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1. 发明专利

TWI300944B 磁性薄膜及其形成方法、磁性元件與電感器及磁性元件的製造方法 MAGNETIC THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC DEVICE AND INDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：磁性薄膜及其形成方法、磁性组件与电感器及磁性组件的制造方法 MAGNETIC THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC DEVICE AND INDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI300944B
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：TW094141819
申请日：2005-11-29
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：崔京九 CHOI, KYUNG-KU
IPC分类号： H01F
CPC分类号： B82Y25/00 , H01F10/007 , H01F17/0006 , H01F41/14 , Y10T428/115 , Y10T428/12465 , Y10T428/12771 , Y10T428/12986 , Y10T428/32
摘要：本發明提供具有高的共鳴頻率,高頻特性優異之磁性薄膜,以及高頻特性優異之磁性元件及電感器。本發明係在基板2上設置:平面線圈4及磁性薄膜1,在連接用端子J1,J2之間形成電感器。使磁性薄膜1中之傾斜生長磁性層11,在對基板2之表面傾斜方向上柱狀地結晶生長(傾斜生長磁性體12)。該傾斜生長磁性層11中,為了使傾斜生長磁性體12軟磁性化,因此在傾斜生長磁性體12中混入絕緣體13。傾斜生長磁性層11顯示面內結晶磁性各向異性,並且該面內結晶磁性各向異性為强,而各向異性磁場增加。由於可僅在傾斜生長磁性層11之結晶生長方向上改變各向異性磁場Hk,因此飽和磁化4��Ms不減少,而各向異性磁場Hk增加,使磁性薄膜1之共鳴頻率fr提高。
简体摘要：本发明提供具有高的共鸣频率,高频特性优异之磁性薄膜,以及高频特性优异之磁性组件及电感器。本发明系在基板2上设置:平面线圈4及磁性薄膜1,在连接用端子J1,J2之间形成电感器。使磁性薄膜1中之倾斜生长磁性层11,在对基板2之表面倾斜方向上柱状地结晶生长(倾斜生长磁性体12)。该倾斜生长磁性层11中,为了使倾斜生长磁性体12软磁性化,因此在倾斜生长磁性体12中混入绝缘体13。倾斜生长磁性层11显示面内结晶磁性各向异性,并且该面内结晶磁性各向异性为强,而各向异性磁场增加。由于可仅在倾斜生长磁性层11之结晶生长方向上改变各向异性磁场Hk,因此饱和磁化4��Ms不减少,而各向异性磁场Hk增加,使磁性薄膜1之共鸣频率fr提高。

2. 发明专利

TW200636690A 使用非晶態材料作參考層及自由層之磁性穿隧接面 MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS USING AMORPHOUS MATERIALS AS REFERENCE AND FREE LAYERS 审中-公开
简体标题：使用非晶态材料作参考层及自由层之磁性穿隧接面 MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS USING AMORPHOUS MATERIALS AS REFERENCE AND FREE LAYERS
公开(公告)号：TW200636690A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW094139019
申请日：2005-11-07
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：斯圖特史戴芬帕渥斯帕金 PARKIN, STUART STEPHEN PAPWORTH
IPC分类号： G11B
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01L43/12 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
摘要：本發明揭示磁性穿隧接面，其係自一MgO或Mg–ZnO穿隧障蔽層及若干與該穿隧障蔽層相接近並位於該穿隧障蔽層各個側上之非晶態磁性層構造而成。該非晶態磁性層較佳包含Co及至少一種經選擇以使該層為非晶態之額外元素，例如硼。自該等非晶態磁性層及該穿隧障蔽層形成之磁性穿隧接面具有高達200％或更大之穿隧磁阻值。
简体摘要：本发明揭示磁性穿隧接面，其系自一MgO或Mg–ZnO穿隧障蔽层及若干与该穿隧障蔽层相接近并位于该穿隧障蔽层各个侧上之非晶态磁性层构造而成。该非晶态磁性层较佳包含Co及至少一种经选择以使该层为非晶态之额外元素，例如硼。自该等非晶态磁性层及该穿隧障蔽层形成之磁性穿隧接面具有高达200％或更大之穿隧磁阻值。

3. 发明专利

TWI379401B 具有可變電阻之薄膜記憶裝置 THIN FILM MEMORY DEVICE HAVING A VARIABLE RESISTANCE 失效
简体标题：具有可变电阻之薄膜记忆设备 THIN FILM MEMORY DEVICE HAVING A VARIABLE RESISTANCE
公开(公告)号：TWI379401B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW093140511
申请日：2004-12-24
申请人：松下電器產業股份有限公司
发明人：小佐野浩一 , 村岡俊作 , 榊間博
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10T428/1136 , Y10T428/115
摘要：一種薄膜儲存裝置，具有一第一電極(3)、一第一可變電阻薄膜(2)、及一第二電極(1)。使第一電極(3)形成在一基板(4)的一表面之上。使第一可變電阻薄膜(2)形成在第一電極(3)的一表面之上。使第二電極(1)形成在第一可變電阻薄膜(2)的一表面之上。第一可變電阻薄膜(2)係包含一材料，而該材料於塊狀狀態下的電阻係依據一晶格應變與一電荷排列的變化至少其中之一而改變。
简体摘要：一种薄膜存储设备，具有一第一电极(3)、一第一可变电阻薄膜(2)、及一第二电极(1)。使第一电极(3)形成在一基板(4)的一表面之上。使第一可变电阻薄膜(2)形成在第一电极(3)的一表面之上。使第二电极(1)形成在第一可变电阻薄膜(2)的一表面之上。第一可变电阻薄膜(2)系包含一材料，而该材料于块状状态下的电阻系依据一晶格应变与一电荷排列的变化至少其中之一而改变。

4. 发明专利

TW374183B 非晶質磁性材料及使用此非晶質磁性材料之磁芯失效
简体标题：非晶质磁性材料及使用此非晶质磁性材料之磁芯
公开(公告)号：TW374183B
公开(公告)日：1999-11-11
申请号：TW087109472
申请日：1998-06-15
申请人：東芝股份有限公司
发明人：酒井和美 , 日下隆夫 , 森谷泰明
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F1/15308 , Y10T428/115 , Y10T428/12431 , Y10T428/24975
摘要：一種非晶質磁性材料，包含：以（Ｆｅ1-a-bＮｉaＭb）100-x-yＳｉxＢy（式中、Ｍ係從Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ及Ｚｒ所選至少一種元素，０ . ３９５≦ａ≦０ . ７、０≦ｂ≦０ . ２１、１－ａ－ｂ＜ａ、６≦ｘ≦１８ａｔ％、１０≦ｙ≦１８ａｔ％）實質表示之組成。此種以Ｎｉ豐富之Ｆｅ－Ｎｉ為底之非晶質磁性材料，具有４７３～５７３Ｋ之居里溫度Ｔｃ、０ . ５～０ . ９Ｔ之最大磁束密度Ｂm。殘留磁束密度Ｂr與最大磁束密度Ｂm之比Ｂr／Ｂm可隨要求特性控制，使用於可飽和芯等時為６０％以上。以廉價之Ｆｅ－Ｎｉ底之非晶質磁性材料，可實現適合使用於高頻率域之磁特性、熱穩定性、表面平滑性等。
简体摘要：一种非晶质磁性材料，包含：以（Ｆｅ1-a-bＮｉaＭb）100-x-yＳｉxＢy（式中、Ｍ系从Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ及Ｚｒ所选至少一种元素，０ . ３９５≦ａ≦０ . ７、０≦ｂ≦０ . ２１、１－ａ－ｂ＜ａ、６≦ｘ≦１８ａｔ％、１０≦ｙ≦１８ａｔ％）实质表示之组成。此种以Ｎｉ丰富之Ｆｅ－Ｎｉ为底之非晶质磁性材料，具有４７３～５７３Ｋ之居里温度Ｔｃ、０ . ５～０ . ９Ｔ之最大磁束密度Ｂm。残留磁束密度Ｂr与最大磁束密度Ｂm之比Ｂr／Ｂm可随要求特性控制，使用于可饱和芯等时为６０％以上。以廉价之Ｆｅ－Ｎｉ底之非晶质磁性材料，可实现适合使用于高频率域之磁特性、热稳定性、表面平滑性等。

5. 发明专利

TWI371035B 使用非晶態材料作參考層及自由層之磁性穿隧接面磁阻之結構及其形成方法 MAGNETIC TUNNEL JUNCTION MAGNETORESISTIVE STRUCTURES USING AMORPHOUS MATERIALS AS REFERENCE AND FREE LAYERS AND METHODS MAKING THE SAME 有权
简体标题：使用非晶态材料作参考层及自由层之磁性穿隧接面磁阻之结构及其形成方法 MAGNETIC TUNNEL JUNCTION MAGNETORESISTIVE STRUCTURES USING AMORPHOUS MATERIALS AS REFERENCE AND FREE LAYERS AND METHODS MAKING THE SAME
公开(公告)号：TWI371035B
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：TW094139019
申请日：2005-11-07
申请人：萬國商業機器公司
发明人：斯圖特史戴芬帕渥斯帕金
IPC分类号： G11B
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01L43/12 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
摘要：本發明揭示磁性穿隧接面，其係自一MgO或Mg－ZnO穿隧障蔽層及若干與該穿隧障蔽層相接近並位於該穿隧障蔽層各個側上之非晶態磁性層構造而成。該非晶態磁性層較佳包含Co及至少一種經選擇以使該層為非晶態之額外元素，例如硼。自該等非晶態磁性層及該穿隧障蔽層形成之磁性穿隧接面具有高達200%或更大之穿隧磁阻值。
简体摘要：本发明揭示磁性穿隧接面，其系自一MgO或Mg－ZnO穿隧障蔽层及若干与该穿隧障蔽层相接近并位于该穿隧障蔽层各个侧上之非晶态磁性层构造而成。该非晶态磁性层较佳包含Co及至少一种经选择以使该层为非晶态之额外元素，例如硼。自该等非晶态磁性层及该穿隧障蔽层形成之磁性穿隧接面具有高达200%或更大之穿隧磁阻值。

6. 发明专利

TW201125303A 用於適應性學習一連續通道之一稀疏脈衝響應之方法與裝置 A METHOD AND AN APPARATUS FOR ADAPTIVELY LEARNING A SPARSE IMPULSE RESPONSE OF A CONTINUOUS CHANNEL 审中-公开
简体标题：用于适应性学习一连续信道之一稀疏脉冲响应之方法与设备 A METHOD AND AN APPARATUS FOR ADAPTIVELY LEARNING A SPARSE IMPULSE RESPONSE OF A CONTINUOUS CHANNEL
公开(公告)号：TW201125303A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099137042
申请日：2010-10-28
申请人：高通公司
发明人：凡特利馬汀 , 呂育 , 麥寇密馬汀
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H04L25/0212 , H04L25/025 , H04L25/03038 , H04L25/03987 , H04L2025/03617 , H04L2025/03636 , Y10T428/115
摘要：一種用於適應性學習一連續通道之一稀疏脈衝響應(100)的方法，一輸入信號(x(t))施加至該連續通道且該連續通道遞送一輸出信號(y(t))，該方法包含下列步驟：-低通濾波該輸入信號及該輸出信號，且獲得一經濾波輸入信號(xF(t))及一經濾波輸出信號(yF(t))-以低於奈奎斯特(Nyquist)速率之一取樣速率對該經濾波輸入信號及該經濾波輸出信號取樣，且獲得一經取樣輸入信號(xS(t))及一經取樣輸出信號(yS(t))-自該經取樣輸入信號(xS(t))及該經取樣輸出信號(yS(t))擷取該連續通道之該稀疏脈衝響應(100)的一估計(400)。此方法可應用於CDMA通道中、應用於聲室環境中、應用於超寬頻測距及線性回音消除問題中、應用於光纖之傳輸系統中、應用於人體掃描器件中，等等。
简体摘要：一种用于适应性学习一连续信道之一稀疏脉冲响应(100)的方法，一输入信号(x(t))施加至该连续信道且该连续信道递送一输出信号(y(t))，该方法包含下列步骤：-低通滤波该输入信号及该输出信号，且获得一经滤波输入信号(xF(t))及一经滤波输出信号(yF(t))-以低于奈奎斯特(Nyquist)速率之一采样速率对该经滤波输入信号及该经滤波输出信号采样，且获得一经采样输入信号(xS(t))及一经采样输出信号(yS(t))-自该经采样输入信号(xS(t))及该经采样输出信号(yS(t))截取该连续信道之该稀疏脉冲响应(100)的一估计(400)。此方法可应用于CDMA信道中、应用于声室环境中、应用于超宽带测距及线性回音消除问题中、应用于光纤之传输系统中、应用于人体扫描仪件中，等等。

7. 发明专利

TWI300921B 旋轉閥感測器及磁碟機系統 SPIN VALVE SENSOR, AND DISK DRIVE SYSTEM 有权
简体标题：旋转阀传感器及磁盘机系统 SPIN VALVE SENSOR, AND DISK DRIVE SYSTEM
公开(公告)号：TWI300921B
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：TW092133864
申请日：2003-12-02
申请人：日立環球儲存科技股份有限公司 HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES NETHERLANDS B.V.
发明人：哈戴亞賽吉爾 GILL, HARDAYAL SINGH
IPC分类号： G11B
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/3906 , Y10T29/49034 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49052 , Y10T428/1121 , Y10T428/115
摘要：本發明係揭示一種具有與引線重疊區域中的一自固定反
平行耦合偏壓層交換耦合的一薄抗鐵磁性
(antiferromagnetic;AFM)層之旋轉閥感測器。該旋轉閥感測
器包括與第一及第二被動區域中的一自由層反平行耦合之
一鐵磁性偏壓層,其中該第一及第二引線層重疊該等旋轉
閥感測器層以及與該偏壓層交換耦合的一薄抗鐵磁性層,
其係用以提供一固定磁場至該偏壓層。
简体摘要：本发明系揭示一种具有与引线重叠区域中的一自固定反平行耦合偏压层交换耦合的一薄抗铁磁性 (antiferromagnetic;AFM)层之旋转阀传感器。该旋转阀传感器包括与第一及第二被动区域中的一自由层反平行耦合之一铁磁性偏压层,其中该第一及第二引线层重叠该等旋转阀传感器层以及与该偏压层交换耦合的一薄抗铁磁性层, 其系用以提供一固定磁场至该偏压层。

8. 发明专利

TWI222630B 磁阻效應元件及使用磁阻效應元件之磁阻效應記憶體元件失效
简体标题：磁阻效应组件及使用磁阻效应组件之磁阻效应内存组件
公开(公告)号：TWI222630B
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：TW091108072
申请日：2002-04-19
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：杉田康成 , 平本雅祥 MASAYOSHI HIRAMOTO , 松川望 NOZOMU MATSUKAWA , 里見三男 , 川島良男 , 小田川明弘 AKIIRO ODAGAWA
IPC分类号： G11B , H01F
CPC分类号： H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , Y10T428/115
摘要：本發明之目的在於，提供一種磁阻效應(MR)元件，其係於磁性層中的至少1層含有以通式M100-aXa所表示之鐵磁性材料M-X，且MR比及耐熱性優異者。其中，M係選自 Fe、Co、Ni中之至少1種；X為以通式X1bX2cX3d所表示者(X1為選自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Au中之至少1種；X2為選自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn、鑭系元素中之至少1種；X3為選自Si、B、C、N、O、P、S中之至少1種)；a、b、c及d，分別為可滿足0.05
简体摘要：本发明之目的在于，提供一种磁阻效应(MR)组件，其系于磁性层中的至少1层含有以通式M100-aXa所表示之铁磁性材料M-X，且MR比及耐热性优异者。其中，M系选自 Fe、Co、Ni中之至少1种；X为以通式X1bX2cX3d所表示者(X1为选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Au中之至少1种；X2为选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn、镧系元素中之至少1种；X3为选自Si、B、C、N、O、P、S中之至少1种)；a、b、c及d，分别为可满足0.05

9. 发明专利

TW200418001A 具有用以固定反平行耦合片之薄抗鐵磁性層之磁電阻感測器 MAGNETORESISTIVE SENSOR WITH A THIN ANTIFERROMAGNETIC LAYER FOR PINNING ANTIPARALLEL COUPLED TABS 审中-公开
简体标题：具有用以固定反平行耦合片之薄抗铁磁性层之磁电阻传感器 MAGNETORESISTIVE SENSOR WITH A THIN ANTIFERROMAGNETIC LAYER FOR PINNING ANTIPARALLEL COUPLED TABS
公开(公告)号：TW200418001A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：TW092133864
申请日：2003-12-02
申请人：日立環球儲存科技股份有限公司 HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES NETHERLANDS B.V.
发明人：哈戴亞賽吉爾 GILL, HARDAYAL SINGH
IPC分类号： G11B
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/3906 , Y10T29/49034 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49052 , Y10T428/1121 , Y10T428/115
摘要：本發明係揭示一種具有與引線重疊區域中的一自固定反平行耦合偏壓層交換耦合的一薄抗鐵磁性(antiferromagnetic；AFM)層之旋轉閥感測器。該旋轉閥感測器包括與第一及第二被動區域中的一自由層反平行耦合之一鐵磁性偏壓層，其中該第一及第二引線層重疊該等旋轉閥感測器層以及與該偏壓層交換耦合的一薄抗鐵磁性層，其係用以提供一固定磁場至該偏壓層。
简体摘要：本发明系揭示一种具有与引线重叠区域中的一自固定反平行耦合偏压层交换耦合的一薄抗铁磁性(antiferromagnetic；AFM)层之旋转阀传感器。该旋转阀传感器包括与第一及第二被动区域中的一自由层反平行耦合之一铁磁性偏压层，其中该第一及第二引线层重叠该等旋转阀传感器层以及与该偏压层交换耦合的一薄抗铁磁性层，其系用以提供一固定磁场至该偏压层。

10. 发明专利

TW503391B 磁性薄膜、其製造方法、評價方法及使用此磁性薄膜的磁頭、磁性記錄裝置及磁性元件有权
简体标题：磁性薄膜、其制造方法、评价方法及使用此磁性薄膜的磁头、磁性记录设备及磁性组件
公开(公告)号：TW503391B
公开(公告)日：2002-09-21
申请号：TW089124866
申请日：2000-11-23
申请人：高橋研
发明人：高橋研 , 大衛賈亞普拉偉拉 , 莊司弘樹
IPC分类号： G11B , H01F
CPC分类号： H01P3/088 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/00 , G11B5/1278 , G11B5/3109 , G11B5/3143 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B5/66 , G11B5/7325 , G11B2005/0002 , G11B2005/3996 , H01F10/14 , H01F10/18 , H01F10/3222 , H01F10/324 , H01F10/3286 , H01F17/0033 , Y10T428/115
摘要：本發明提供一種磁性薄膜其製造方法、評價方法及使用此磁性薄膜的磁頭、磁性記錄裝置及磁性元件，能夠與構成讀取磁頭的磁阻元件以相同的乾製程製作，具備包合磁通量密度2T以上，飽磁力2Oe以下的優良軟磁氣特性，適合作為記錄磁頭的磁極材料。
本發明的磁性薄膜以馬式體(α’)相為主相，且至少是由碳以及鐵為構成元素所形成的碳化鐵膜。此碳化鐵膜以α相為單項形成更佳。使用X射線繞射法或電子線繞射法，觀測此碳化鐵膜是否為由α’相(002)面的繞射波峰做為主波峰的特定碳化鐵膜，具備體心立方構造、c軸成為磁化困難軸、c面成為磁化困難面、磁化困難軸成為相對於膜面的略垂直方向以及磁化容易面成為相對於膜面的略水平方向。
简体摘要：本发明提供一种磁性薄膜其制造方法、评价方法及使用此磁性薄膜的磁头、磁性记录设备及磁性组件，能够与构成读取磁头的磁阻组件以相同的干制程制作，具备包合磁通量密度2T以上，饱磁力2Oe以下的优良软磁气特性，适合作为记录磁头的磁极材料。本发明的磁性薄膜以马式体(α’)相为主相，且至少是由碳以及铁为构成元素所形成的碳化铁膜。此碳化铁膜以α相为单项形成更佳。使用X射线绕射法或电子线绕射法，观测此碳化铁膜是否为由α’相(002)面的绕射波峰做为主波峰的特定碳化铁膜，具备体心立方构造、c轴成为磁化困难轴、c面成为磁化困难面、磁化困难轴成为相对于膜面的略垂直方向以及磁化容易面成为相对于膜面的略水平方向。

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