄膜記憶裝置 THIN FILM MEMORY DEVICE HAVING A VARIABLE RESISTANCE 失效
简体标题：具有可变电阻之薄膜记忆设备 THIN FILM MEMORY DEVICE HAVING A VARIABLE RESISTANCE
公开(公告)号：TWI379401B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW093140511
申请日：2004-12-24
申请人：松下電器產業股份有限公司
发明人：小佐野浩一 , 村岡俊作 , 榊間博
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10T428/1136 , Y10T428/115
摘要：一種薄膜儲存裝置，具有一第一電極(3)、一第一可變電阻薄膜(2)、及一第二電極(1)。使第一電極(3)形成在一基板(4)的一表面之上。使第一可變電阻薄膜(2)形成在第一電極(3)的一表面之上。使第二電極(1)形成在第一可變電阻薄膜(2)的一表面之上。第一可變電阻薄膜(2)係包含一材料，而該材料於塊狀狀態下的電阻係依據一晶格應變與一電荷排列的變化至少其中之一而改變。
简体摘要：一种薄膜存储设备，具有一第一电极(3)、一第一可变电阻薄膜(2)、及一第二电极(1)。使第一电极(3)形成在一基板(4)的一表面之上。使第一可变电阻薄膜(2)形成在第一电极(3)的一表面之上。使第二电极(1)形成在第一可变电阻薄膜(2)的一表面之上。第一可变电阻薄膜(2)系包含一材料，而该材料于块状状态下的电阻系依据一晶格应变与一电荷排列的变化至少其中之一而改变。

7. 发明专利

TWI344204B 超低價之固態記憶體 ULTRA LOW-COST SOLID-STATE MEMORY 失效
简体标题：超低价之固态内存 ULTRA LOW-COST SOLID-STATE MEMORY
公开(公告)号：TWI344204B
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW093113215
申请日：2004-05-11
申请人：日立環球儲存科技股份有限公司
发明人：貝瑞庫辛史帝帕
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11507 , G11C7/18 , G11C11/22 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/82 , H01L27/11502 , H01L27/24
摘要：本發明提供一種鐵電三維固態記憶體，其由複數條位元線、複數個層、複數個樹形結構與複數條板線(plate line)形成。該等位元線排列於第一平面內且在第一方向上延伸。每一層包括鐵電電容器記憶體單元之陣列。每一樹形結構對應於一位元線且具有一樹幹部分與複數個分枝部分。每一樹形結構之樹幹部分自對應位元線延伸。每一分枝部分對應於一層且自該樹形結構之樹幹部分延伸。板線排列於每一層中且與對應層中之每一樹形結構之分枝部分重疊於複數個相交區域。0T-FeRAM記憶體單元位於一層之每一相交區域處。
简体摘要：本发明提供一种铁电三维固态内存，其由复数条比特线、复数个层、复数个树形结构与复数条板线(plate line)形成。该等比特线排列于第一平面内且在第一方向上延伸。每一层包括铁电电容器内存单元之数组。每一树形结构对应于一比特线且具有一树干部分与复数个分枝部分。每一树形结构之树干部分自对应比特线延伸。每一分枝部分对应于一层且自该树形结构之树干部分延伸。板线排列于每一层中且与对应层中之每一树形结构之分枝部分重叠于复数个相交区域。0T-FeRAM内存单元位于一层之每一相交区域处。

8. 发明专利

TWI337777B 記憶體裝置及半導體積體電路失效
简体标题：内存设备及半导体集成电路
公开(公告)号：TWI337777B
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：TW095114438
申请日：2006-04-21
申请人：松下電器產業股份有限公司
发明人：村岡俊作 , 小佐野浩一 , 三谷覺 , 關博司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
摘要：第1電極層，包括互相平行延長的複數的第1電極線(W1,W2)。狀態可變層，包括在第1電極層上形成且顯示二極體特性和可變電阻特性的複數的狀態可變體(60－11,60－12,60－21,60－22)。第2電極層，包括在狀態可變層上形成且互相平行延長的複數的第2電極線(B1,B2)。複數的第1電極線和複數的第2電極線，從疊層方向看時夾著狀態可變層互相交叉。狀態可變體(60－11)，在第1電極線(W1)和第2電極線(B1)交叉的位置，在該第1電極線和第2電極線之間形成。
简体摘要：第1电极层，包括互相平行延长的复数的第1电极线(W1,W2)。状态可变层，包括在第1电极层上形成且显示二极管特性和可变电阻特性的复数的状态可变体(60－11,60－12,60－21,60－22)。第2电极层，包括在状态可变层上形成且互相平行延长的复数的第2电极线(B1,B2)。复数的第1电极线和复数的第2电极线，从叠层方向看时夹着状态可变层互相交叉。状态可变体(60－11)，在第1电极线(W1)和第2电极线(B1)交叉的位置，在该第1电极线和第2电极线之间形成。

9. 发明专利

TW201036224A 用於電阻式切換隨機存取記憶體（ＲＥ－ＲＡＭ）之金屬氧化物材料及電極 METAL OXIDE MATERIALS AND ELECTRODES FOR RE-RAM 审中-公开
简体标题：用于电阻式切换随机存取内存（ＲＥ－ＲＡＭ）之金属氧化物材料及电极 METAL OXIDE MATERIALS AND ELECTRODES FOR RE-RAM
公开(公告)号：TW201036224A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098138489
申请日：2009-11-12
申请人：桑迪士克3D公司
发明人：塞卡爾狄帕克C , 舒利克艾爾普
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/52 , H01L27/101 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1641 , H01L45/165
摘要：本發明揭示可重寫切換材料及其形成方法。一個實施例係包括一第一電極、與該第一電極接觸之一狀態改變元件及與該狀態改變元件接觸之一第二電極之一儲存裝置,其中該狀態改變元件包括ZrxYyOz。本文亦揭示用於形成此一儲存裝置之一方法。另一實施例係包括一第一電極、與該第一電極接觸之一狀態改變元件及與該狀態改變元件接觸之一第二電極之一儲存裝置,該狀態改變元件包括氧化鈰或氧化鉍中之至少一者。本文亦揭示用於形成此一儲存裝置之一方法。
简体摘要：本发明揭示可重写切换材料及其形成方法。一个实施例系包括一第一电极、与该第一电极接触之一状态改变组件及与该状态改变组件接触之一第二电极之一存储设备,其中该状态改变组件包括ZrxYyOz。本文亦揭示用于形成此一存储设备之一方法。另一实施例系包括一第一电极、与该第一电极接触之一状态改变组件及与该状态改变组件接触之一第二电极之一存储设备,该状态改变组件包括氧化铈或氧化铋中之至少一者。本文亦揭示用于形成此一存储设备之一方法。

10. 发明专利

TWI328230B 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI328230B
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW095145701
申请日：2006-12-07
申请人：夏普股份有限公司
发明人：森本英德
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/18 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/77
摘要：本發明提供一種非揮發性半導體記憶裝置，其可於抑制因交叉點型記憶胞陣列之字元線及位元線上之IR位降所導致之記憶體特性劣化。其包含：字元線選擇電路14，其從複數字元線中選擇字元線，在選擇字元線和非選擇字元線上分別施加選擇字元線電壓和非選擇字元線電壓；位元線選擇電路15，其從複數之位元線中選擇出選擇位元線，在選擇位元線和非選擇位元線上分別施加選擇位元線電壓和非選擇位元線電壓；電壓控制電路16、17，其分別抑制複數字元線和複數位元線之至少一方之各電壓變動，複數字元線和複數位元線之至少一方在位於距與字元線選擇電路14或位元線選擇電路15連接之驅動點之最遠點的電壓控制點與電壓控制電路16、17連接。
简体摘要：本发明提供一种非挥发性半导体记忆设备，其可于抑制因交叉点型记忆胞数组之字符线及比特在线之IR位降所导致之内存特性劣化。其包含：字符线选择电路14，其从复数字元线中选择字符线，在选择字符线和非选择字符在线分别施加选择字符线电压和非选择字符线电压；比特线选择电路15，其从复数之比特线中选择出选择比特线，在选择比特线和非选择比特在线分别施加选择比特线电压和非选择比特线电压；电压控制电路16、17，其分别抑制复数字元线和复数码元线之至少一方之各电压变动，复数字元线和复数码元线之至少一方在位于距与字符线选择电路14或比特线选择电路15连接之驱动点之最远点的电压控制点与电压控制电路16、17连接。

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