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1. 发明专利

TWI668852B 記憶裝置有权
简体标题：记忆设备
公开(公告)号：TWI668852B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106104578
申请日：2017-02-13
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：杉前紀久子 , SUGIMAE, KIKUKO , 新屋敷悠介 , ARAYASHIKI, YASUKE
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00

2. 发明专利

TWI633541B 電阻變化型記憶裝置及其驅動方法有权
简体标题：电阻变化型记忆设备及其驱动方法
公开(公告)号：TWI633541B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106104040
申请日：2017-02-08
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：新屋敷悠介 , ARAYASHIKI, YUSUKE , 杉前紀久子 , SUGIMAE, KIKUKO , 市原玲華 , ICHIHARA, REIKA
IPC分类号： G11C11/00 , G11C13/00 , H01L45/00

3. 发明专利

TW201806143A 記憶裝置审中-公开
简体标题：记忆设备
公开(公告)号：TW201806143A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106104578
申请日：2017-02-13
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：杉前紀久子 , SUGIMAE, KIKUKO , 新屋敷悠介 , ARAYASHIKI, YASUKE
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0045 , G11C2013/0078 , G11C2213/11 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675
摘要：本發明之實施形態之記憶裝置具備：第1配線、第2配線、第1電阻變化構件、第3配線、第2電阻變化構件、第4配線、第5配線及第3電阻變化構件。上述第1配線、上述第3配線及上述第4配線於第1方向延伸。上述第2配線及上述第5配線於與上述第1方向交叉之第2方向延伸。上述第1電阻變化構件連接於上述第1配線與上述第2配線之間。上述第2電阻變化構件連接於上述第2配線與上述第3配線之間。上述第3電阻變化構件連接於上述第4配線與上述第5配線之間。上述第4配線與上述第3配線絕緣。
简体摘要：本发明之实施形态之记忆设备具备：第1配线、第2配线、第1电阻变化构件、第3配线、第2电阻变化构件、第4配线、第5配线及第3电阻变化构件。上述第1配线、上述第3配线及上述第4配线于第1方向延伸。上述第2配线及上述第5配线于与上述第1方向交叉之第2方向延伸。上述第1电阻变化构件连接于上述第1配线与上述第2配线之间。上述第2电阻变化构件连接于上述第2配线与上述第3配线之间。上述第3电阻变化构件连接于上述第4配线与上述第5配线之间。上述第4配线与上述第3配线绝缘。

4. 发明专利

TW201802803A 電阻變化型記憶裝置及其驅動方法审中-公开
简体标题：电阻变化型记忆设备及其驱动方法
公开(公告)号：TW201802803A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106104040
申请日：2017-02-08
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：新屋敷悠介 , ARAYASHIKI, YUSUKE , 杉前紀久子 , SUGIMAE, KIKUKO , 市原玲華 , ICHIHARA, REIKA
IPC分类号： G11C11/00 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0092 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , H01L27/249 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146
摘要：實施形態之電阻變化型記憶裝置具備：第1配線層、第2配線層、電阻變化構件及控制電路。上述第1配線層具有於第1方向延伸且沿著相對於上述第1方向交叉之第2方向排列之複數條第1配線。上述第2配線層具有於上述第2方向延伸且沿著上述第1方向排列之複數條第2配線。上述第2配線層相對於上述第1配線層，配置於相對於上述第1方向及上述第2方向兩者正交之第3方向。上述電阻變化構件連接於各上述第1配線與各上述第2配線之間。上述控制電路係於將上述電阻變化構件之電阻狀態自第1狀態切換為第2狀態時，向1條上述第1配線與上述複數條第2配線之間施加第1時間之第1電壓，且於施加上述第1電壓後，當與上述1條第1配線連接之複數個上述電阻變化構件中之1個以上之上述電阻變化構件之電阻狀態為第1狀態時，向上述1條第1配線與上述複數條第2配線之間施加第2時間之第2電壓，上述第2時間較上述第1時間長，上述第2電壓為與上述第1電壓相同極性且低於上述第1電壓。
简体摘要：实施形态之电阻变化型记忆设备具备：第1配线层、第2配线层、电阻变化构件及控制电路。上述第1配线层具有于第1方向延伸且沿着相对于上述第1方向交叉之第2方向排列之复数条第1配线。上述第2配线层具有于上述第2方向延伸且沿着上述第1方向排列之复数条第2配线。上述第2配线层相对于上述第1配线层，配置于相对于上述第1方向及上述第2方向两者正交之第3方向。上述电阻变化构件连接于各上述第1配线与各上述第2配线之间。上述控制电路系于将上述电阻变化构件之电阻状态自第1状态切换为第2状态时，向1条上述第1配线与上述复数条第2配线之间施加第1时间之第1电压，且于施加上述第1电压后，当与上述1条第1配线连接之复数个上述电阻变化构件中之1个以上之上述电阻变化构件之电阻状态为第1状态时，向上述1条第1配线与上述复数条第2配线之间施加第2时间之第2电压，上述第2时间较上述第1时间长，上述第2电压为与上述第1电压相同极性且低于上述第1电压。

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