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1. 发明专利

TWI401683B 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI401683B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW097135266
申请日：2008-09-12
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 井上裕文 , INOUE, HIROFUMI , 戶田春希 , TODA, HARUKI
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/115 , H01L45/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0009 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72

2. 发明专利

TWI521542B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI521542B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW102130342
申请日：2008-09-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： G11C8/08
CPC分类号： G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2213/11 , G11C2213/12 , G11C2213/72

3. 发明专利

TWI497523B 非揮發性半導體記憶體裝置有权
简体标题：非挥发性半导体内存设备
公开(公告)号：TWI497523B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW098122460
申请日：2009-07-02
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/06 , G11C16/14
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/31 , G11C2213/72

4. 发明专利

TWI406297B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI406297B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW097140475
申请日：2008-10-22
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： G11C8/08 , H01L23/48
CPC分类号： G11C8/14 , G11C5/02 , G11C5/063 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TWI433362B 非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI433362B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW097140479
申请日：2008-10-22
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島宏行 , NAGASHIMA, HIROYUKI , 久保光一 , KUBO, KOICHI , 井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , G11C13/00
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/101 , H01L27/112 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675

6. 发明专利

TW201351432A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201351432A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102130342
申请日：2008-09-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： G11C8/08
CPC分类号： G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2213/11 , G11C2213/12 , G11C2213/72
摘要：一種半導體記憶裝置，其包括：複數個平行字元線；交叉於該複數個字元線形成之複數個平行位元線；及配置於該等字元線與該等位元線相交處之複數個記憶胞。每一記憶胞具有連接至該字元線之一個端及連接至該位元線之另一端。該裝置亦包括一驅動電路，其運作以跨越該字元線及該位元線選擇性地施加一用於資料讀取/寫入之電壓。其進一步包括一感測放大器電路，其連接至該複數個位元線且運作以讀取儲存於該記憶胞中之資料/將資料寫入至該記憶胞中。該裝置亦包括一位元線驅動輔助電路，其運作以基於由該感測放大器電路自該記憶胞讀出之資料來選擇性地調節該複數個位元線上之電位。
简体摘要：一种半导体记忆设备，其包括：复数个平行字符线；交叉于该复数个字符线形成之复数个平行比特线；及配置于该等字符线与该等比特线相交处之复数个记忆胞。每一记忆胞具有连接至该字符线之一个端及连接至该比特线之另一端。该设备亦包括一驱动电路，其运作以跨越该字符线及该比特线选择性地施加一用于数据读取/写入之电压。其进一步包括一传感放大器电路，其连接至该复数个比特线且运作以读取存储于该记忆胞中之数据/将数据写入至该记忆胞中。该设备亦包括一比特线驱动辅助电路，其运作以基于由该传感放大器电路自该记忆胞读出之数据来选择性地调节该复数个比特在线之电位。

7. 发明专利

TWI408696B 半導體記憶裝置及記憶胞電壓施加方法有权
简体标题：半导体记忆设备及记忆胞电压施加方法
公开(公告)号：TWI408696B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW097135507
申请日：2008-09-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：井上裕文 , INOUE, HIROFUMI
IPC分类号： G11C8/08
CPC分类号： G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2213/11 , G11C2213/12 , G11C2213/72

8. 发明专利

TWI355071B 非揮發性半導體儲存裝置及其製造方法 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：非挥发性半导体存储设备及其制造方法 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI355071B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW096138931
申请日：2007-10-17
申请人：東芝股份有限公司
发明人：鬼頭傑 , 井上裕文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/105 , G11C16/10 , H01L27/0207 , H01L27/0688 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11582
摘要：依據本發明之一態樣，提供一種非揮發性半導體儲存裝置，其包括：一基板；一柱狀半導體，其係垂直於該基板而佈置；一電荷儲存層合膜，其係佈置於該柱狀半導體周圍；一第一導體層，其係接觸該電荷儲存層合膜並具有一具有一第一端面之第一末端部分；一第二導體層，其係接觸該電荷儲存層合膜，其與該第一導體層分離且其具有一具有一第二端面之第二末端部分；一第一接觸插塞，其係佈置於該第一端面上；及一第二接觸插塞，其係佈置於該第二端面上。
简体摘要：依据本发明之一态样，提供一种非挥发性半导体存储设备，其包括：一基板；一柱状半导体，其系垂直于该基板而布置；一电荷存储层合膜，其系布置于该柱状半导体周围；一第一导体层，其系接触该电荷存储层合膜并具有一具有一第一端面之第一末端部分；一第二导体层，其系接触该电荷存储层合膜，其与该第一导体层分离且其具有一具有一第二端面之第二末端部分；一第一接触插塞，其系布置于该第一端面上；及一第二接触插塞，其系布置于该第二端面上。

9. 发明专利

TW201007762A 非揮發性半導體記憶裝置 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：非挥发性半导体记忆设备 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201007762A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098122460
申请日：2009-07-02
申请人：東芝股份有限公司
发明人：永島宏行 , 井上裕文
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/31 , G11C2213/72
摘要：一種非揮發性半導體記憶體裝置，包含：一胞陣列，其包括複數個第一線、與該複數個第一線交叉之複數個第二線，及以矩陣配置且在該等第一線與該等第二線之間的交叉點處連接在該兩種線之間的複數個記憶體胞，每一記憶體胞含有一串聯電路，該串聯電路具有一電阻經非揮發性地儲存為資料的電可抹除可程式化可變電阻元件及一非歐姆元件；及複數個存取電路，其操作以同時存取該胞陣列中之彼此實體分離的該等記憶體胞。
简体摘要：一种非挥发性半导体内存设备，包含：一胞数组，其包括复数个第一线、与该复数个第一线交叉之复数个第二线，及以矩阵配置且在该等第一线与该等第二线之间的交叉点处连接在该两种线之间的复数个内存胞，每一内存胞含有一串联电路，该串联电路具有一电阻经非挥发性地存储为数据的电可抹除可进程化可变电阻组件及一非欧姆组件；及复数个存取电路，其操作以同时存取该胞数组中之彼此实体分离的该等内存胞。

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