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1. 发明专利

TW200934324A 配線基板、電路基板、其製造方法 WIRING BOARD, CIRCUIT BOARD, AND MANUFACTURING THEREOF 审中-公开
简体标题：配线基板、电路基板、其制造方法 WIRING BOARD, CIRCUIT BOARD, AND MANUFACTURING THEREOF
公开(公告)号：TW200934324A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097140397
申请日：2008-10-22
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：片岡龍男 KATAOKA, TATSUO
IPC分类号： H05K
摘要：本發明的配線基板係為在絕緣薄膜表面,隔介晶種層形成多數個經導電性金屬電鑄所成之配線圖案的配線基板,其中,該配線圖案之上表面係與具有該配線圖案線寬度之1.0倍以上之半徑的任一假想圓之圓弧一致;電路基板係在該配線基板安裝有電子零件;根據本發明,因為配線圖案之上表面呈平坦,因而在與電子零件等其他構件之間可確立穩定的電性連接。
简体摘要：本发明的配线基板系为在绝缘薄膜表面,隔介晶种层形成多数个经导电性金属电铸所成之配线图案的配线基板,其中,该配线图案之上表面系与具有该配线图案线宽度之1.0倍以上之半径的任一假想圆之圆弧一致;电路基板系在该配线基板安装有电子零件;根据本发明,因为配线图案之上表面呈平坦,因而在与电子零件等其他构件之间可确立稳定的电性连接。

2. 发明专利

TW200927885A 藍色螢光體 BLUE FLUORESCENT ELEMENT 审中-公开
简体标题：蓝色萤光体 BLUE FLUORESCENT ELEMENT
公开(公告)号：TW200927885A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097145052
申请日：2008-11-21
申请人：國立大學法人鳥取大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOTTORI UNIVERSITY , 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：大觀光德 OHMI, KOUTOKU , 大橋剛 OHASHI, TSUYOSHI , 口誠 HIGUCHI, MAKOTO , 篠倉明日香 SASAKURA, ASUKA , 伊東純一 ITOH, JUN-ICHI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K11/7721 , H01L33/502
摘要：本發明係藉由將一般式Ba2SiS4:Ce所示之藍色螢光體中之Si位置之一部分置換為Al,而作成含有一般式:Ba2(Si1-xAlx)S4:Ce(惟式中之x係為0
简体摘要：本发明系借由将一般式Ba2SiS4:Ce所示之蓝色萤光体中之Si位置之一部分置换为Al,而作成含有一般式:Ba2(Si1-xAlx)S4:Ce(惟式中之x系为0

3. 发明专利

TW200927657A 氧化銦系靶 INDIUM OXIDE TARGET 审中-公开
简体标题：氧化铟系靶 INDIUM OXIDE TARGET
公开(公告)号：TW200927657A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097138073
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： C01G , C23C
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種氧化銦系靶,其特徵為具備:含有銦與視需要之錫,且相對於銦1莫耳含有氧鍵能在100至350kJ/mol範圍之添加元素(但,Ba、Mg、Y則除外)0.0001莫耳以上0.1莫耳以下之氧化物燒結體。
简体摘要：本发明提供一种氧化铟系靶,其特征为具备:含有铟与视需要之锡,且相对于铟1莫耳含有氧键能在100至350kJ/mol范围之添加元素(但,Ba、Mg、Y则除外)0.0001莫耳以上0.1莫耳以下之氧化物烧结体。

4. 发明专利

TW200926209A 氧化銦系透明導電膜及其製造方法 INDIUM OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜及其制造方法 INDIUM OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200926209A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097138083
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： H01B , C23C , C01G
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：一種氧化銦系透明導電膜,係使用具備氧化物燒結體之濺鍍靶而成膜者,該氧化物燒結體含有氧化銦與錫且同時含有鎂,該透明導電膜含有氧化銦與必要時之錫且同時含有鎂,且相對於銦1莫耳之錫的莫耳比y為:相對於銦1莫耳之鎂的莫耳比以x表示時之(-4.1�10^-2Ln(x)-9.3�10^-2)之値以上、且為(-2.5�10^-1Ln(x)-5.7�10^-1)之値以下的範圍。
简体摘要：一种氧化铟系透明导电膜,系使用具备氧化物烧结体之溅镀靶而成膜者,该氧化物烧结体含有氧化铟与锡且同时含有镁,该透明导电膜含有氧化铟与必要时之锡且同时含有镁,且相对于铟1莫耳之锡的莫耳比y为:相对于铟1莫耳之镁的莫耳比以x表示时之(-4.1�10^-2Ln(x)-9.3�10^-2)之値以上、且为(-2.5�10^-1Ln(x)-5.7�10^-1)之値以下的范围。

5. 发明专利

TW200923112A 氧化銦系透明導電膜及其製造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜及其制造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200923112A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097138492
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO , 池田真 IKEDA, MAKOTO
IPC分类号： C23C , H01B
CPC分类号： C23C14/086
摘要：本發明是有關一種透明導電膜,其係使用具備有含有氧化銦與錫、同時相對於銦1莫耳含有0.00001莫耳以上不足0.10莫耳鋇之氧化物燒結體之濺鍍靶而成膜為非晶形膜之透明導電膜,其特徵為含有氧化銦與錫同時含有鋇,且係在水之分壓為1.0�10^-4Pa以上1.0�10^-1Pa下之條件下成膜者。
简体摘要：本发明是有关一种透明导电膜,其系使用具备有含有氧化铟与锡、同时相对于铟1莫耳含有0.00001莫耳以上不足0.10莫耳钡之氧化物烧结体之溅镀靶而成膜为非晶形膜之透明导电膜,其特征为含有氧化铟与锡同时含有钡,且系在水之分压为1.0�10^-4Pa以上1.0�10^-1Pa下之条件下成膜者。

6. 发明专利

TW200917914A 鈦酸鍶鋇系介電層、具有該鈦酸鍶鋇層之電容層形成材料、具有電極電路之電容層構成材料以及具備內藏電容電路之印刷線路板审中-公开
简体标题：钛酸锶钡系介电层、具有该钛酸锶钡层之电容层形成材料、具有电极电路之电容层构成材料以及具备内藏电容电路之印刷线路板
公开(公告)号：TW200917914A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097114609
申请日：2008-04-22
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：菅野明弘 , 杉岡晶子 , 阿部直彥
IPC分类号： H05K , H01G
CPC分类号： H05K1/162 , H01G4/1227 , H05K2201/0175
摘要：本發明的目的是提供即使因發熱而發生溫度變化,其電容密度變化小的介電層。為了達成此一目的,是使用一種鈦酸鍶鋇系介電層,適用於電容電路的製造,其特徵在於:在上述鈦酸鍶鋇系介電層中,其鋇與鍶的組成對比(balance)是滿足BaxSr1-xTiO3(0.8≦x
简体摘要：本发明的目的是提供即使因发热而发生温度变化,其电容密度变化小的介电层。为了达成此一目的,是使用一种钛酸锶钡系介电层,适用于电容电路的制造,其特征在于:在上述钛酸锶钡系介电层中,其钡与锶的组成对比(balance)是满足BaxSr1-xTiO3(0.8≦x<1)的关系,且其厚度为0.3��m~0.7��m。另外,尚提供一种印刷线路板的电容层形成材料,其在上述钛酸锶钡系介电层的单面侧具有一下电极形成层,而在上钛酸锶钡系介电层的另一面侧具有一上电极形成层。

7. 发明专利

TWI306792B 鎳粒子的製造方法及由此製造方法所得之鎳粒子以及使用此鎳粒子之導電性糊料失效
简体标题：镍粒子的制造方法及由此制造方法所得之镍粒子以及使用此镍粒子之导电性煳料
公开(公告)号：TWI306792B
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW095123509
申请日：2006-06-29
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：向野隆 TAKASHI MUKUNO , 吉丸克彥
IPC分类号： B22F , C09D
CPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0018 , B82Y30/00 , H01B1/22
摘要：本發明之目的在於提供一種微粒、且粒度分佈集中之鎳粒子,以及使用此鎳粒子之導電性糊料。為了得到可以達成此目的之鎳粒子,採用一種將包含鎳鹽以及多元醇(polyol)之反應液加熱到還原溫度,而還原該反應液中之鎳鹽之鎳粒子的製造方法,其特徵在於:在昇溫加熱前述反應液達到前述還原溫度之前的階段,該反應液中係含有包含羧基及/或氨基之羧酸類或者胺類、貴金屬觸媒。於是,使用此製造方法,就能得到影像解析平均粒徑為1nm~300nm之鎳粒子。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种微粒、且粒度分布集中之镍粒子,以及使用此镍粒子之导电性煳料。为了得到可以达成此目的之镍粒子,采用一种将包含镍盐以及多元醇(polyol)之反应液加热到还原温度,而还原该反应液中之镍盐之镍粒子的制造方法,其特征在于:在升温加热前述反应液达到前述还原温度之前的阶段,该反应液中系含有包含羧基及/或氨基之羧酸类或者胺类、贵金属触媒。于是,使用此制造方法,就能得到影像解析平均粒径为1nm~300nm之镍粒子。

8. 发明专利

TWI302159B 多層印刷電路板之製造方法及藉由該方法所製出之多層印刷電路板有权
简体标题：多层印刷电路板之制造方法及借由该方法所制出之多层印刷电路板
公开(公告)号：TWI302159B
公开(公告)日：2008-10-21
申请号：TW094126954
申请日：2005-08-09
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：中村健介
IPC分类号： C08L , H05K
CPC分类号： H05K1/162 , H05K3/002 , H05K3/0044 , H05K3/4626 , H05K3/4652 , H05K3/4655 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0376 , H05K2201/09509 , H05K2203/025 , H05K2203/0554 , Y10T29/435 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165
摘要：本發明的目的在於提供一種多層印刷電路板之製造技術以及具有內藏電容電路的多層印刷電路板,其介電層的厚度均一性以及電容電路的位置精確度良好,亦能夠儘可能去除多餘介電質層。為了達成此一目的,可採用具有內藏電容電路的多層印刷電路板的製造方法等,此方法包括設置介電層以及第1導電性金屬層於具有基底電極電路的核心材料的兩面的第1導電性金屬層貼合步驟;位於外層位置的上述第1導電性金屬層加工成為上部電極,並且使得電路部分以外區域的介電層露出的上部電極形成步驟;去除電路部分以外露出的介電層的介電層去除步驟;埋設上部電極間的間隙,並且設置絕緣層以及第2導電性金屬層於上部電極上的第2導電性金屬層貼合步驟;以及將第2導電性金屬層加工成為外層電路的外層電路形成步驟。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种多层印刷电路板之制造技术以及具有内藏电容电路的多层印刷电路板,其介电层的厚度均一性以及电容电路的位置精确度良好,亦能够尽可能去除多余介电质层。为了达成此一目的,可采用具有内藏电容电路的多层印刷电路板的制造方法等,此方法包括设置介电层以及第1导电性金属层于具有基底电极电路的内核材料的两面的第1导电性金属层贴合步骤;位于外层位置的上述第1导电性金属层加工成为上部电极,并且使得电路部分以外区域的介电层露出的上部电极形成步骤;去除电路部分以外露出的介电层的介电层去除步骤;埋设上部电极间的间隙,并且设置绝缘层以及第2导电性金属层于上部电极上的第2导电性金属层贴合步骤;以及将第2导电性金属层加工成为外层电路的外层电路形成步骤。

9. 发明专利

TWI298506B 電容層形成材料及該電容層形成材料之製造方法失效
简体标题：电容层形成材料及该电容层形成材料之制造方法
公开(公告)号：TWI298506B
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW095115246
申请日：2006-04-28
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：阿部直彥 , 杉岡晶子 , 菅野明弘 , 中島弘毅
IPC分类号： H01G , H05K
CPC分类号： H05K1/162 , H01G4/1209 , H01G4/206 , H01G4/33 , H05K2201/0175 , H05K2203/1147 , Y10T428/265 , Y10T428/266
摘要：本發明之目的在於提供一種電容層形成材料,其係可使電容電路之漏電流小者,該電容電路包括:介電層,其係使用溶膠-凝膠法、MOCVD法、濺鍍蒸鍍法之任一形成者。為達成該目的,採用一種電容層形成材料等,其係於在用於形成上部電極之第1導電層與用於形成下部電極之第2導電層之間包括介電層者,其特徵在於:該介電層,係以溶膠-凝膠法、MOCVD法、濺鍍蒸鍍法之任一形成之氧化物介電膜,於構成該氧化物介電膜之粒子之間含浸樹脂成分。又,作為關於本案發明之電容層形成材料之製造方法,採用一種製造方法,其特徵在於:於下部電極之構成材料之表面,以溶膠-凝膠法、MOCVD法、濺鍍蒸鍍法之任一形成氧化物介電膜,於該氧化物介電膜之表面,塗工樹脂清漆使之含浸,使樹脂乾燥,使樹脂硬化形成介電層,其後,於該介電層上設上部電極構成層。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种电容层形成材料,其系可使电容电路之漏电流小者,该电容电路包括:介电层,其系使用溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅镀蒸镀法之任一形成者。为达成该目的,采用一种电容层形成材料等,其系于在用于形成上部电极之第1导电层与用于形成下部电极之第2导电层之间包括介电层者,其特征在于:该介电层,系以溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅镀蒸镀法之任一形成之氧化物介电膜,于构成该氧化物介电膜之粒子之间含浸树脂成分。又,作为关于本案发明之电容层形成材料之制造方法,采用一种制造方法,其特征在于:于下部电极之构成材料之表面,以溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅镀蒸镀法之任一形成氧化物介电膜,于该氧化物介电膜之表面,涂工树脂清漆使之含浸,使树脂干燥,使树脂硬化形成介电层,其后,于该介电层上设上部电极构成层。

10. 发明专利

TW200824509A 電子零件安裝用膜片承載帶及其製造方法 FILM CARRIER TAPE FOR MOUNTING ELECTRONIC COMPONENTS AND METHOD OF MANUFACTURING THE FILM CARRIER TAPE 审中-公开
简体标题：电子零件安装用膜片承载带及其制造方法 FILM CARRIER TAPE FOR MOUNTING ELECTRONIC COMPONENTS AND METHOD OF MANUFACTURING THE FILM CARRIER TAPE
公开(公告)号：TW200824509A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096132838
申请日：2007-09-04
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：栗原宏明 KURIHARA, HIROAKI , 安井直哉 YASUI, NAOYA
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/383 , H01L23/4985 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H05K1/0393 , H05K3/022 , H05K2203/0353 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
摘要：本發明的目的為提供具有配線間距35��m以下的配線之電子零件安裝用膜片承載帶及其製造方法,為了解決上述課題,本發明的電子零件安裝用膜片承載帶,係為將接著面側表面粗糙度(Rzjis)為2.5��m以下之導體箔與底膜片予以黏貼在一起之構成,該電子零件安裝用膜片承載帶係使用該導體箔的光阻面側的表面粗糙度(Rzjis)為1.0��m以下之撓性覆導體箔積層板當作配線形成用材料而製作者。在該撓性覆導體箔積層板中,也能依照需要對使用了光澤面處理電解銅箔的撓性覆銅積層板之銅箔層以殘留原來的厚度之1/2以上之方式進行半蝕刻加工而予以使用,其中,該光澤面處理電解銅箔之接著面側表面粗糙度(Rzjis)為2.5��m以下、析出面側表面粗糙度(Rzjis)為1.5��m以下。
简体摘要：本发明的目的为提供具有配线间距35��m以下的配线之电子零件安装用膜片承载带及其制造方法,为了解决上述课题,本发明的电子零件安装用膜片承载带,系为将接着面侧表面粗糙度(Rzjis)为2.5��m以下之导体箔与底膜片予以黏贴在一起之构成,该电子零件安装用膜片承载带系使用该导体箔的光阻面侧的表面粗糙度(Rzjis)为1.0��m以下之挠性覆导体箔积层板当作配线形成用材料而制作者。在该挠性覆导体箔积层板中,也能依照需要对使用了光泽面处理电解铜箔的挠性覆铜积层板之铜箔层以残留原来的厚度之1/2以上之方式进行半蚀刻加工而予以使用,其中,该光泽面处理电解铜箔之接着面侧表面粗糙度(Rzjis)为2.5��m以下、析出面侧表面粗糙度(Rzjis)为1.5��m以下。

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