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1. 发明专利

TW200616076A 乾式蝕刻氣體及乾式蝕刻方法失效
简体标题：干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
公开(公告)号：TW200616076A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094117805
申请日：2005-05-31
申请人：獨立行政法人產業技術綜合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 日本傑恩股份有限公司 ZEON CORPORATION
发明人：關屋章 SEKIYA AKIRA , 杉本達也 SUGIMOTO TATSUYA , 山田俊郎 YAMADA TOSHIRO , 間瀨貴信 MASE TAKANOBU
IPC分类号： H01L , C07C
CPC分类号： H01L21/31116 , C07C41/18 , C07C43/17 , C07C45/513 , C07C45/673 , C07C45/82 , C07C49/227 , C07C2601/04 , C07F9/5352 , Y10T428/24479 , C07C49/687
摘要：本發明之乾蝕刻氣體，係為分子內具有醚鍵結或羰基與氟原子，僅由碳原子、氟原子及氧原子所構成且氟原子數相對於碳原子數的比(F／C)為1.9以下、碳數為4至6的含氟化合物(其中，除了具有1個環狀醚鍵結且1個碳間雙鍵鍵結的含氟化合物以及具有1個羰基的含氟飽和化合物之外)；本發明之混合乾蝕刻氣體，係由選自稀有氣體、氧氣、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所組成之族群其中之一氣體與前述乾蝕刻氣體混合而成；本發明之乾蝕刻方法，係電漿化前述乾蝕刻氣體，再加工半導體材料。本發明提供一種乾蝕刻氣體及使用此乾蝕刻氣體的乾蝕刻方法，以在安全使用下，降低對地球環境的影響，以及在對半導體材料有高選擇性及高乾蝕刻率下實現圖案形狀良好的乾蝕刻。
简体摘要：本发明之干蚀刻气体，系为分子内具有醚键结或羰基与氟原子，仅由碳原子、氟原子及氧原子所构成且氟原子数相对于碳原子数的比(F／C)为1.9以下、碳数为4至6的含氟化合物(其中，除了具有1个环状醚键结且1个碳间双键键结的含氟化合物以及具有1个羰基的含氟饱和化合物之外)；本发明之混合干蚀刻气体，系由选自稀有气体、氧气、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所组成之族群其中之一气体与前述干蚀刻气体混合而成；本发明之干蚀刻方法，系等离子化前述干蚀刻气体，再加工半导体材料。本发明提供一种干蚀刻气体及使用此干蚀刻气体的干蚀刻方法，以在安全使用下，降低对地球环境的影响，以及在对半导体材料有高选择性及高干蚀刻率下实现图案形状良好的干蚀刻。

2. 发明专利

TW201613903A 可做為ＳＵＭＯ活化酵素抑制劑之雜芳基化合物审中-公开
简体标题：可做为ＳＵＭＯ活化酶抑制剂之杂芳基化合物
公开(公告)号：TW201613903A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104121240
申请日：2015-06-30
申请人：千禧製藥公司 , MILLENNIUM PHARMACEUTICALS, INC.
发明人：杜飛麥修O , DUFFEY, MATTHEW O. , 英格蘭迪倫 , ENGLAND, DYLAN , 芙茲史考特 , FREEZE, SCOTT , 胡志根 , HU, ZHIGEN , 蘭斯敦史帝芬P , LANGSTON, STEVEN P. , 麥欣泰爾查理斯 , MCINTYRE, CHARLES , 水谷弘竹 , MIZUTANI, HIROTAKE , 小野宏司 , ONO, KOJI , 徐合 , XU, HE
IPC分类号： C07D405/06 , C07D409/06 , C07D409/14 , C07D471/04 , C07D487/04 , C07D491/052 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D498/04 , C07F9/655 , A61K31/506 , A61K31/438 , A61P35/00
CPC分类号： A61K31/506 , A61K31/34 , A61K31/505 , C07D405/06 , C07D409/06 , C07D409/14 , C07D471/04 , C07D487/04 , C07D491/052 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D498/04 , C07D513/04 , C07F9/5352 , C07F9/5442 , C07F9/65522 , C07F9/65586
摘要：本發明揭示如下化學實體，其為式(I)化合物：或其醫藥學上可接受之鹽；其中Y、Ra、Ra'、Rb、Rc、X1、X2、X3、Rd、Z1及Z2具有本文中所述之值，且在加星號之位置描繪之立體化學組態指示絕對立體化學。根據本發明之化學實體可用作Sumo活化酵素(SAE)抑制劑。進一步提供包含本發明化合物的醫藥組合物，及使用該等組合物治療增生性、發炎性、心血管及神經退化性疾病或病症之方法。
简体摘要：本发明揭示如下化学实体，其为式(I)化合物：或其医药学上可接受之盐；其中Y、Ra、Ra'、Rb、Rc、X1、X2、X3、Rd、Z1及Z2具有本文中所述之值，且在加星号之位置描绘之三維化学组态指示绝对三維化学。根据本发明之化学实体可用作Sumo活化酶(SAE)抑制剂。进一步提供包含本发明化合物的医药组合物，及使用该等组合物治疗增生性、发炎性、心血管及神经退化性疾病或病症之方法。

3. 发明专利

TW201329048A 芳基二氫吡啶酮及六氫吡啶酮ＭＧＡＴ２抑制劑审中-公开
简体标题：芳基二氢吡啶酮及六氢吡啶酮ＭＧＡＴ２抑制剂
公开(公告)号：TW201329048A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101145171
申请日：2012-11-30
申请人：必治妥美雅史谷比公司 , BRISTOL-MYERS SQUIBB COMPANY
发明人：托帝休吉 , TURDI, HUJI , 杭傑嵐瓊J , HANGELAND, JON J. , 勞倫斯 R 麥可 , LAWRENCE, R. MICHAEL , 鄭東 , CHENG, DONG , 阿曼德賽林 , AHMAD, SALEEM , 孟巍 , MENG, WEI , 布里吉斯羅伯特保羅 , BRIGANCE, ROBERT PAUL , 迪瓦絲夏爾普拉禔克 , DEVASTHALE, PRATIK
IPC分类号： C07D211/86 , C07D211/90 , C07D401/04 , C07D401/12 , C07D413/12 , A61K31/4418 , A61K31/4439 , A61K31/444 , A61K31/497 , A61P3/04 , A61P3/06 , A61P3/10
CPC分类号： A61K31/438 , A61K31/4418 , A61K31/4439 , A61K31/5377 , A61K31/675 , A61K45/06 , C07D211/86 , C07D211/90 , C07D221/20 , C07D401/04 , C07D401/10 , C07D401/12 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D407/14 , C07D413/04 , C07D413/12 , C07D413/14 , C07D417/04 , C07D417/14 , C07F9/4006 , C07F9/5352 , C07F9/598
摘要：本發明提供式(I)化合物：或其立體異構體或醫藥上可接受之鹽，其中所有變量皆如本文中所定義。該等化合物係2型單醯基甘油醯基轉移酶(MGAT2)抑制劑，可作為藥劑使用。
简体摘要：本发明提供式(I)化合物：或其三維异构体或医药上可接受之盐，其中所有变量皆如本文中所定义。该等化合物系2型单酰基甘油酰基转移酶(MGAT2)抑制剂，可作为药剂使用。

4. 发明专利

TW200404076A 正膦作為偶合劑之用途及其製備 USE OF PHOSPHORANES AS COUPLING AGENTS AND PROCESSES FOR THEIR PREPARATION 审中-公开
简体标题：正膦作为偶合剂之用途及其制备 USE OF PHOSPHORANES AS COUPLING AGENTS AND PROCESSES FOR THEIR PREPARATION
公开(公告)号：TW200404076A
公开(公告)日：2004-03-16
申请号：TW092116990
申请日：2003-06-23
申请人：賽提克加拿大公司 CYTEC CANADA INC.
发明人：詹姆士麥克那堤 JAMES MCNULTY , 歐羅柏森 AL ROBERTSON , 伏迪米爾拉瑞區微 VLADIMIR LARITCHEV , 歐弗瑞都卡卜瑞塔 ALFREDO CAPRETTA , 傑夫迪克 JEFF DYCK
IPC分类号： C07F
CPC分类号： C07F9/5352 , C07C67/08 , C07C201/12 , C07C2601/14 , C07C69/78 , C07C69/65 , C07C69/734 , C07C69/75 , C07C69/92 , C07C69/76 , C07C69/84 , C07C205/57
摘要：本發明提供一種式(I)化合物作為縮合反應用偶合劑之用途：092116990p01.bmp其中各R^1、R^2與R^3獨立地為H、烴基、或烴氧基，其條件為R^1、R^2與R^3中不超過一個為H；及Y^1與Y^2至少之一為吸電子基，另一個若非吸電子基則為H或無供應電子性質之基，其條件為在Y^1與Y^2之一為H時，另一個不為–CN。某些式(I)化合物為新穎的，而且亦提供其製法。
简体摘要：本发明提供一种式(I)化合物作为缩合反应用偶合剂之用途：092116990p01.bmp其中各R^1、R^2与R^3独立地为H、烃基、或烃氧基，其条件为R^1、R^2与R^3中不超过一个为H；及Y^1与Y^2至少之一为吸电子基，另一个若非吸电子基则为H或无供应电子性质之基，其条件为在Y^1与Y^2之一为H时，另一个不为–CN。某些式(I)化合物为新颖的，而且亦提供其制法。

5. 发明专利

TWI375989B 乾式蝕刻氣體及乾式蝕刻方法失效
简体标题：干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
公开(公告)号：TWI375989B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW094117805
申请日：2005-05-31
申请人：獨立行政法人產業技術總合研究所 , 日本傑恩股份有限公司
发明人：關屋章 , 杉本達也 , 山田俊郎 , 間瀨貴信
IPC分类号： H01L , C07C
CPC分类号： H01L21/31116 , C07C41/18 , C07C43/17 , C07C45/513 , C07C45/673 , C07C45/82 , C07C49/227 , C07C2601/04 , C07F9/5352 , Y10T428/24479 , C07C49/687
摘要：本發明之乾蝕刻氣體，係為分子內具有醚鍵結或羰基與氟原子，僅由碳原子、氟原子及氧原子所構成且氟原子數相對於碳原子數的比(F/C)為1.9以下、碳數為4至6的含氟化合物(其中，除了具有1個環狀醚鍵結且1個碳間雙鍵鍵結的含氟化合物以及具有1個羰基的含氟飽和化合物之外)；本發明之混合乾蝕刻氣體，係由選自稀有氣體、氧氣、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所組成之族群其中之一氣體與前述乾蝕刻氣體混合而成；本發明之乾蝕刻方法，係電漿化前述乾蝕刻氣體，再加工半導體材料。本發明提供一種乾蝕刻氣體及使用此乾蝕刻氣體的乾蝕刻方法，以在安全使用下，降低對地球環境的影響，以及在對半導體材料有高選擇性及高乾蝕刻率下實現圖案形狀良好的乾蝕刻。
简体摘要：本发明之干蚀刻气体，系为分子内具有醚键结或羰基与氟原子，仅由碳原子、氟原子及氧原子所构成且氟原子数相对于碳原子数的比(F/C)为1.9以下、碳数为4至6的含氟化合物(其中，除了具有1个环状醚键结且1个碳间双键键结的含氟化合物以及具有1个羰基的含氟饱和化合物之外)；本发明之混合干蚀刻气体，系由选自稀有气体、氧气、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所组成之族群其中之一气体与前述干蚀刻气体混合而成；本发明之干蚀刻方法，系等离子化前述干蚀刻气体，再加工半导体材料。本发明提供一种干蚀刻气体及使用此干蚀刻气体的干蚀刻方法，以在安全使用下，降低对地球环境的影响，以及在对半导体材料有高选择性及高干蚀刻率下实现图案形状良好的干蚀刻。

6. 发明专利

TW201730B 光學活性中間體及其製造法失效
简体标题：光学活性中间体及其制造法
公开(公告)号：TW201730B
公开(公告)日：1993-03-11
申请号：TW081104572
申请日：1992-06-11
申请人：鹽野義製藥股份有限公司
发明人：荒木美貴 , 鴻池敏郎
IPC分类号： C07C , C07F
CPC分类号： C07F9/5352 , C07C315/04 , C07D207/48 , C07F7/1852 , C07F7/1856 , C07F7/1892 , C07F9/4006 , Y02P20/55 , C07C317/46
摘要：本發明為以下列分子式(Ⅰ)代表之具光學活性之各種醫藥品原料以高光學純度及良好回收率製成之合成方法；□ (Ⅰ)（式中R1為氫原子或羥基保護基，*為不對稱碳原子， R2，為氫原子或可具取代基三低級烷基，Ｑ為-C=P(Ph)3、-CH2 P(O)(OMe)2、或-CH2 S(O)Me。
更詳言之，本發明提供因抑制HMG-CoA(3-hydroxy-3- methylglutaryl coeuzyme A、3-羥基-3-甲戊二醯輔 A)還原酵素活性而抑制膽固醇生合成之光學活性化合物之合成用中間體及其製造方法。
简体摘要：本发明为以下列分子式(Ⅰ)代表之具光学活性之各种医药品原料以高光学纯度及良好回收率制成之合成方法；□ (Ⅰ)（式中R1为氢原子或羟基保护基，*为不对称碳原子， R2，为氢原子或可具取代基三低级烷基，Ｑ为-C=P(Ph)3、-CH2 P(O)(OMe)2、或-CH2 S(O)Me。更详言之，本发明提供因抑制HMG-CoA(3-hydroxy-3- methylglutaryl coeuzyme A、3-羟基-3-甲戊二酰辅 A)还原酶活性而抑制胆固醇生合成之光学活性化合物之合成用中间体及其制造方法。

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