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2. 发明专利

TWI404822B 成膜方法及記憶媒體（二）失效
简体标题：成膜方法及记忆媒体（二）
公开(公告)号：TWI404822B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW099131351
申请日：2010-09-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小島康彥 , KOJIMA, YASUHIKO , 東雲秀司 , AZUMO, SHUJI
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/06
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/45525 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/1658 , C23C18/166 , C23C18/1678 , C23C18/1696 , C23C18/34 , C23C28/023 , H01L21/28562 , H01L21/76843

3. 发明专利

TW201537624A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201537624A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103136623
申请日：2014-10-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小島康彥 , KOJIMA, YASUHIKO , 曽根浩 , SONE, HIROSHI , 五味淳 , GOMI, ATSUSHI , 中村貫人 , NAKAMURA, KANTO , 北田亨 , KITADA, TOORU , 鈴木泰信 , SUZUKI, YASUNOBU , 鈴木祐介 , SUZUKI, YUUSUKE , 高槻浩一 , TAKATSUKI, KOICHI , 平澤達郎 , HIRASAWA, TATSUO , 佐藤圭祐 , SATOU, KEISUKE , 安室千晃 , YASUMURO, CHIAKI , 島田篤史 , SHIMADA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/06
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0063 , C23C14/081 , C23C14/165 , C23C14/352 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：一實施形態之成膜裝置，係具備有處理容器。在處理容器內，係設置有載置台，在載置台的上方，係設置有金屬靶材。又，頭部，係構成朝向載置台噴射氧化氣體。該頭部，係可在第1區域與第2區域之間移動，該第1區域，係指在載置台上載置有被處理體的載置區域與金屬靶材之間，第2區域，係指離開金屬靶材與載置區域之間的空間。
简体摘要：一实施形态之成膜设备，系具备有处理容器。在处理容器内，系设置有载置台，在载置台的上方，系设置有金属靶材。又，头部，系构成朝向载置台喷射氧化气体。该头部，系可在第1区域与第2区域之间移动，该第1区域，系指在载置台上载置有被处理体的载置区域与金属靶材之间，第2区域，系指离开金属靶材与载置区域之间的空间。

4. 发明专利

TWI431693B 半導體製造裝置、半導體裝置之製造方法及記憶媒體失效
简体标题：半导体制造设备、半导体设备之制造方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI431693B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW096136956
申请日：2007-10-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：成島正樹 , NARUSHIMA, MASAKI , 小島康彥 , KOJIMA, YASUHIKO
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/44 , H01L21/67207 , H01L21/68742 , H01L21/76831 , H01L21/76861 , H01L21/76864 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , Y10T29/41 , H01L2924/00

5. 发明专利

TWI415217B 半導體裝置的製造方法，半導體裝置的製造裝置，電腦程式及記憶媒體有权
简体标题：半导体设备的制造方法，半导体设备的制造设备，电脑进程及记忆媒体
公开(公告)号：TWI415217B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW096126384
申请日：2007-07-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小島康彥 , KOJIMA, YASUHIKO , 池田太郎 , IKEDA, TARO , 波多野達夫 , HATANO, TATSUO
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76867 , H01L21/76877

6. 发明专利

TW201124564A 成膜方法及記憶媒體（一）审中-公开
简体标题：成膜方法及记忆媒体（一）
公开(公告)号：TW201124564A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099131353
申请日：2010-09-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小島康彥 , 東雲秀司
IPC分类号： C25D
CPC分类号： C25D7/123 , C25D3/38 , C25D5/34 , C25D17/001 , H01L21/28556 , H01L21/2885 , H01L21/76873
摘要：本發明關於一種成膜方法及記憶媒體，該成膜方法具有以下步驟：準備表面形成有作為種晶層的Co膜之基板；對該基板施加使Co的表面電位較Co的氧化電位要低之負電壓；之後，在持續對該基板施加負電壓之狀態下，將該Co膜浸漬在以硫酸銅溶液為主體的電鍍液，並藉由電解電鍍而於該基板的Co膜上形成Cu膜。
简体摘要：本发明关于一种成膜方法及记忆媒体，该成膜方法具有以下步骤：准备表面形成有作为种晶层的Co膜之基板；对该基板施加使Co的表面电位较Co的氧化电位要低之负电压；之后，在持续对该基板施加负电压之状态下，将该Co膜浸渍在以硫酸铜溶液为主体的电镀液，并借由电解电镀而于该基板的Co膜上形成Cu膜。

7. 发明专利

TW201124554A 成膜方法及記憶媒體（二）失效
简体标题：成膜方法及记忆媒体（二）
公开(公告)号：TW201124554A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099131351
申请日：2010-09-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小島康彥 , 東雲秀司
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/45525 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/1658 , C23C18/166 , C23C18/1678 , C23C18/1696 , C23C18/34 , C23C28/023 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要：本發明關於一種成膜方法及記憶媒體，該成膜方法係將基板收納至處理容器內，並在氣相狀態下將含有鈷脒之成膜原料與含有羧酸之還原劑導入至處理容器內，而於基板上形成Co膜。
简体摘要：本发明关于一种成膜方法及记忆媒体，该成膜方法系将基板收纳至处理容器内，并在气相状态下将含有钴脒之成膜原料与含有羧酸之还原剂导入至处理容器内，而于基板上形成Co膜。

8. 发明专利

TWI359876B 薄膜形成方法、半導體裝置之製造方法、半導體裝置及薄膜形成裝置失效
简体标题：薄膜形成方法、半导体设备之制造方法、半导体设备及薄膜形成设备
公开(公告)号：TWI359876B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW093117387
申请日：2004-06-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石坂忠大 , 大島康弘 , 吉井直樹 , 重岡隆 , 川村剛平 , 福田幸夫 , 小島康彥
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/45529 , C23C16/45542 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/7685 , H01L2221/1078
摘要：一種在處理容器內之被處理基板形成薄膜之薄膜形成方法，係使用由：由重複將不包含鹵元素之有機金屬化合物所成之第1原料氣體供應給前述處理容器內後，由前述處理容器內去除前述第1原料氣體之第1工程，及將包含氫氣或氫化合物之第2原料氣體供應給前述處理容器內後，由前述處理容器內去除前述第2原料氣體之第2工程所成之第1薄膜成長工程；及由重複將由金屬鹵化物所成之第3原料氣體供應給前述處理容器內後，由前述處理容器內去除前述第3原料氣體之第3工程，及將包含氫氣或氫化合物之第4原料氣體供應給前述處理容器內後，由前述處理容器內去除前述第4原料氣體之第4工程所成之第2薄膜成長工程所成之薄膜形成方法。
简体摘要：一种在处理容器内之被处理基板形成薄膜之薄膜形成方法，系使用由：由重复将不包含卤元素之有机金属化合物所成之第1原料气体供应给前述处理容器内后，由前述处理容器内去除前述第1原料气体之第1工程，及将包含氢气或氢化合物之第2原料气体供应给前述处理容器内后，由前述处理容器内去除前述第2原料气体之第2工程所成之第1薄膜成长工程；及由重复将由金属卤化物所成之第3原料气体供应给前述处理容器内后，由前述处理容器内去除前述第3原料气体之第3工程，及将包含氢气或氢化合物之第4原料气体供应给前述处理容器内后，由前述处理容器内去除前述第4原料气体之第4工程所成之第2薄膜成长工程所成之薄膜形成方法。

9. 发明专利

TW201124555A 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201124555A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099131354
申请日：2010-09-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：東雲秀司 , 小島康彥
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/16 , C23C16/52 , H01L21/28556
摘要：本發明係提供一種成膜裝置，其具備有：處理室；加熱器，係用以於處理室內對晶圓進行加熱；成膜原料容器，係設置於處理室外，收納有作為成膜原料的羰基鈷；配管，係用以從成膜原料容器將氣體狀羰基鈷供給至處理室；排氣機構，係對處理室內部進行減壓排氣；羰基鈷供給機構，係用以從成膜原料容器經由配管而將氣體狀羰基鈷供給至處理室；溫度控制器，係控制使原料容器及配管之溫度未達羰基鈷之裂解開始溫度；以及CO氣體供給機構，係將CO氣體供給至原料容器內。
简体摘要：本发明系提供一种成膜设备，其具备有：处理室；加热器，系用以于处理室内对晶圆进行加热；成膜原料容器，系设置于处理室外，收纳有作为成膜原料的羰基钴；配管，系用以从成膜原料容器将气体状羰基钴供给至处理室；排气机构，系对处理室内部进行减压排气；羰基钴供给机构，系用以从成膜原料容器经由配管而将气体状羰基钴供给至处理室；温度控制器，系控制使原料容器及配管之温度未达羰基钴之裂解开始温度；以及CO气体供给机构，系将CO气体供给至原料容器内。

10. 发明专利

TW505986B 處理裝置之清潔方法及處理裝置失效
简体标题：处理设备之清洁方法及处理设备
公开(公告)号：TW505986B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090105129
申请日：2001-03-06
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小島康彥 , 大島康弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4405
摘要：本發明係在對處理裝置的處理室真空吸引的狀態下，將含有三氟乙酸(TFA)清潔劑的清潔氣體，供應至處理室。當上述清潔氣體內的清潔劑(TFA)，接觸到附著於處理室內壁且用以形成配線及電極的銅等金屬時，可在不形成氧化物及金屬鹽等情況下直接進行錯體化。而該錯體化物會經由真空吸引昇華，並排出處理室外，因此能以較少工數、低成本地、有效率地進行清潔。
简体摘要：本发明系在对处理设备的处理室真空吸引的状态下，将含有三氟乙酸(TFA)清洁剂的清洁气体，供应至处理室。当上述清洁气体内的清洁剂(TFA)，接触到附着于处理室内壁且用以形成配线及电极的铜等金属时，可在不形成氧化物及金属盐等情况下直接进行错体化。而该错体化物会经由真空吸引升华，并排出处理室外，因此能以较少工数、低成本地、有效率地进行清洁。

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