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1. 发明专利

TWI328230B 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI328230B
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW095145701
申请日：2006-12-07
申请人：夏普股份有限公司
发明人：森本英德
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/18 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/77
摘要：本發明提供一種非揮發性半導體記憶裝置，其可於抑制因交叉點型記憶胞陣列之字元線及位元線上之IR位降所導致之記憶體特性劣化。其包含：字元線選擇電路14，其從複數字元線中選擇字元線，在選擇字元線和非選擇字元線上分別施加選擇字元線電壓和非選擇字元線電壓；位元線選擇電路15，其從複數之位元線中選擇出選擇位元線，在選擇位元線和非選擇位元線上分別施加選擇位元線電壓和非選擇位元線電壓；電壓控制電路16、17，其分別抑制複數字元線和複數位元線之至少一方之各電壓變動，複數字元線和複數位元線之至少一方在位於距與字元線選擇電路14或位元線選擇電路15連接之驅動點之最遠點的電壓控制點與電壓控制電路16、17連接。
简体摘要：本发明提供一种非挥发性半导体记忆设备，其可于抑制因交叉点型记忆胞数组之字符线及比特在线之IR位降所导致之内存特性劣化。其包含：字符线选择电路14，其从复数字元线中选择字符线，在选择字符线和非选择字符在线分别施加选择字符线电压和非选择字符线电压；比特线选择电路15，其从复数之比特线中选择出选择比特线，在选择比特线和非选择比特在线分别施加选择比特线电压和非选择比特线电压；电压控制电路16、17，其分别抑制复数字元线和复数码元线之至少一方之各电压变动，复数字元线和复数码元线之至少一方在位于距与字符线选择电路14或比特线选择电路15连接之驱动点之最远点的电压控制点与电压控制电路16、17连接。

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