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1. 发明专利

TW201742230A 重疊標記、重疊測量方法以及使用該重疊標記的半導體裝置製造方法审中-公开
简体标题：重叠标记、重叠测量方法以及使用该重叠标记的半导体设备制造方法
公开(公告)号：TW201742230A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105133791
申请日：2016-10-20
申请人：奧路絲科技有限公司 , AUROS TECHNOLOGY, INC.
发明人：張賢鎭 , CHANG, HYUN JIN , 河昊澈 , HA, HO CHEUL , 李吉洙 , LEE, GHIL SOO
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
CPC分类号： G03F1/42 , G03F7/20 , G03F9/00 , H01L23/544
摘要：本發明是有關於一種重疊標記、利用其的重疊測量方法及半導體裝置製造方法。本發明提供一種重疊標記，其確定兩個連續的圖案層或分別形成於一個層的兩個以上的圖案間的相對錯位，包括：第一重疊構造物，包括一對第一桿及一對第二桿，上述一對第一桿彼此面向，沿第一方向延伸，上述一對第二桿彼此面向，沿與第一方向正交的第二方向延伸；及第二重疊構造物，包括與上述第一桿平行的多對第三桿及與上述第二桿平行的多對第四桿，相鄰的第三桿之間的間隔不同，相鄰的第四桿之間的間隔不同。本發明的重疊標記具有可藉由使桿之間的間隔不同而將於分析圖像時發生的錯誤最小化的優點。
简体摘要：本发明是有关于一种重叠标记、利用其的重叠测量方法及半导体设备制造方法。本发明提供一种重叠标记，其确定两个连续的图案层或分别形成于一个层的两个以上的图案间的相对错位，包括：第一重叠构造物，包括一对第一杆及一对第二杆，上述一对第一杆彼此面向，沿第一方向延伸，上述一对第二杆彼此面向，沿与第一方向正交的第二方向延伸；及第二重叠构造物，包括与上述第一杆平行的多对第三杆及与上述第二杆平行的多对第四杆，相邻的第三杆之间的间隔不同，相邻的第四杆之间的间隔不同。本发明的重叠标记具有可借由使杆之间的间隔不同而将于分析图像时发生的错误最小化的优点。

2. 发明专利

TWI599853B 判定聚焦的方法、檢驗裝置、及元件製造方法有权
简体标题：判定聚焦的方法、检验设备、及组件制造方法
公开(公告)号：TWI599853B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW102122025
申请日：2013-06-20
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：希尼保羅克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN , 王淑錦 , WANG, SHU JIN , 李維斯克理斯宣馬瑞斯 , LEEWIS, CHRISTIAN MARINUS , 鮑國峯 , PAO, KUO FENG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F7/70625 , G03F7/70683

3. 发明专利

TW201642017A 空白光罩用基板、空白光罩、反射型空白光罩、轉印光罩、反射型光罩以及該等之製造方法审中-公开
简体标题：空白光罩用基板、空白光罩、反射型空白光罩、转印光罩、反射型光罩以及该等之制造方法
公开(公告)号：TW201642017A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105125888
申请日：2012-05-18
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：佐佐木達也 , SASAKI, TATSUYA , 西村貴仁 , NISHIMURA, TAKAHITO
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/24 , B32B3/02 , G03F1/22 , G03F1/38 , G03F1/42 , G03F1/60 , Y10T428/24488
摘要：本發明之目的在於提供一種可在研磨加工中，排除斜剖面所構成之基板記號對於平坦度的不良影響，從而提高平坦度之空白光罩用基板、空白光罩及轉印光罩，以及該等的製造方法。空白光罩用基板係形成有斜剖面所構成的基板記號，該基板記號相對於主表面的傾斜角係大於45°但小於90°，從主表面與基板記號的交界到空白光罩用基板的外周之距離係小於1.5mm。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可在研磨加工中，排除斜剖面所构成之基板记号对于平坦度的不良影响，从而提高平坦度之空白光罩用基板、空白光罩及转印光罩，以及该等的制造方法。空白光罩用基板系形成有斜剖面所构成的基板记号，该基板记号相对于主表面的倾斜角系大于45°但小于90°，从主表面与基板记号的交界到空白光罩用基板的外周之距离系小于1.5mm。

4. 发明专利

TWI531867B 使用微透鏡陣列之曝光裝置及光學構件有权
简体标题：使用微透镜数组之曝光设备及光学构件
公开(公告)号：TWI531867B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW100130557
申请日：2011-08-25
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU , 新井敏成 , ARAI, TOSHINARI
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F1/42 , G02B3/0056 , G02B3/0068 , G03F1/38 , G03F9/7038 , G03F9/7096

5. 发明专利

TW201310499A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201310499A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101121333
申请日：2012-06-14
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：寺本直幸 , TERAMOTO, NAOYUKI , 深澤穗 , FUKAZAWA, MEGUMU , 熊代真行 , KUMASHIRO, MASAYUKI , 川頭清司 , KAWAGASHIRA, KIYOSHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L23/544
CPC分类号： G03F1/42 , G03F9/7026
摘要：本發明的課題是在於校正投影透鏡的聚焦，防止起因於散焦之圖案的尺寸不良的發生。其解決手段是分別在使用於曝光的中間掩膜(RT)上所形成的晶片圖案(CP)至少形成一個的聚焦自動校正標記(F2)，利用該等的聚焦自動校正標記(F2)之中被配置於實元件區域(D1)的中心部之聚焦自動校正標記(F2)來進行曝光光的聚焦的自動校正。藉此，檢測出比投影透鏡的端部容易變高溫的投影透鏡的中央部的聚焦的變動，而來校正。
简体摘要：本发明的课题是在于校正投影透镜的聚焦，防止起因于散焦之图案的尺寸不良的发生。其解决手段是分别在使用于曝光的中间掩膜(RT)上所形成的芯片图案(CP)至少形成一个的聚焦自动校正标记(F2)，利用该等的聚焦自动校正标记(F2)之中被配置于实组件区域(D1)的中心部之聚焦自动校正标记(F2)来进行曝光光的聚焦的自动校正。借此，检测出比投影透镜的端部容易变高温的投影透镜的中央部的聚焦的变动，而来校正。

6. 发明专利

TW201248339A 曝光裝置之對準裝置 ALIGNMENT DEVICE FOR LIGHT EXPOSURE DEVICE 审中-公开
简体标题：曝光设备之对准设备 ALIGNMENT DEVICE FOR LIGHT EXPOSURE DEVICE
公开(公告)号：TW201248339A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101117142
申请日：2012-05-14
申请人： V科技股份有限公司
发明人：橋本和重 , 新井敏成 , 火田中誠
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/42 , G03F9/7038 , G03F9/7088
摘要：利用具有長波長光線透射區域與短波長光線透射區域之濾光片,藉由相機的感測器來偵測基板上的對準記號與光罩上的對準記號。因為長波長光線焦點距離較長,短波長光線焦點距離較短,所以基板對準記號反射光之中的長波長光線,與光罩對準記號反射光之中的短波長光線,能同時成像於相機的感測器,而同時觀察到。並且,以基板對準記號的中點與光罩對準記號的中點成一致的方式取得基板與光罩之對準。藉此,即使基板或光罩與相機感測器產生間隔變動、光路產生光軸偏移,也能以高精度取得基板與光罩之對準。
简体摘要：利用具有长波长光线透射区域与短波长光线透射区域之滤光片,借由相机的传感器来侦测基板上的对准记号与光罩上的对准记号。因为长波长光线焦点距离较长,短波长光线焦点距离较短,所以基板对准记号反射光之中的长波长光线,与光罩对准记号反射光之中的短波长光线,能同时成像于相机的传感器,而同时观察到。并且,以基板对准记号的中点与光罩对准记号的中点成一致的方式取得基板与光罩之对准。借此,即使基板或光罩与相机传感器产生间隔变动、光路产生光轴偏移,也能以高精度取得基板与光罩之对准。

7. 发明专利

TW201239950A 對位誤差之評估方法及其光罩 METHOD FOR EVALUATING OVERLAY ERROR AND MASK FOR THE SAME 审中-公开
简体标题：对位误差之评估方法及其光罩 METHOD FOR EVALUATING OVERLAY ERROR AND MASK FOR THE SAME
公开(公告)号：TW201239950A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100121552
申请日：2011-06-21
申请人：南亞科技股份有限公司
发明人：周冠廷 , 范倍誠
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F1/42 , G03F7/70633 , G03F7/70683
摘要：本發明之光罩之一實施例,包含:複數個元件區域,均勻地分佈於該光罩上,各元件區域包含複數個元件圖案及複數個當層檢查圖案,鄰近於該複數個元件圖案;一對位標記,設置該光罩之邊緣;其中該當層檢查圖案係經配置以評估該光罩之圖案偏移,該對位標記及該當層檢查圖案係經配置以評估該光罩與另一光罩在一曝光製程的對位誤差。
简体摘要：本发明之光罩之一实施例,包含:复数个组件区域,均匀地分布于该光罩上,各组件区域包含复数个组件图案及复数个当层检查图案,邻近于该复数个组件图案;一对位标记,设置该光罩之边缘;其中该当层检查图案系经配置以评估该光罩之图案偏移,该对位标记及该当层检查图案系经配置以评估该光罩与另一光罩在一曝光制程的对位误差。

8. 发明专利

TW201229657A 製造光罩的方法 METHOD OF FABRICATING A MASK 审中-公开
简体标题：制造光罩的方法 METHOD OF FABRICATING A MASK
公开(公告)号：TW201229657A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100101217
申请日：2011-01-13
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：石大德
IPC分类号： G03F , B29C , H01J
CPC分类号： G03F1/76 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/42 , G03F1/78 , G03F7/0002 , Y10S430/143
摘要：於依據本發明之製造光罩的方法中，使用一壓印蝕刻製程於光罩基板的第一區形成圖案；另使用電子束直寫製程於光罩基板的第二區形成另一圖案。再者，此二圖案可於電子束直寫反應室內藉由光學式的對準步驟而良好的聯結在一起。
简体摘要：于依据本发明之制造光罩的方法中，使用一压印蚀刻制程于光罩基板的第一区形成图案；另使用电子束直写制程于光罩基板的第二区形成另一图案。再者，此二图案可于电子束直写反应室内借由光学式的对准步骤而良好的联结在一起。

9. 发明专利

TW200809912A 改良之疊對標記 IMPROVED OVERLAY MARK 审中-公开
简体标题：改良之叠对标记 IMPROVED OVERLAY MARK
公开(公告)号：TW200809912A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW095128681
申请日：2006-08-04
申请人：南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：邱垂福 CHIU, CHUI FU , 吳文彬 WU, WEN BIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F9/7076 , G03F1/42 , G03F7/70633 , G03F7/70683
摘要：一種疊對標記(overlay mark),係形成於一光罩(mask)上,該疊對標記包含:一第一矩形區域、一第二矩形區域、一第三矩形區域、以及一第四矩形區域,其中該第一矩形區域之一長邊與該第三矩形區域之一長邊互相平行,且該兩矩形區域分別具有相同的一第一圖案安排,該第一圖案安排具有一第一圖案元件,該第二矩形區域之一長邊與該第四矩形區域之一長邊互相平行,且該兩矩形區域分別具有相同的一第二圖案安排,該第二圖案安排具有一第二圖案元件,而該第一矩形區域之一長邊方向與該第二矩形區域之一長邊方向為互相垂直;其中,該第一圖案元件與該第二圖案元件不同,當製程中於基材上的標記圖案之該第一圖案安排被損壞時,尚有該第二圖案安排可供對準。
简体摘要：一种叠对标记(overlay mark),系形成于一光罩(mask)上,该叠对标记包含:一第一矩形区域、一第二矩形区域、一第三矩形区域、以及一第四矩形区域,其中该第一矩形区域之一长边与该第三矩形区域之一长边互相平行,且该两矩形区域分别具有相同的一第一图案安排,该第一图案安排具有一第一图案组件,该第二矩形区域之一长边与该第四矩形区域之一长边互相平行,且该两矩形区域分别具有相同的一第二图案安排,该第二图案安排具有一第二图案组件,而该第一矩形区域之一长边方向与该第二矩形区域之一长边方向为互相垂直;其中,该第一图案组件与该第二图案组件不同,当制程中于基材上的标记图案之该第一图案安排被损坏时,尚有该第二图案安排可供对准。

10. 发明专利

TWI279796B 製造磁碟基板用之轉壓印具及曝光遮罩 STAMPER AND EXPOSURE MASK FOR PRODUCING MAGNETIC DISC SUBSTRATE 失效
简体标题：制造磁盘基板用之转压印具及曝光遮罩 STAMPER AND EXPOSURE MASK FOR PRODUCING MAGNETIC DISC SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI279796B
公开(公告)日：2007-04-21
申请号：TW094108920
申请日：2005-03-23
申请人：先鋒股份有限公司 PIONEER CORPORATION
发明人：勝村昌廣 KATSUMURA, MASAHIRO
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G03F7/201 , B82Y10/00 , G03F1/42 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B5/865
摘要：一種製造磁碟基板用之轉壓印具及曝光遮罩，於該轉壓印具上係就每一預定旋轉角度形成具有凹凸形伺服圖案以提供碟片之位置資訊的伺服區以及具有用於記錄資料之凹凸形圖案的資料區於該曝光遮罩中則就每一預定旋轉角度形成具有伺服圖案以提供碟片之位置資訊的伺服區以及具有用於記錄資料之圖案的資料區。
简体摘要：一种制造磁盘基板用之转压印具及曝光遮罩，于该转压印具上系就每一预定旋转角度形成具有凹凸形伺服图案以提供盘片之位置信息的伺服区以及具有用于记录数据之凹凸形图案的数据区于该曝光遮罩中则就每一预定旋转角度形成具有伺服图案以提供盘片之位置信息的伺服区以及具有用于记录数据之图案的数据区。

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