专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201812459A 半導體製程的量測方法與設備审中-公开
简体标题：半导体制程的量测方法与设备
公开(公告)号：TW201812459A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106119247
申请日：2017-06-09
申请人：愛美科公司 , IMEC VZW
发明人：奧斯夫尼特克里斯托弗 , AUSSCHNITT, CHRISTOPHER , 特魯費特文森 , TRUFFERT, VINCENT
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/705 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要：本發明係關於一種方法及設備，其用於判定產生於一半導體生產晶圓(即，用於在一晶圓上產生多個晶片之一製程中所使用之晶圓)上之一晶片之一圖案化層中之特徵之尺寸。該圖案化層之產生包含一微影步驟及一蝕刻步驟，其中用於產生該圖案化層之微影光罩具有一或多個不對稱標記。經印刷及經蝕刻之標記特徵之位置對微影及蝕刻參數敏感。根據較佳實施例，藉由疊對量測來量測此等位置變動，即，量測一標記相對於另一標記之位置變動。將獲得之「偽」疊對資料與一參數模型擬合，同時在一測試晶圓上量測特性特徵尺寸。經反轉之模型允許判定一生產晶圓上之特徵尺寸。將該方法應用於兩個不同層上允許判定該兩個層之特徵之間的邊緣放置誤差。
简体摘要：本发明系关于一种方法及设备，其用于判定产生于一半导体生产晶圆(即，用于在一晶圆上产生多个芯片之一制程中所使用之晶圆)上之一芯片之一图案化层中之特征之尺寸。该图案化层之产生包含一微影步骤及一蚀刻步骤，其中用于产生该图案化层之微影光罩具有一或多个不对称标记。经印刷及经蚀刻之标记特征之位置对微影及蚀刻参数敏感。根据较佳实施例，借由叠对量测来量测此等位置变动，即，量测一标记相对于另一标记之位置变动。将获得之“伪”叠对数据与一参数模型拟合，同时在一测试晶圆上量测特性特征尺寸。经反转之模型允许判定一生产晶圆上之特征尺寸。将该方法应用于两个不同层上允许判定该两个层之特征之间的边缘放置误差。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式