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1. 发明专利

TW201508825A 微波加熱處理方法审中-公开
简体标题：微波加热处理方法
公开(公告)号：TW201508825A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103110097
申请日：2014-03-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：門田太一 , MONDEN, TAICHI , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI , 洪錫亨 , HONG, SEOKHYOUNG , 壁義郎 , KABE, YOSHIRO
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/265 , H01L21/20
CPC分类号： C30B1/023 , C30B29/06 , C30B30/00
摘要：在將微波導入至處理容器內而加熱被處理基板的熱處理中，在基板表層形成良好的單結晶。照射微波於晶圓(W)，並在該晶圓(W)上的非晶矽中，使該非晶矽在晶圓(W)與非晶矽的界面單結晶化，且升溫至核生成不會發生在界面之外之區域的溫度(第1溫度)。接下來，以第1溫度加熱預定期間之後，進一步加熱升溫至高於第1溫度的第2溫度。
简体摘要：在将微波导入至处理容器内而加热被处理基板的热处理中，在基板表层形成良好的单结晶。照射微波于晶圆(W)，并在该晶圆(W)上的非晶硅中，使该非晶硅在晶圆(W)与非晶硅的界面单结晶化，且升温至核生成不会发生在界面之外之区域的温度(第1温度)。接下来，以第1温度加热预定期间之后，进一步加热升温至高于第1温度的第2温度。

2. 发明专利

TW201638371A 用於寬能帶隙結晶之種晶昇華的加熱爐审中-公开
简体标题：用于宽能带隙结晶之种晶升华的加热炉
公开(公告)号：TW201638371A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105103469
申请日：2016-02-03
申请人：道康寧公司 , DOW CORNING CORPORATION
发明人：羅堡達馬克 , LOBODA, MARK
IPC分类号： C23C14/56 , C23C16/54
CPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36 , C30B30/00 , C30B30/04
摘要：一種用於半導體結晶的物理氣相傳輸法生長之設備，其具有一圓柱狀真空罩，該圓柱狀真空罩定義一對稱軸；一反應室撐體，其用於支撐於該真空罩內部之一反應室；一圓柱狀反應室，其係由對RF能量為可透之材料所製成且具有沿該對稱軸定義之高度Hcell；一RF線圈，其經提供在該真空罩之外部周圍，環繞該對稱軸而對軸置中，其中該RF線圈係經組態以產生沿至少該高度Hcell之一均一RF場；以及，一絕緣，其經組態用來在該反應室內部沿該對稱軸產生熱梯度。沿該對稱軸測量之該RF感應線圈之高度與該高度Hcell的比率之範圍可從2.5至4.0或從2.8至4.0。
简体摘要：一种用于半导体结晶的物理气相传输法生长之设备，其具有一圆柱状真空罩，该圆柱状真空罩定义一对称轴；一反应室撑体，其用于支撑于该真空罩内部之一反应室；一圆柱状反应室，其系由对RF能量为可透之材料所制成且具有沿该对称轴定义之高度Hcell；一RF线圈，其经提供在该真空罩之外部周围，环绕该对称轴而对轴置中，其中该RF线圈系经组态以产生沿至少该高度Hcell之一均一RF场；以及，一绝缘，其经组态用来在该反应室内部沿该对称轴产生热梯度。沿该对称轴测量之该RF感应线圈之高度与该高度Hcell的比率之范围可从2.5至4.0或从2.8至4.0。

3. 发明专利

TW201442073A 用於光激發製程之設備及方法审中-公开
简体标题：用于光激发制程之设备及方法
公开(公告)号：TW201442073A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103108697
申请日：2014-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：莫非特史帝夫 , MOFFATT, STEPHEN
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/483 , C23C16/28 , C23C16/45504 , C30B25/02 , C30B25/165 , C30B30/00 , H01L21/02521 , H01L21/0262
摘要：本發明之實施例提供用於在基板上沉積層之方法及設備。在一個實施例中，該方法包括將安置在處理腔室內之基板表面曝露於流體前驅物；將產生自輻射源之電磁輻射引導至光掃描單元以使得電磁輻射在基板表面上經偏轉及掃描，材料層將形成在該基板表面上；及用電磁輻射啟動沉積製程，該電磁輻射之波長經選擇以用於流體前驅物之光解解離以將材料層沉積至基板表面上。輻射源可包括雷射源、高亮度發光二極體(light emitting diode;LED)源，或熱源。在一個實例中，輻射源係光纖雷射，該光纖雷射產生紫外線(ultraviolet;UV)波長範圍內之輸出。
简体摘要：本发明之实施例提供用于在基板上沉积层之方法及设备。在一个实施例中，该方法包括将安置在处理腔室内之基板表面曝露于流体前驱物；将产生自辐射源之电磁辐射引导至光扫描单元以使得电磁辐射在基板表面上经偏转及扫描，材料层将形成在该基板表面上；及用电磁辐射启动沉积制程，该电磁辐射之波长经选择以用于流体前驱物之光解解离以将材料层沉积至基板表面上。辐射源可包括激光源、高亮度发光二极管(light emitting diode;LED)源，或热源。在一个实例中，辐射源系光纤激光，该光纤激光产生紫外线(ultraviolet;UV)波长范围内之输出。

4. 发明专利

TWI444581B 坩堝及熔爐容量利用方法失效
简体标题：坩埚及熔炉容量利用方法
公开(公告)号：TWI444581B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100106219
申请日：2011-02-24
申请人：希利柯爾材料股份有限公司 , SILICOR MATERIALS INC.
发明人：尼可史考特 , NICHOL, SCOTT , 史密斯丹 , SMITH, DAN , 達斯特吉里戴蒙 , DASTGIRI, DAMON , 克斯特弗瑞茲 , KIRSCHT, FRITZ
IPC分类号： F27B14/10 , C30B35/00
CPC分类号： B22D7/068 , B22D7/08 , C30B11/002 , C30B29/06 , C30B30/00

5. 发明专利

TWI595539B 用於光激發製程之方法有权
简体标题：用于光激发制程之方法
公开(公告)号：TWI595539B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW103108697
申请日：2014-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：莫非特史帝夫 , MOFFATT, STEPHEN
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/483 , C23C16/28 , C23C16/45504 , C30B25/02 , C30B25/165 , C30B30/00 , H01L21/02521 , H01L21/0262

6. 发明专利

TW201608608A 在矽基板上磊晶成長鍺薄膜的方法审中-公开
简体标题：在硅基板上磊晶成长锗薄膜的方法
公开(公告)号：TW201608608A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103128851
申请日：2014-08-21
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：張正陽 , CHANG, JENQ YANG , 李建階 , LEE, CHIEN CHIEH , 張登翔 , CHANG, TENG HSIANG , 張喬 , CHANG, CHIAO , 利定東 , LI, TOMI T. , 陳一塵 , CHEN, I CHEN , 伍茂仁 , WU, MAO JEN , 陳昇暉 , CHEN, SHENG HUI
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B25/10 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/08 , C30B30/00 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/02658
摘要：一種在矽基板上磊晶成長鍺薄膜的方法，包括：提供矽基板；將矽基板置入真空腔體；將矽基板加熱至具有一溫度，其中上述溫度小於300℃；以及於上述真空腔體中，利用電子迴旋共振化學氣相沉積法形成單晶鍺薄膜於上述矽基板上，包括：利用微波源將通入上述真空腔體之反應氣體進行解離，以沉積單晶鍺薄膜於上述矽基板，其中上述反應氣體至少包括鍺甲烷(GeH4)與氫氣(H2)。
简体摘要：一种在硅基板上磊晶成长锗薄膜的方法，包括：提供硅基板；将硅基板置入真空腔体；将硅基板加热至具有一温度，其中上述温度小于300℃；以及于上述真空腔体中，利用电子回旋共振化学气相沉积法形成单晶锗薄膜于上述硅基板上，包括：利用微波源将通入上述真空腔体之反应气体进行解离，以沉积单晶锗薄膜于上述硅基板，其中上述反应气体至少包括锗甲烷(GeH4)与氢气(H2)。

7. 发明专利

TW201144732A 坩堝及熔爐容量利用方法 CRUCIBLE AND METHOD FOR FURNACE CAPACITY UTILIZATION 失效
简体标题：坩埚及熔炉容量利用方法 CRUCIBLE AND METHOD FOR FURNACE CAPACITY UTILIZATION
公开(公告)号：TW201144732A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100106219
申请日：2011-02-24
申请人：卡里索拉加拿大股份有限公司
发明人：尼可史考特 , 史密斯丹 , 達斯特吉里戴蒙 , 克斯特弗瑞茲
IPC分类号： F27B , C30B
CPC分类号： B22D7/068 , B22D7/08 , C30B11/002 , C30B29/06 , C30B30/00
摘要：本發明係有關於生產鑄錠之有效率火爐容量利用。本發明包含一坩鍋及其使用。此坩鍋係與生產鑄錠之火爐之內部形狀約略相配。
简体摘要：本发明系有关于生产铸锭之有效率火炉容量利用。本发明包含一坩锅及其使用。此坩锅系与生产铸锭之火炉之内部形状约略相配。

8. 发明专利

TW201737320A 用於光激發製程之設備审中-公开
简体标题：用于光激发制程之设备
公开(公告)号：TW201737320A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106122326
申请日：2014-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：莫非特史帝夫 , MOFFATT,STEPHEN
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/483 , C23C16/28 , C23C16/45504 , C30B25/02 , C30B25/165 , C30B30/00 , H01L21/02521 , H01L21/0262
摘要：本發明之實施例提供用於在基板上沉積層之方法及設備。在一個實施例中，該方法包括將安置在處理腔室內之基板表面曝露於流體前驅物；將產生自輻射源之電磁輻射引導至光掃描單元以使得電磁輻射在基板表面上經偏轉及掃描，材料層將形成在該基板表面上；及用電磁輻射啟動沉積製程，該電磁輻射之波長經選擇以用於流體前驅物之光解解離以將材料層沉積至基板表面上。輻射源可包括雷射源、高亮度發光二極體(light emitting diode; LED)源，或熱源。在一個實例中，輻射源係光纖雷射，該光纖雷射產生紫外線(ultraviolet; UV)波長範圍內之輸出。
简体摘要：本发明之实施例提供用于在基板上沉积层之方法及设备。在一个实施例中，该方法包括将安置在处理腔室内之基板表面曝露于流体前驱物；将产生自辐射源之电磁辐射引导至光扫描单元以使得电磁辐射在基板表面上经偏转及扫描，材料层将形成在该基板表面上；及用电磁辐射启动沉积制程，该电磁辐射之波长经选择以用于流体前驱物之光解解离以将材料层沉积至基板表面上。辐射源可包括激光源、高亮度发光二极管(light emitting diode; LED)源，或热源。在一个实例中，辐射源系光纤激光，该光纤激光产生紫外线(ultraviolet; UV)波长范围内之输出。

9. 发明专利

TW201641189A 金屬奈米線之製造方法审中-公开
简体标题：金属奈米线之制造方法
公开(公告)号：TW201641189A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104117477
申请日：2015-05-29
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：洪昭南 , HONG, CHAUNAN , 顏群哲 , YAN, CYUNJHE
IPC分类号： B22F9/24 , B82Y30/00 , B22F1/00
CPC分类号： C30B7/14 , C30B29/02 , C30B29/62 , C30B30/00
摘要：一種金屬奈米線之製造方法，適用以製作銀奈米線與銅奈米線，且包含下列步驟。製備金屬奈米粒子合成溶液，以混合第一金屬離子化合物、第一還原劑與第一包覆劑，而形成複數個金屬奈米粒子。對金屬奈米粒子合成溶液進行光照處理。將經光照處理之金屬奈米粒子合成溶液之一部分與金屬奈米線合成溶液混合，以利用金屬奈米粒子合成溶液之此部分中之金屬奈米粒子作為晶種而形成複數個金屬奈米線。此金屬奈米線合成溶液包含第二金屬離子化合物、第二還原劑與第二包覆劑。
简体摘要：一种金属奈米线之制造方法，适用以制作银奈米线与铜奈米线，且包含下列步骤。制备金属奈米粒子合成溶液，以混合第一金属离子化合物、第一还原剂与第一包覆剂，而形成复数个金属奈米粒子。对金属奈米粒子合成溶液进行光照处理。将经光照处理之金属奈米粒子合成溶液之一部分与金属奈米线合成溶液混合，以利用金属奈米粒子合成溶液之此部分中之金属奈米粒子作为晶种而形成复数个金属奈米线。此金属奈米线合成溶液包含第二金属离子化合物、第二还原剂与第二包覆剂。

10. 发明专利

TWI556285B 在矽基板上磊晶成長鍺薄膜的方法有权
简体标题：在硅基板上磊晶成长锗薄膜的方法
公开(公告)号：TWI556285B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103128851
申请日：2014-08-21
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：張正陽 , CHANG, JENQ YANG , 李建階 , LEE, CHIEN CHIEH , 張登翔 , CHANG, TENG HSIANG , 張喬 , CHANG, CHIAO , 利定東 , LI, TOMI T. , 陳一塵 , CHEN, I CHEN , 伍茂仁 , WU, MAO JEN , 陳昇暉 , CHEN, SHENG HUI
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B25/10 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/08 , C30B30/00 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/02658

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