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1. 发明专利

TW201543004A 晶圓彎曲的評價方法與使用此評價方法的晶圓選別方法审中-公开
简体标题：晶圆弯曲的评价方法与使用此评价方法的晶圆选别方法
公开(公告)号：TW201543004A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104108261
申请日：2015-03-16
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：齊藤久之 , SAITO, HISAYUKI
IPC分类号： G01B5/012 , G01B5/20 , H01L21/66
CPC分类号： G01B21/20 , G01B21/30 , G01B2210/56 , G03F7/20 , G03F7/70633 , G03F7/70783 , H01L22/12
摘要：本發明為一種晶圓彎曲的評價方法，包含：第一步驟，測量未吸附的自由狀態的晶圓的彎曲，以及第二步驟，使用經測量的晶圓的彎曲的資料，求出與點P相隔距離a的點Q1 與點Q2 的兩點之間的晶圓彎曲量A，以及求出與點P相隔不同於距離a的距離b的點R1 與點R2 的兩點之間的晶圓彎曲量B，根據晶圓彎曲量A與晶圓彎曲量B計算出於點P中晶圓彎曲量的差，並根據所計算出的晶圓彎曲量的差而評價晶圓的彎曲。如此一來，導入顯示於吸附晶圓時因插針夾頭的節距差異所產生的彎曲的修正程度的差的新參數，並且使用此新參數評價晶圓彎曲的評價方法。
简体摘要：本发明为一种晶圆弯曲的评价方法，包含：第一步骤，测量未吸附的自由状态的晶圆的弯曲，以及第二步骤，使用经测量的晶圆的弯曲的数据，求出与点P相隔距离a的点Q1 与点Q2 的两点之间的晶圆弯曲量A，以及求出与点P相隔不同于距离a的距离b的点R1 与点R2 的两点之间的晶圆弯曲量B，根据晶圆弯曲量A与晶圆弯曲量B计算出于点P中晶圆弯曲量的差，并根据所计算出的晶圆弯曲量的差而评价晶圆的弯曲。如此一来，导入显示于吸附晶圆时因插针夹头的节距差异所产生的弯曲的修正程度的差的新参数，并且使用此新参数评价晶圆弯曲的评价方法。

2. 发明专利

TWI616643B 晶圓彎曲的評價方法與使用此評價方法的晶圓選別方法有权
简体标题：晶圆弯曲的评价方法与使用此评价方法的晶圆选别方法
公开(公告)号：TWI616643B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW104108261
申请日：2015-03-16
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：齊藤久之 , SAITO, HISAYUKI
IPC分类号： G01B5/012 , G01B5/20 , H01L21/66
CPC分类号： G01B21/20 , G01B21/30 , G01B2210/56 , G03F7/20 , G03F7/70633 , G03F7/70783 , H01L22/12

3. 发明专利

TW200845257A 矽晶圓的評價方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的评价方法
公开(公告)号：TW200845257A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096148822
申请日：2007-12-19
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：齊藤久之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/14 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49135 , Y10T29/49144 , Y10T29/49227
摘要：本發明提供一種矽晶圓的評價方法,是藉由在矽晶圓上依照順序形成絕緣膜和1個以上的電極來製作金氧半電容器(MOS Capacitor)後,從上述所形成的電極對絕緣膜施加電場而測定該絕緣膜的絕緣破壞特性,來評價矽晶圓的方法,其特徵為:至少在形成上述1個以上的電極時,使該形成的電極的全部佔有面積為上述矽晶圓表面面積的5%以上,來評價該矽晶圓。藉此,能夠提供一種矽晶圓的評價方法,能夠藉由TDDB法等簡單的方法,且以與DSOD法相同程度,高精確度地進行檢測矽晶圓的缺陷。
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆的评价方法,是借由在硅晶圆上依照顺序形成绝缘膜和1个以上的电极来制作金氧半电容器(MOS Capacitor)后,从上述所形成的电极对绝缘膜施加电场而测定该绝缘膜的绝缘破坏特性,来评价硅晶圆的方法,其特征为:至少在形成上述1个以上的电极时,使该形成的电极的全部占有面积为上述硅晶圆表面面积的5%以上,来评价该硅晶圆。借此,能够提供一种硅晶圆的评价方法,能够借由TDDB法等简单的方法,且以与DSOD法相同程度,高精确度地进行检测硅晶圆的缺陷。

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