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1. 发明专利

TW201413020A 真空處理裝置、真空處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：真空处理设备、真空处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201413020A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102119045
申请日：2013-05-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 宮下哲也 , MIYASHITA, TETSUYA , 北田亨 , KITADA, TORU , 中村貫人 , NAKAMURA, KANTO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
摘要：本發明提供一種處理裝置及處理方法，於基板成膜金屬氧化膜時，可在基板間使金屬氧化膜的電阻值穩定。於可進行電漿濺射處理之真空容器內部配置有能夠吸收氧之組件所構成的靶材與金屬所構成的靶材，並將基板搬入真空容器內部。以覆蓋板覆蓋基板，將靶材濺射而於真空容器內部成膜，再使真空容器內部的氧吸附在該膜。然後，使覆蓋板從基板上移動，將靶材濺射而於基板上成膜金屬膜。從再次移動至基板上之覆蓋板供應所需量的氧，來使金屬膜成為金屬氧化膜。然後，將靶材濺射來使真空容器內部的氧吸附後，將形成有金屬氧化膜的基板從真空容器2內部搬出。
简体摘要：本发明提供一种处理设备及处理方法，于基板成膜金属氧化膜时，可在基板间使金属氧化膜的电阻值稳定。于可进行等离子溅射处理之真空容器内部配置有能够吸收氧之组件所构成的靶材与金属所构成的靶材，并将基板搬入真空容器内部。以覆盖板覆盖基板，将靶材溅射而于真空容器内部成膜，再使真空容器内部的氧吸附在该膜。然后，使覆盖板从基板上移动，将靶材溅射而于基板上成膜金属膜。从再次移动至基板上之覆盖板供应所需量的氧，来使金属膜成为金属氧化膜。然后，将靶材溅射来使真空容器内部的氧吸附后，将形成有金属氧化膜的基板从真空容器2内部搬出。

2. 发明专利

TW201329270A 磁控濺鍍裝置及磁控濺鍍方法审中-公开
简体标题：磁控溅镀设备及磁控溅镀方法
公开(公告)号：TW201329270A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101135712
申请日：2012-09-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：水野茂 , MIZUNO, SHIGERU , 戶島宏至 , TOSHIMA, HIROYUKI , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 宮下哲也 , MIYASHITA, TETSUYA , 波多野達夫 , HATANO, TATSUO , 水澤寧 , MIZUSAWA, YASUSHI
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/32688 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455
摘要：本發明課題係在確保成膜速度之面內均勻性的同時，提高成膜效率，並提高靶材使用效率。其解決手段係面向被載置在真空容器內之晶圓般地配置靶材，並於該靶材背面側設有磁石配置體。該磁石配置體係具備將磁石排列呈矩陣狀的內側磁石群、及設置於該內側磁石群周圍而用以防止電子飛出的復歸磁石。藉此，藉由會切磁場的電子漂移來在靶材正下方產生高密度電漿，又，可提高侵蝕部之面內均勻性。因此，可讓靶材與晶圓相互接近來進行濺鍍，可確保成膜速度之面內均勻性的同時，提高成膜效率，並可提高靶材使用效率。
简体摘要：本发明课题系在确保成膜速度之面内均匀性的同时，提高成膜效率，并提高靶材使用效率。其解决手段系面向被载置在真空容器内之晶圆般地配置靶材，并于该靶材背面侧设有磁石配置体。该磁石配置体系具备将磁石排列呈矩阵状的内侧磁石群、及设置于该内侧磁石群周围而用以防止电子飞出的复归磁石。借此，借由会切磁场的电子漂移来在靶材正下方产生高密度等离子，又，可提高侵蚀部之面内均匀性。因此，可让靶材与晶圆相互接近来进行溅镀，可确保成膜速度之面内均匀性的同时，提高成膜效率，并可提高靶材使用效率。

3. 发明专利

TW201305383A 基板處理裝置及回收裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备及回收设备
公开(公告)号：TW201305383A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101110147
申请日：2012-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山本薰 , YAMAMOTO, KAORU , 原正道 , HARA, MASAMICHI , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 平田俊治 , HIRATA, TOSHIHARU , 多賀敏 , TAGA, SATOSHI
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4412
摘要：〔課題〕本發明是提供一種回收裝置，從由處理室被排氣的氣體，由簡單的構成將未反應的有機釕化合物回收，可以防止被回收的有機釕化合物在處理裝置的待機時昇華及被排氣。〔技術內容〕本發明的回收裝置，是從由使用包含已氣化的有機釕化合物的原料氣體進行基板處理的處理室被排出的原料氣體，將被包含於該原料氣體的未反應的有機釕化合物回收，具備：從前述處理室被排出的原料氣體流通的流通部、及將從前述處理室被排出的原料氣體朝前述流通部流入的流入管、及將從前述原料氣體回收了有機釕化合物的氣體排出的排出管、及將前述流通部的上游側及下游側連通的迂迴管、及設在前述流入管的第1閥、及設在將前述流入管加熱的加熱部及前述排出管的第2閥、及設在前述迂迴管的第3閥。
简体摘要：〔课题〕本发明是提供一种回收设备，从由处理室被排气的气体，由简单的构成将未反应的有机钌化合物回收，可以防止被回收的有机钌化合物在处理设备的待机时升华及被排气。〔技术内容〕本发明的回收设备，是从由使用包含已气化的有机钌化合物的原料气体进行基板处理的处理室被排出的原料气体，将被包含于该原料气体的未反应的有机钌化合物回收，具备：从前述处理室被排出的原料气体流通的流通部、及将从前述处理室被排出的原料气体朝前述流通部流入的流入管、及将从前述原料气体回收了有机钌化合物的气体排出的排出管、及将前述流通部的上游侧及下游侧连通的迂回管、及设在前述流入管的第1阀、及设在将前述流入管加热的加热部及前述排出管的第2阀、及设在前述迂回管的第3阀。

4. 发明专利

TWI573887B 真空處理裝置、真空處理方法及記憶媒體有权
简体标题：真空处理设备、真空处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI573887B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW102119045
申请日：2013-05-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 宮下哲也 , MIYASHITA, TETSUYA , 北田亨 , KITADA, TORU , 中村貫人 , NAKAMURA, KANTO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12

5. 发明专利

TW201413854A 層積膜之製造方法及真空處理裝置审中-公开
简体标题：层积膜之制造方法及真空处理设备
公开(公告)号：TW201413854A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102119044
申请日：2013-05-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 宮下哲也 , MIYASHITA, TETSUYA , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 前田幸治 , MAEDA, KOJI , 原正道 , HARA, MASAMICHI , 水澤寧 , MIZUSAWA, YASUSHI
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L43/12 , C23C14/568 , C23C28/321 , C23C28/345 , H01J37/32899 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J37/3455 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67745
摘要：本發明係提供一種製造將金屬膜與金屬氧化膜總合層積達8層以上的層積膜時，能獲得高處理效率之技術。本發明係於加載互鎖室LL1、LL2之間排列有複數個處理模組與晶圓搬送機構。又，設置有從加載互鎖室LL1將晶圓搬移至上游端處理模組用的晶圓搬送機構、以及從下游端處理模組將晶圓搬移至加載互鎖室LL2用的晶圓搬送機構。該處理模組係包含以濺鍍法對晶圓進行金屬膜成膜的複數個處理模組與進行金屬膜氧化用的處理模組。從加載互鎖室LL1朝加載互鎖室LL2，一邊將晶圓朝下游側搬移而一邊進行處理，藉此可於1台裝置中製造出上述8層以上之層積膜，可確保高處理效率。
简体摘要：本发明系提供一种制造将金属膜与金属氧化膜总合层积达8层以上的层积膜时，能获得高处理效率之技术。本发明系于加载互锁室LL1、LL2之间排列有复数个处理模块与晶圆搬送机构。又，设置有从加载互锁室LL1将晶圆搬移至上游端处理模块用的晶圆搬送机构、以及从下游端处理模块将晶圆搬移至加载互锁室LL2用的晶圆搬送机构。该处理模块系包含以溅镀法对晶圆进行金属膜成膜的复数个处理模块与进行金属膜氧化用的处理模块。从加载互锁室LL1朝加载互锁室LL2，一边将晶圆朝下游侧搬移而一边进行处理，借此可于1台设备中制造出上述8层以上之层积膜，可确保高处理效率。

6. 发明专利

TW201408807A 磁控濺射裝置、磁控濺射方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：磁控溅射设备、磁控溅射方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201408807A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102119046
申请日：2013-05-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中村貫人 , NAKAMURA, KANTO , 北田亨 , KITADA, TORU , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 宮下哲也 , MIYASHITA, TETSUYA
IPC分类号： C23C14/35 , G11B5/851
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3452
摘要：提供一種藉由磁控濺射而在基板面內進行均勻性高的成膜之技術。在具備有朝向真空容器內之載置部所載置之基板所配置之靶材、以及設於此靶材背面側而配列磁石而成之磁石配列體的磁控濺射裝置中，係具備有：氣體供給部，係用以將電漿產生用氣體供給至該真空容器內；旋轉機構，係用以使該載置部旋轉；電源部，係將電壓施加至該靶材；移動機構，係用以將該磁石配列體移動於第1區域與較該第1區域要靠靶材外緣部側之第2區域之間；控制部，係輸出控制訊號以使得該磁石配列體的平均移動速度在該第1區域與該第2區域之間相互不同。
简体摘要：提供一种借由磁控溅射而在基板面内进行均匀性高的成膜之技术。在具备有朝向真空容器内之载置部所载置之基板所配置之靶材、以及设于此靶材背面侧而配列磁石而成之磁石配列体的磁控溅射设备中，系具备有：气体供给部，系用以将等离子产生用气体供给至该真空容器内；旋转机构，系用以使该载置部旋转；电源部，系将电压施加至该靶材；移动机构，系用以将该磁石配列体移动于第1区域与较该第1区域要靠靶材外缘部侧之第2区域之间；控制部，系输出控制信号以使得该磁石配列体的平均移动速度在该第1区域与该第2区域之间相互不同。

7. 发明专利

TW201537624A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201537624A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103136623
申请日：2014-10-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小島康彥 , KOJIMA, YASUHIKO , 曽根浩 , SONE, HIROSHI , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 中村貫人 , NAKAMURA, KANTO , 北田亨 , KITADA, TOORU , 鈴木泰信 , SUZUKI, YASUNOBU , 鈴木祐介 , SUZUKI, YUUSUKE , 高槻浩一 , TAKATSUKI, KOICHI , 平澤達郎 , HIRASAWA, TATSUO , 佐藤圭祐 , SATOU, KEISUKE , 安室千晃 , YASUMURO, CHIAKI , 島田篤史 , SHIMADA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/06
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0063 , C23C14/081 , C23C14/165 , C23C14/352 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：一實施形態之成膜裝置，係具備有處理容器。在處理容器內，係設置有載置台，在載置台的上方，係設置有金屬靶材。又，頭部，係構成朝向載置台噴射氧化氣體。該頭部，係可在第1區域與第2區域之間移動，該第1區域，係指在載置台上載置有被處理體的載置區域與金屬靶材之間，第2區域，係指離開金屬靶材與載置區域之間的空間。
简体摘要：一实施形态之成膜设备，系具备有处理容器。在处理容器内，系设置有载置台，在载置台的上方，系设置有金属靶材。又，头部，系构成朝向载置台喷射氧化气体。该头部，系可在第1区域与第2区域之间移动，该第1区域，系指在载置台上载置有被处理体的载置区域与金属靶材之间，第2区域，系指离开金属靶材与载置区域之间的空间。

8. 发明专利

TWI470679B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI470679B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101121446
申请日：2012-06-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本賢治 , MATSUMOTO, KENJI , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 波多野達夫 , HATANO, TATSUO , 濱田龍文 , HAMADA, TATSUFUMI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76823 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76844 , H01L21/76862 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TWI467044B ＣＶＤ－Ｒｕ膜的形成方法及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：ＣＶＤ－Ｒｕ膜的形成方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI467044B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW099107153
申请日：2010-03-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤多佳良 , KATO, TAKARA , 水澤寧 , MIZUSAWA, YASUSHI , 波多野達夫 , HATANO, TATSUO , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 安室千晃 , YASUMURO, CHIAKI , 橫山敦 , YOKOYAMA, OSAMU
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/56 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

10. 发明专利

TW201417206A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201417206A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102123739
申请日：2013-07-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 宮下哲也 , MIYASHITA, TETSUYA , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 前田幸治 , MAEDA, KOJI , 原正道 , HARA, MASAMICHI , 鈴木直行 , SUZUKI, NAOYUKI , 三木洋 , MIKI, HIROSHI , 平田俊治 , HIRATA, TOSHIHARU
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
摘要：本發明係當處理模組無法使用之情況，不停止裝置之運作而繼續進行基板處理，以減少晶圓W之廢棄數量。本發明係具備：晶圓搬送機構列，可於搬送室內進行晶圓之傳遞；處理模組列，係於前述之列的左右兩側處沿該列而配置，可對晶圓進行處理。該處理模組列係讓該一連串處理的各處理於至少2個處理模組中任一者皆可進行之結構。因此，當該一個處理模組無法使用時，可迅速將晶圓搬送至能進行和該處理為相同處理的其他處理模組。故，即便該一個處理模組無法使用，可無需停止裝置運作而繼續進行晶圓處理，以減少晶圓W之廢棄數量。
简体摘要：本发明系当处理模块无法使用之情况，不停止设备之运作而继续进行基板处理，以减少晶圆W之废弃数量。本发明系具备：晶圆搬送机构列，可于搬送室内进行晶圆之传递；处理模块列，系于前述之列的左右两侧处沿该列而配置，可对晶圆进行处理。该处理模块列系让该一连串处理的各处理于至少2个处理模块中任一者皆可进行之结构。因此，当该一个处理模块无法使用时，可迅速将晶圆搬送至能进行和该处理为相同处理的其他处理模块。故，即便该一个处理模块无法使用，可无需停止设备运作而继续进行晶圆处理，以减少晶圆W之废弃数量。

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