基本信息:
- 专利标题： 膜形成設備及膜形成方法
- 专利标题（英）：Film formation apparatus and film formation method
- 专利标题（中）：膜形成设备及膜形成方法
- 申请号：TW100128157 申请日：2011-08-08
- 公开(公告)号：TWI590335B 公开(公告)日：2017-07-01
- 发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
- 申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 专利权人： 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 当前专利权人： 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2010-183025 20100818;2011-083966 20110405
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/31
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |