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1. 发明专利

TW201641189A 金屬奈米線之製造方法审中-公开
简体标题：金属奈米线之制造方法
公开(公告)号：TW201641189A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104117477
申请日：2015-05-29
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：洪昭南 , HONG, CHAUNAN , 顏群哲 , YAN, CYUNJHE
IPC分类号： B22F9/24 , B82Y30/00 , B22F1/00
CPC分类号： C30B7/14 , C30B29/02 , C30B29/62 , C30B30/00
摘要：一種金屬奈米線之製造方法，適用以製作銀奈米線與銅奈米線，且包含下列步驟。製備金屬奈米粒子合成溶液，以混合第一金屬離子化合物、第一還原劑與第一包覆劑，而形成複數個金屬奈米粒子。對金屬奈米粒子合成溶液進行光照處理。將經光照處理之金屬奈米粒子合成溶液之一部分與金屬奈米線合成溶液混合，以利用金屬奈米粒子合成溶液之此部分中之金屬奈米粒子作為晶種而形成複數個金屬奈米線。此金屬奈米線合成溶液包含第二金屬離子化合物、第二還原劑與第二包覆劑。
简体摘要：一种金属奈米线之制造方法，适用以制作银奈米线与铜奈米线，且包含下列步骤。制备金属奈米粒子合成溶液，以混合第一金属离子化合物、第一还原剂与第一包覆剂，而形成复数个金属奈米粒子。对金属奈米粒子合成溶液进行光照处理。将经光照处理之金属奈米粒子合成溶液之一部分与金属奈米线合成溶液混合，以利用金属奈米粒子合成溶液之此部分中之金属奈米粒子作为晶种而形成复数个金属奈米线。此金属奈米线合成溶液包含第二金属离子化合物、第二还原剂与第二包覆剂。

2. 发明专利

TWI497121B 光調制結構及包含此光調制結構之光源裝置有权
简体标题：光调制结构及包含此光调制结构之光源设备
公开(公告)号：TWI497121B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW097114103
申请日：2008-04-18
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：許嘉玲 , HSU, CHIA LING , 朱淑君 , CHU, SHUN CHUN , 洪昭南 , HONG, CHAU NAN , 洪敏雄 , HON, MIN HSUING
IPC分类号： G02B5/02 , G02F1/1335

3. 发明专利

TW201515723A 濕式鍍膜方法审中-公开
简体标题：湿式镀膜方法
公开(公告)号：TW201515723A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102138921
申请日：2013-10-28
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：洪昭南 , HONG, CHAUNAN , 葉俊嘉 , YEH, CHUNCHIA , 徐祥恩 , HSU, HSIANGEN , 李可風 , LI, KEFONG , 顏群哲 , YAN, CYUNJHE , 蔣崇聖 , CHIANG, CHUNGSHENG , 鄭郁陵 , CHENG, YULING
IPC分类号： B05D3/10
CPC分类号： B05D3/148 , B05D1/62 , B05D3/142 , B05D3/147 , C23C18/1216
摘要：一種濕式鍍膜方法，其包含下列步驟。利用一濕式製程施加一薄膜塗料於一基板之至少一表面上。對此薄膜塗料進行一電漿輔助填補處理，以使此薄膜塗料長晶而形成一薄膜。電漿輔助填補處理包含使用一填補塗料。
简体摘要：一种湿式镀膜方法，其包含下列步骤。利用一湿式制程施加一薄膜涂料于一基板之至少一表面上。对此薄膜涂料进行一等离子辅助填补处理，以使此薄膜涂料长晶而形成一薄膜。等离子辅助填补处理包含使用一填补涂料。

4. 发明专利

TWI399298B 具有微奈米結構之滾筒的製造方法有权
简体标题：具有微奈米结构之滚筒的制造方法
公开(公告)号：TWI399298B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW098125114
申请日：2009-07-24
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：高有志 , KAO, YUCHIH , 洪昭南 , HONG, CHAUNAN
IPC分类号： B41F13/08 , B82B3/00

5. 发明专利

TW200921270A 表面修飾轉印技術製作氧化物薄膜圖案之方法失效
简体标题：表面修饰转印技术制作氧化物薄膜图案之方法
公开(公告)号：TW200921270A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096142819
申请日：2007-11-13
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：洪敏雄 , 許明祺 , 呂英治 , 孫郁明 , 洪昭南
IPC分类号： G03F , H01L
摘要：一種表面修飾轉印技術製作氧化物薄膜圖案之方法,包含:(A)準備一模具與一基板。(B)在該模具上披覆一個電解質單元。(C)利用液相沈積法於該電解質單元上披覆一層氧化物薄膜層。(D)在該基板表面披覆一層輔助轉印層。(E)將模具與基板貼附壓合,該氧化物薄膜層即轉印附著於該輔助轉印層上,以形成氧化物薄膜圖案。藉由電解質單元來作模具表面的親水性修飾處理,以利於後續使用液相沈積法將氧化物薄膜層沈積於該模具上,故本發明的製程快速簡單、成本低,並實現氧化物薄膜圖案之轉移技術。
简体摘要：一种表面修饰转印技术制作氧化物薄膜图案之方法,包含:(A)准备一模具与一基板。(B)在该模具上披覆一个电解质单元。(C)利用液相沉积法于该电解质单元上披覆一层氧化物薄膜层。(D)在该基板表面披覆一层辅助转印层。(E)将模具与基板贴附压合,该氧化物薄膜层即转印附着于该辅助转印层上,以形成氧化物薄膜图案。借由电解质单元来作模具表面的亲水性修饰处理,以利于后续使用液相沉积法将氧化物薄膜层沉积于该模具上,故本发明的制程快速简单、成本低,并实现氧化物薄膜图案之转移技术。

6. 发明专利

TW201615768A 透明奈米複合膜塗料、透明奈米複合膜及其製造方法审中-公开
简体标题：透明奈米复合膜涂料、透明奈米复合膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201615768A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103137449
申请日：2014-10-29
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：洪昭南 , HONG, CHAUNAN , 葉俊嘉 , YEH, CHUNCHIA , 李可風 , LI, KEFONG , 顏群哲 , YAN, CYUNJHE , 蔣崇聖 , CHIANG, CHUNGSHENG , 王治爲 , WANG, CHIHWEI
IPC分类号： C09D7/12 , C09D4/02 , B32B27/20 , B05D5/08 , B05D3/02 , B05D3/06
摘要：一種透明奈米複合膜塗料。此透明奈米複合膜塗料包含至少二表面改質無機奈米粉體、20wt%至29.9wt%之單體、50wt%至70wt%之寡聚物、以及1wt%至10wt%之光啟始劑。每一表面改質無機奈米粉體之含量為0.1wt%至5wt%。這些表面改質無機奈米粉體具有不同之表面能。
简体摘要：一种透明奈米复合膜涂料。此透明奈米复合膜涂料包含至少二表面改质无机奈米粉体、20wt%至29.9wt%之单体、50wt%至70wt%之寡聚物、以及1wt%至10wt%之光启始剂。每一表面改质无机奈米粉体之含量为0.1wt%至5wt%。这些表面改质无机奈米粉体具有不同之表面能。

7. 发明专利

TWI512056B 紫外線固化光學膜塗料、紫外線固化光學膜及其製造方法有权
简体标题：紫外线固化光学膜涂料、紫外线固化光学膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI512056B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW103137448
申请日：2014-10-29
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：洪昭南 , HONG, CHAUNAN , 葉俊嘉 , YEH, CHUNCHIA , 李可風 , LI, KEFONG , 顏群哲 , YAN, CYUNJHE , 蔣崇聖 , CHIANG, CHUNGSHENG , 王治爲 , WANG, CHIHWEI
IPC分类号： C09D167/06 , C09D175/14 , C09D163/10 , C08F290/00 , C09D4/02 , C09D7/12 , B82Y30/00 , C08J3/28 , C08J5/18 , B32B27/30 , B32B9/00 , B32B3/10 , G02B1/04 , G02B1/12

8. 发明专利

TW201342141A 具透明導電氧化物層之高分子基板的製造方法审中-公开
简体标题：具透明导电氧化物层之高分子基板的制造方法
公开(公告)号：TW201342141A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101112680
申请日：2012-04-10
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：王啟任 , WANG, CHI JEN , 林信翰 , LIN, HSIN HAN , 楊為翔 , YANG, WEI HSIANG , 洪昭南 , HON, CHAU NAN
IPC分类号： G06F3/041
摘要：一種具透明導電氧化物層之高分子基板的製造方法，其係提供一高分子基板，該高分子基板上依序具有一基底層、一層二氧化矽薄膜及一透明導電氧化物層；以及將該高分子基板置於一無氧環境中加熱至120至180℃並持續60至90分鐘，以減少該基底層中因加熱而產生之白色微粒的數量及粒徑。藉此，確保整體透光率，並有效降低透明導電氧化物層之阻抗，因此能相對提升薄膜品質及製造良率。
简体摘要：一种具透明导电氧化物层之高分子基板的制造方法，其系提供一高分子基板，该高分子基板上依序具有一基底层、一层二氧化硅薄膜及一透明导电氧化物层；以及将该高分子基板置于一无氧环境中加热至120至180℃并持续60至90分钟，以减少该基底层中因加热而产生之白色微粒的数量及粒径。借此，确保整体透光率，并有效降低透明导电氧化物层之阻抗，因此能相对提升薄膜品质及制造良率。

9. 发明专利

TW200917333A 製作具微結構壓印模具之方法审中-公开
简体标题：制作具微结构压印模具之方法
公开(公告)号：TW200917333A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW096138049
申请日：2007-10-11
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：汪冠銘 , 呂英治 , 方冠榮 , 洪昭南 , 洪敏雄
IPC分类号： H01L , B81B , G11B
摘要：一種製作具微結構壓印模具之方法,係於一基板之一面上塗佈有光阻層;利用一光源配合具有所需模具圖形之光罩於光阻層上進行曝光及顯影,使光阻層於基板上形成與模具圖形相反之光阻圖案層;再於光阻圖案層及基板上電鍍沉積一導電薄膜層;之後於導電薄膜層上進行電鑄,使該導電薄膜層上形成有所需厚度之電鑄層;最後以化學溶液浸泡將殘留之光阻圖案層移除,使該電鑄層與基材剝離,藉以使電鑄層形成一具微結構之金屬模具。藉此,可達到降低製程設備之成本、製程簡單、製程時間短、及晶種層被覆性較佳之功效。
简体摘要：一种制作具微结构压印模具之方法,系于一基板之一面上涂布有光阻层;利用一光源配合具有所需模具图形之光罩于光阻层上进行曝光及显影,使光阻层于基板上形成与模具图形相反之光阻图案层;再于光阻图案层及基板上电镀沉积一导电薄膜层;之后于导电薄膜层上进行电铸,使该导电薄膜层上形成有所需厚度之电铸层;最后以化学溶液浸泡将残留之光阻图案层移除,使该电铸层与基材剥离,借以使电铸层形成一具微结构之金属模具。借此,可达到降低制程设备之成本、制程简单、制程时间短、及晶种层被覆性较佳之功效。

10. 发明专利

TW200529297A 於基板上製作具有圖案之透明導電膜之方法失效
简体标题：于基板上制作具有图案之透明导电膜之方法
公开(公告)号：TW200529297A
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW093104649
申请日：2004-02-24
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：洪昭南 , 鄭樵陽 CHENG, CHIAOYANG , 洪敏雄
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係一種於基板上製作具有圖案之透明導電膜之方法，其係於已圖案化的模具上沈積一層抗黏著層，然後將透明導電膜沈積於該模具上，再於高溫環境下進行熱處理，最後將前述具有透明導電膜之模具貼附於任意基板上，即可不經傳統的微影蝕刻，在任意基板上製作出高品質且圖案化的透明導電膜。
简体摘要：本发明系一种于基板上制作具有图案之透明导电膜之方法，其系于已图案化的模具上沉积一层抗黏着层，然后将透明导电膜沉积于该模具上，再于高温环境下进行热处理，最后将前述具有透明导电膜之模具贴附于任意基板上，即可不经传统的微影蚀刻，在任意基板上制作出高品质且图案化的透明导电膜。

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