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1. 发明专利

TW201505215A 發光元件及其製作方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201505215A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102126593
申请日：2013-07-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：葉巧雯 , YEH, CHIAO WEN , 陳星兆 , CHEN, HSING CHAO , 簡培倫 , CHIEN, PEI LUN
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , G01J5/60 , G01J2005/608 , H01L33/54 , H01L2933/0041
摘要：本發明係揭露一種發光元件，包含一發出第一光線的半導體發光疊層，以及形成於半導體發光疊層之上的波長轉換裝置。波長轉換裝置吸收第一光線後發出第二光線與第三光線，並與第一光線混成白光。
简体摘要：本发明系揭露一种发光组件，包含一发出第一光线的半导体发光叠层，以及形成于半导体发光叠层之上的波长转换设备。波长转换设备吸收第一光线后发出第二光线与第三光线，并与第一光线混成白光。

2. 发明专利

TWI596805B 發光元件及其製作方法有权
简体标题：发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI596805B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102126593
申请日：2013-07-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：葉巧雯 , YEH, CHIAO WEN , 陳星兆 , CHEN, HSING CHAO , 簡培倫 , CHIEN, PEI LUN
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , G01J5/60 , G01J2005/608 , H01L33/54 , H01L2933/0041

3. 发明专利

TWI444602B 可即時於製程中偵測白光色溫的螢光粉塗佈設備及其方法有权
简体标题：可实时于制程中侦测白光色温的萤光粉涂布设备及其方法
公开(公告)号：TWI444602B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100113250
申请日：2011-04-15
申请人：長庚大學 , CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張源孝 , 張連璧 , 顏嘉逸
IPC分类号： G01J5/60 , H01L21/66
CPC分类号： H01L33/0095 , G01J5/60 , G01J2001/4252 , H01L2933/0041

4. 发明专利

TWI320951B 以電磁輻射放射原地監視基底溫度之方法 METHODS FOR IN SITU SUBSTRATE TEMPERATURE MONITORING BY ELECTROMAGNETIC RADIATION EMISSION 有权
简体标题：以电磁辐射放射原地监视基底温度之方法 METHODS FOR IN SITU SUBSTRATE TEMPERATURE MONITORING BY ELECTROMAGNETIC RADIATION EMISSION
公开(公告)号：TWI320951B
公开(公告)日：2010-02-21
申请号：TW092122165
申请日：2003-08-12
申请人：泛林股份有限公司
发明人：安立克馬格尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , G01J5/60 , H01J2237/2001
摘要：一種在電漿處理系統中決定基底溫度的方法。方法包含設置包括材料組的基底，其中，該基底係配置成吸收包括第一組電磁頻率之電磁輻射，以將該第一組電磁頻率轉換成熱振動組，以及傳送第二組電磁頻率。方法也包含將基底設置於基底支撐結構上，其中，基底支撐結構包含夾具；將蝕刻氣體混合物流入該電漿處理系統的電漿反應器；及撞擊該蝕刻氣體混合物以產生電漿，其中，該電漿包括該第一組電磁頻率。方法又包含以電漿處理基底，藉以產生第二組電磁頻率；計算第二組電磁頻率的量值；及將該量值轉換成溫度值。 A method in a plasma processing system of determining the temperature of a substrate. The method includes providing a substrate comprising a set of materials, wherein the substrate being configured to absorb electromagnetic radiation comprising a first set of electromagnetic frequencies, to convert the first set of electromagnetic frequencies to a set of thermal vibrations, and to transmit a second set of electromagnetic frequencies. The method also includes positioning the substrate on a substrate support structure, wherein the substrate support structure includes a chuck; flowing an etchant gas mixture into a plasma reactor of the plasma processing system; and striking the etchant gas mixture to create a plasma, wherein the plasma comprises the first set of electromagnetic frequencies. The method further includes processing the substrate with the plasma thereby generating the second set of electromagnetic frequencies; calculating a magnitude of the second set of electromagnetic frequencies; and converting the magnitude to a temperature value. 【創作特點】本發明在一實施例中係關於決定基底溫度的電漿處理系統之方法。方法包含提供包括材料組之基底，其中，基底係配置成吸收包括第一組電磁頻率之電磁輻射以將第一組電磁頻率轉換成熱振動組，及傳送第二組電磁頻率。此方法包含將基底設置於基底支撐結構上，其中，基底支撐結構包含夾具；使蝕刻氣體混合物流入電漿處理系統的電漿反應器；及撞擊蝕刻氣體混合物以產生電漿，其中，電漿包括第一組電磁頻率。方法又包含以電漿處理基底，藉以產生第二組電磁頻率；計算第二組電磁頻率的量值；及將量值轉換成溫度值。
在另一實施例中，本發明係關於用於決定電漿處理系統中的裝置。裝置包含包括材料組的基底，其中，基底配置成吸收包括第一組電磁頻率的電磁輻射，以將第一組電磁頻率轉換成熱振盪組，以及發送第二組電磁頻率。裝置也包含基底支撐結構，其中，基底支撐結構包含夾具，且基底設於基底支撐結構上；輸送機構，將蝕刻氣體混合物流入電漿處理系統的電漿反應器；及撞擊機構，撞擊蝕刻氣體混合物以產生電漿，其中，電漿包括第一組電磁頻率。裝置又包含處理機構，以電漿處理基底，藉以產生第二組電磁頻率；計算機構，計算第二組電磁頻率的量值；及轉換機構，將該量值轉換成溫度值。
在配合附圖之下述詳細說明中，將更詳細地說明本發明的這些及其它特點。
简体摘要：一种在等离子处理系统中决定基底温度的方法。方法包含设置包括材料组的基底，其中，该基底系配置成吸收包括第一组电磁频率之电磁辐射，以将该第一组电磁频率转换成热振动组，以及发送第二组电磁频率。方法也包含将基底设置于基底支撑结构上，其中，基底支撑结构包含夹具；将蚀刻气体混合物流入该等离子处理系统的等离子反应器；及撞击该蚀刻气体混合物以产生等离子，其中，该等离子包括该第一组电磁频率。方法又包含以等离子处理基底，借以产生第二组电磁频率；计算第二组电磁频率的量值；及将该量值转换成温度值。 A method in a plasma processing system of determining the temperature of a substrate. The method includes providing a substrate comprising a set of materials, wherein the substrate being configured to absorb electromagnetic radiation comprising a first set of electromagnetic frequencies, to convert the first set of electromagnetic frequencies to a set of thermal vibrations, and to transmit a second set of electromagnetic frequencies. The method also includes positioning the substrate on a substrate support structure, wherein the substrate support structure includes a chuck; flowing an etchant gas mixture into a plasma reactor of the plasma processing system; and striking the etchant gas mixture to create a plasma, wherein the plasma comprises the first set of electromagnetic frequencies. The method further includes processing the substrate with the plasma thereby generating the second set of electromagnetic frequencies; calculating a magnitude of the second set of electromagnetic frequencies; and converting the magnitude to a temperature value. 【创作特点】本发明在一实施例中系关于决定基底温度的等离子处理系统之方法。方法包含提供包括材料组之基底，其中，基底系配置成吸收包括第一组电磁频率之电磁辐射以将第一组电磁频率转换成热振动组，及发送第二组电磁频率。此方法包含将基底设置于基底支撑结构上，其中，基底支撑结构包含夹具；使蚀刻气体混合物流入等离子处理系统的等离子反应器；及撞击蚀刻气体混合物以产生等离子，其中，等离子包括第一组电磁频率。方法又包含以等离子处理基底，借以产生第二组电磁频率；计算第二组电磁频率的量值；及将量值转换成温度值。在另一实施例中，本发明系关于用于决定等离子处理系统中的设备。设备包含包括材料组的基底，其中，基底配置成吸收包括第一组电磁频率的电磁辐射，以将第一组电磁频率转换成热振荡组，以及发送第二组电磁频率。设备也包含基底支撑结构，其中，基底支撑结构包含夹具，且基底设于基底支撑结构上；输送机构，将蚀刻气体混合物流入等离子处理系统的等离子反应器；及撞击机构，撞击蚀刻气体混合物以产生等离子，其中，等离子包括第一组电磁频率。设备又包含处理机构，以等离子处理基底，借以产生第二组电磁频率；计算机构，计算第二组电磁频率的量值；及转换机构，将该量值转换成温度值。在配合附图之下述详细说明中，将更详细地说明本发明的这些及其它特点。

5. 发明专利

TW200723895A 顯示器色溫檢查調校裝置與方法失效
简体标题：显示器色温检查调校设备与方法
公开(公告)号：TW200723895A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW094143664
申请日：2005-12-09
申请人：英業達股份有限公司 INVENTEC CORPORATION
发明人：莊淑雯 CHUANG, SHU WEN
IPC分类号： H04N
CPC分类号： G01J3/50 , G01J3/02 , G01J3/0264 , G01J5/02 , G01J5/025 , G01J5/60
摘要：一種顯示器色溫檢查調校裝置與方法,係用於顯示器生產線上的色溫檢查調校站,色溫檢查調校站具有訊號產生器與滙集裝置,訊號產生器係用以提供訊號至顯示器,而不需藉由電腦系統輸入訊號至顯示器方可進行色溫檢查與調校之動作,滙集裝置係用以將複數個待調校色溫之顯示器連接至電腦系統,藉以利用電腦系統同時對複數個顯示器進行色溫檢查與調校,故本發明之目的在於提升顯示器生產線上的色溫調校作業之效率。
简体摘要：一种显示器色温检查调校设备与方法,系用于显示器生产在线的色温检查调校站,色温检查调校站具有信号产生器与汇集设备,信号产生器系用以提供信号至显示器,而不需借由电脑系统输入信号至显示器方可进行色温检查与调校之动作,汇集设备系用以将复数个待调校色温之显示器连接至电脑系统,借以利用电脑系统同时对复数个显示器进行色温检查与调校,故本发明之目的在于提升显示器生产在线的色温调校作业之效率。

6. 发明专利

TW200420729A 使穿過冶金容器之風口除去澆桶粑之方法 A PROCESS FOR KEEPING A TUYERE PASSING THROUGH A METALLURGICAL VESSEL FREE OF A SKULL 审中-公开
简体标题：使穿过冶金容器之风口除去浇桶粑之方法 A PROCESS FOR KEEPING A TUYERE PASSING THROUGH A METALLURGICAL VESSEL FREE OF A SKULL
公开(公告)号：TW200420729A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW092131091
申请日：2003-11-06
申请人：特殊礦物密西根股份有限公司 SPECIALTY MINERALS MICHIGAN INC.
发明人：卡赫福克里斯多弗 CARLHOFF, CHRISTOPH , 邁肯斯威赫姆 MERKENS, WILHELM , 拉姆洛夫 LAMM, ROLF
IPC分类号： C21C
CPC分类号： G01J5/02 , C21C5/4673 , C21C5/48 , F27D19/00 , F27D21/02 , G01J5/004 , G01J5/029 , G01J5/08 , G01J5/0806 , G01J5/0809 , G01J5/0818 , G01J5/084 , G01J5/0846 , G01J5/0859 , G01J5/089 , G01J5/60
摘要：本發明有關一種讓一含氧氣體間歇性穿過風口溶化澆桶粑藉以使穿過冶金容器之風口保持不具有澆桶粑之方法，其中判定需要藉由一雙波長高溫計來偵測融化物內部之一點區所發散的電磁輻射及比較高溫計訊號的強度與高溫計訊號的比值來啟動一使該含氧氣體穿過風口之間隔，且在訊號的合併強度掉落至一預定臨限值以下及訊號的比值保持大致固定之條件下引發該用於使該含氧氣體穿過風口之間隔。
简体摘要：本发明有关一种让一含氧气体间歇性穿过风口溶化浇桶粑借以使穿过冶金容器之风口保持不具有浇桶粑之方法，其中判定需要借由一双波长高温计来侦测融化物内部之一点区所发散的电磁辐射及比较高温计信号的强度与高温计信号的比值来启动一使该含氧气体穿过风口之间隔，且在信号的合并强度掉落至一预定临限值以下及信号的比值保持大致固定之条件下引发该用于使该含氧气体穿过风口之间隔。

7. 发明专利

TW524888B 以光學方法量測溫度並監控蝕刻率之方法失效
简体标题：以光学方法量测温度并监控蚀刻率之方法
公开(公告)号：TW524888B
公开(公告)日：2003-03-21
申请号：TW089101699
申请日：2000-02-01
申请人：華邦電子股份有限公司
发明人：李世琛
IPC分类号： C23F
CPC分类号： H01J37/32935 , G01J5/60
摘要：本發明提出一種以光學方法量測溫度並監控蝕刻率之方法以及運用該方法之蝕刻裝置。本發明之方法適用於一電漿蝕刻裝置。本發明之方法首先進行一電漿蝕刻製程，接著於電漿蝕刻製程進行時，監控該電漿放電所產生的特定波長光的強度之分佈。最後依據該特定波長光的強度之分佈以及一運算規則，以光學方法得到一溫度並對照出該電漿蝕刻製程之蝕刻率。
简体摘要：本发明提出一种以光学方法量测温度并监控蚀刻率之方法以及运用该方法之蚀刻设备。本发明之方法适用于一等离子蚀刻设备。本发明之方法首雪铁龙行一等离子蚀刻制程，接着于等离子蚀刻制程进行时，监控该等离子放电所产生的特定波长光的强度之分布。最后依据该特定波长光的强度之分布以及一运算守则，以光学方法得到一温度并对照出该等离子蚀刻制程之蚀刻率。

8. 发明专利

TW201529884A 利用兩溫度感測裝置來控制ＣＶＤ反應器之處理室內之溫度的裝置與方法审中-公开
简体标题：利用两温度传感设备来控制ＣＶＤ反应器之处理室内之温度的设备与方法
公开(公告)号：TW201529884A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103144030
申请日：2014-12-17
申请人：愛思強歐洲公司 , AIXTRON SE
发明人：博伊德亞登 , BOYD, ADAM , 勞佛彼得塞巴德 , LAUFFER, PETER SEBALD , 林德納約翰尼斯 , LINDNER, JOHANNES , 席爾瓦休果 , SILVA, HUGO , 列爾斯阿恩 , THERES, ARNE
IPC分类号： C23C16/52
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/52 , G01J5/0007 , G01J5/60 , G01J2005/0048
摘要：本發明係有關一種用於對至少一個基板(9)進行熱處理、特別是塗佈之裝置與方法，包括有加熱裝置(11)，此加熱裝置係由與第一溫度感測裝置(7,12)共同作用的控制裝置(13)控制。為了消除溫度漂移，提供第二溫度感測裝置(8)以識別第一溫度感測裝置(7,12)之溫度漂移，且對該第一溫度感測裝置(7,12)進行再校準。第一溫度感測裝置(7,12)測定基座(10)之第一位置(M1,M2,M3,M4,M5,M6)處的溫度。第二溫度感測裝置測定基座(10)之第二位置處的溫度。在測量區間內，用第二溫度感測裝置(8)測量基板(9)之表面溫度。將其測量值與標稱值相比較，其中，在該標稱值偏離測得實際值之情況下形成一個校正因數，為第一溫度感測裝置(7,12)用於控制加熱裝置(11)之測量值而加載該校正因數，以便使第二溫度感測裝置(8)所測得之溫度實際值接近對應的溫度標稱值。
简体摘要：本发明系有关一种用于对至少一个基板(9)进行热处理、特别是涂布之设备与方法，包括有加热设备(11)，此加热设备系由与第一温度传感设备(7,12)共同作用的控制设备(13)控制。为了消除温度漂移，提供第二温度传感设备(8)以识别第一温度传感设备(7,12)之温度漂移，且对该第一温度传感设备(7,12)进行再校准。第一温度传感设备(7,12)测定基座(10)之第一位置(M1,M2,M3,M4,M5,M6)处的温度。第二温度传感设备测定基座(10)之第二位置处的温度。在测量区间内，用第二温度传感设备(8)测量基板(9)之表面温度。将其测量值与标称值相比较，其中，在该标称值偏离测得实际值之情况下形成一个校正因子，为第一温度传感设备(7,12)用于控制加热设备(11)之测量值而加载该校正因子，以便使第二温度传感设备(8)所测得之温度实际值接近对应的温度标称值。

9. 发明专利

TWI476383B 以黑體輻射光譜相似性分析光源品質之方法有权
简体标题：以黑体辐射光谱相似性分析光源品质之方法
公开(公告)号：TWI476383B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW102113559
申请日：2013-04-17
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：周卓煇 , JOU, JWO HUEI , 曾俊儒 , TSENG, CHUN JU , 楊富欽 , YANG, FU CHIN
IPC分类号： G01J3/00
CPC分类号： G01J1/42 , G01J3/505 , G01J5/52 , G01J5/60 , G01J2001/4247 , G01J2005/608

10. 发明专利

TW201241414A 可即時於製程中偵測白光色溫的螢光粉塗佈設備及其方法审中-公开
简体标题：可实时于制程中侦测白光色温的萤光粉涂布设备及其方法
公开(公告)号：TW201241414A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100113250
申请日：2011-04-15
申请人：長庚大學
发明人：張源孝 , 張連璧 , 顏嘉逸
IPC分类号： G01J , H01L
CPC分类号： H01L33/0095 , G01J5/60 , G01J2001/4252 , H01L2933/0041
摘要：本發明提供一種可即時於製程中偵測白光色溫的螢光粉塗佈設備及其方法。本發明之可即時於製程中偵測色溫的螢光粉塗佈設備包含有一噴塗區，其設置有一移動式噴頭與一待噴塗LED組件；一量測區，其設置有一光源與一光偵測器；以及一於噴塗區與量測區間移動的監控片。此監控片於噴塗區與待噴塗LED組件進行至少一螢光粉噴塗製程，以形成至少一螢光粉層，於量測區利用光源激發監控片上之螢光粉層並由光偵測器進行白光色溫量測，以快速偵測已塗佈之螢光粉層色溫狀態，提高達到目標色溫的良率。
简体摘要：本发明提供一种可实时于制程中侦测白光色温的萤光粉涂布设备及其方法。本发明之可实时于制程中侦测色温的萤光粉涂布设备包含有一喷涂区，其设置有一移动式喷头与一待喷涂LED组件；一量测区，其设置有一光源与一光侦测器；以及一于喷涂区与量测区间移动的监控片。此监控片于喷涂区与待喷涂LED组件进行至少一萤光粉喷涂制程，以形成至少一萤光粉层，于量测区利用光源激发监控片上之萤光粉层并由光侦测器进行白光色温量测，以快速侦测已涂布之萤光粉层色温状态，提高达到目标色温的良率。

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