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1. 发明专利

TW200740750A 經取代環戊酮之製造方法失效
简体标题：经取代环戊酮之制造方法
公开(公告)号：TW200740750A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095123464
申请日：2006-06-29
申请人：旭化成化學股份有限公司 ASAHI KASEI CHEMICALS CORPORATION
发明人：清水克也 SHIMIZU, KATSUYA , 松下文夫 MATSUSHITA, FUMIO
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C67/08 , C07B53/00 , C07C45/513 , C07C45/65 , C07C45/676 , C07C45/68 , C07C45/71 , C07C49/395 , C07C49/597 , C07C49/647 , C07C49/753 , C07C51/09 , C07C67/00 , C07C67/303 , C07C67/31 , C07C67/327 , C07C67/343 , C07C69/738 , C07C2601/08 , C07C2601/10 , C07D303/04 , C07D307/33 , C07C59/347 , C07C69/716
摘要：本發明提供一種經取代環戊酮之製造方法,其藉由於過渡金屬觸媒之存在下,將羧酸或特定濃度之羧酸酯作為溶劑,氫化下述式(1)
095123464-p01.bmp
(式中,R^1、R^2表示碳數1~8之取代基)所表示之化合物之雙鍵,而製造下述式(2)
095123464-p02.bmp
(式中,R^3、R^4表示碳數1~8之取代基,R^1、R^2可相同,R^3與R^4亦可相同)之經取代環戊酮。藉由該方法,可以簡便、廉價之方法,且以較高順式體比而獲得作為茉莉系香料或其中間體等有用之經取代環戊酮。
095123464-p03.bmp
简体摘要：本发明提供一种经取代环戊酮之制造方法,其借由于过渡金属触媒之存在下,将羧酸或特定浓度之羧酸酯作为溶剂,氢化下述式(1) 095123464-p01.bmp (式中,R^1、R^2表示碳数1~8之取代基)所表示之化合物之双键,而制造下述式(2) 095123464-p02.bmp (式中,R^3、R^4表示碳数1~8之取代基,R^1、R^2可相同,R^3与R^4亦可相同)之经取代环戊酮。借由该方法,可以简便、廉价之方法,且以较高顺式体比而获得作为茉莉系香料或其中间体等有用之经取代环戊酮。 095123464-p03.bmp

2. 发明专利

TW338061B 具有烯基端基之環己烷衍生物,以及其作為液晶材料之用途失效
简体标题：具有烯基端基之环己烷衍生物,以及其作为液晶材料之用途
公开(公告)号：TW338061B
公开(公告)日：1998-08-11
申请号：TW082108318
申请日：1993-10-07
申请人：智索股份有限公司
发明人：松井秋一 , 近藤智之 , 後藤泰行 , 恩地裕一 , 潮田誠
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C07C17/23 , C07C17/263 , C07C17/2635 , C07C25/24 , C07C43/225 , C07C45/513 , C07C45/59 , C07C45/62 , C07C45/68 , C07C47/24 , C07C47/457 , C07C49/697 , C09K19/3001 , C09K19/3003 , C09K2019/0444 , C07C25/18
摘要：本發明係提供一種分子末端具有烯基且低粘度之新穎液晶材料，而當加入以下通式(Ｉ)化合物時可降低所生成之顯示元件的臨界電位：
CC (Ｉ)式中：Ｘ示氟原子，三氟甲基，三氟甲氧基或二氟甲氧基，－Ａ－示１，４－伸環己基或１，４－伸苯基，－Ｂ－示１，４－伸環己基，
l 示０，１或２，ｍ示０，１或２，且ｌ+ｍ≧１，Ｚ示－ＣＨ２ＣＨ２－或一單鍵，ｎ示整數０－４，Ｒ示氫原子或直鏈或支鏈(Ｃ１－Ｃ７)烷基，且當Ｒ示烷基時，雙鍵具有反式組態。本發明化合物適供作為ＳＴＮ型顯示元件之液晶材料，且進一步地係具有化學安定性；因此，它可製備具有優界多重特性且可產生低電位驅動效果之組成物。
简体摘要：本发明系提供一种分子末端具有烯基且低粘度之新颖液晶材料，而当加入以下通式(Ｉ)化合物时可降低所生成之显示组件的临界电位： CC (Ｉ)式中：Ｘ示氟原子，三氟甲基，三氟甲氧基或二氟甲氧基，－Ａ－示１，４－伸环己基或１，４－伸苯基，－Ｂ－示１，４－伸环己基， l 示０，１或２，ｍ示０，１或２，且ｌ+ｍ≧１，Ｚ示－ＣＨ２ＣＨ２－或一单键，ｎ示整数０－４，Ｒ示氢原子或直链或支链(Ｃ１－Ｃ７)烷基，且当Ｒ示烷基时，双键具有反式组态。本发明化合物适供作为ＳＴＮ型显示组件之液晶材料，且进一步地系具有化学安定性；因此，它可制备具有优界多重特性且可产生低电位驱动效果之组成物。

3. 发明专利

TWI375989B 乾式蝕刻氣體及乾式蝕刻方法失效
简体标题：干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
公开(公告)号：TWI375989B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW094117805
申请日：2005-05-31
申请人：獨立行政法人產業技術總合研究所 , 日本傑恩股份有限公司
发明人：關屋章 , 杉本達也 , 山田俊郎 , 間瀨貴信
IPC分类号： H01L , C07C
CPC分类号： H01L21/31116 , C07C41/18 , C07C43/17 , C07C45/513 , C07C45/673 , C07C45/82 , C07C49/227 , C07C2601/04 , C07F9/5352 , Y10T428/24479 , C07C49/687
摘要：本發明之乾蝕刻氣體，係為分子內具有醚鍵結或羰基與氟原子，僅由碳原子、氟原子及氧原子所構成且氟原子數相對於碳原子數的比(F/C)為1.9以下、碳數為4至6的含氟化合物(其中，除了具有1個環狀醚鍵結且1個碳間雙鍵鍵結的含氟化合物以及具有1個羰基的含氟飽和化合物之外)；本發明之混合乾蝕刻氣體，係由選自稀有氣體、氧氣、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所組成之族群其中之一氣體與前述乾蝕刻氣體混合而成；本發明之乾蝕刻方法，係電漿化前述乾蝕刻氣體，再加工半導體材料。本發明提供一種乾蝕刻氣體及使用此乾蝕刻氣體的乾蝕刻方法，以在安全使用下，降低對地球環境的影響，以及在對半導體材料有高選擇性及高乾蝕刻率下實現圖案形狀良好的乾蝕刻。
简体摘要：本发明之干蚀刻气体，系为分子内具有醚键结或羰基与氟原子，仅由碳原子、氟原子及氧原子所构成且氟原子数相对于碳原子数的比(F/C)为1.9以下、碳数为4至6的含氟化合物(其中，除了具有1个环状醚键结且1个碳间双键键结的含氟化合物以及具有1个羰基的含氟饱和化合物之外)；本发明之混合干蚀刻气体，系由选自稀有气体、氧气、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所组成之族群其中之一气体与前述干蚀刻气体混合而成；本发明之干蚀刻方法，系等离子化前述干蚀刻气体，再加工半导体材料。本发明提供一种干蚀刻气体及使用此干蚀刻气体的干蚀刻方法，以在安全使用下，降低对地球环境的影响，以及在对半导体材料有高选择性及高干蚀刻率下实现图案形状良好的干蚀刻。

4. 发明专利

TW213900B 經取代之啶類化合物的立體選擇性製造方法失效
简体标题：经取代之啶类化合物的三維选择性制造方法
公开(公告)号：TW213900B
公开(公告)日：1993-10-01
申请号：TW081100889
申请日：1992-02-10
申请人：輝瑞股份有限公司
发明人：泰瑞.傑.羅森
IPC分类号： C07D
CPC分类号： C07D401/12 , C07C45/44 , C07C45/513 , C07C45/673 , C07C45/71 , C07C47/565 , C07C47/575 , C07D211/56 , C07D409/12
摘要：本發明揭示供立體選擇地製備下式所示之經取代啶衍生物的新穎方法，□ （Ⅳ）及□ （Ⅰ）
式中，Ｒ１及Ｒ２如本說明書所定義。
简体摘要：本发明揭示供三維选择地制备下式所示之经取代啶衍生物的新颖方法，□ （Ⅳ）及□ （Ⅰ）式中，Ｒ１及Ｒ２如本说明书所定义。

5. 发明专利

TW200918497A 經取代環戊酮之製造方法失效
简体标题：经取代环戊酮之制造方法
公开(公告)号：TW200918497A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097139110
申请日：2006-06-29
申请人：旭化成化學股份有限公司 ASAHI KASEI CHEMICALS CORPORATION
发明人：清水克也 SHIMIZU, KATSUYA , 松下文夫 MATSUSHITA, FUMIO
IPC分类号： C07C , C07D
CPC分类号： C07C67/08 , C07B53/00 , C07C45/513 , C07C45/65 , C07C45/676 , C07C45/68 , C07C45/71 , C07C49/395 , C07C49/597 , C07C49/647 , C07C49/753 , C07C51/09 , C07C67/00 , C07C67/303 , C07C67/31 , C07C67/327 , C07C67/343 , C07C69/738 , C07C2601/08 , C07C2601/10 , C07D303/04 , C07D307/33 , C07C59/347 , C07C69/716
摘要：本發明提供一種經取代環戊酮之製造方法,其藉由於過渡金屬觸媒之存在下,將羧酸或特定濃度之羧酸酯作為溶劑,氫化下述式(1)
097139110P01.bmp
(式中,R^1、R^2表示碳數1~8之取代基)所表示之化合物之雙鍵,而製造下述式(2)
097139110P02.bmp
(式中,R^3、R^4表示碳數1~8之取代基,R^1、R^2可相同,R^3與R^4亦可相同)之經取代環戊酮。藉由該方法,可以簡便、廉價之方法,且以較高順式體比而獲得作為茉莉系香料或其中間體等有用之經取代環戊酮。
简体摘要：本发明提供一种经取代环戊酮之制造方法,其借由于过渡金属触媒之存在下,将羧酸或特定浓度之羧酸酯作为溶剂,氢化下述式(1) 097139110P01.bmp (式中,R^1、R^2表示碳数1~8之取代基)所表示之化合物之双键,而制造下述式(2) 097139110P02.bmp (式中,R^3、R^4表示碳数1~8之取代基,R^1、R^2可相同,R^3与R^4亦可相同)之经取代环戊酮。借由该方法,可以简便、廉价之方法,且以较高顺式体比而获得作为茉莉系香料或其中间体等有用之经取代环戊酮。

6. 发明专利

TWI308147B 經取代環戊酮之製造方法失效
简体标题：经取代环戊酮之制造方法
公开(公告)号：TWI308147B
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW095123464
申请日：2006-06-29
申请人：旭化成化學股份有限公司 ASAHI KASEI CHEMICALS CORPORATION
发明人：清水克也 SHIMIZU, KATSUYA , 松下文夫 MATSUSHITA, FUMIO
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C67/08 , C07B53/00 , C07C45/513 , C07C45/65 , C07C45/676 , C07C45/68 , C07C45/71 , C07C49/395 , C07C49/597 , C07C49/647 , C07C49/753 , C07C51/09 , C07C67/00 , C07C67/303 , C07C67/31 , C07C67/327 , C07C67/343 , C07C69/738 , C07C2601/08 , C07C2601/10 , C07D303/04 , C07D307/33 , C07C59/347 , C07C69/716
摘要：本發明提供一種經取代環戊酮之製造方法,其藉由於過渡金屬觸媒之存在下,將羧酸或特定濃度之羧酸酯作為溶劑,氫化下述式(1)
(式中,R1、R2表示碳數1~8之取代基)所表示之化合物之雙鍵,而製造下述式(2)
(式中,R3、R4表示碳數1~8之取代基,R1、R2可相同,R3與R4亦可相同)之經取代環戊酮。藉由該方法,可以簡便、廉價之方法,且以較高順式體比而獲得作為茉莉系香料或其中間體等有用之經取代環戊酮。
简体摘要：本发明提供一种经取代环戊酮之制造方法,其借由于过渡金属触媒之存在下,将羧酸或特定浓度之羧酸酯作为溶剂,氢化下述式(1) (式中,R1、R2表示碳数1~8之取代基)所表示之化合物之双键,而制造下述式(2) (式中,R3、R4表示碳数1~8之取代基,R1、R2可相同,R3与R4亦可相同)之经取代环戊酮。借由该方法,可以简便、廉价之方法,且以较高顺式体比而获得作为茉莉系香料或其中间体等有用之经取代环戊酮。

7. 发明专利

TW200616076A 乾式蝕刻氣體及乾式蝕刻方法失效
简体标题：干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
公开(公告)号：TW200616076A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094117805
申请日：2005-05-31
申请人：獨立行政法人產業技術綜合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 日本傑恩股份有限公司 ZEON CORPORATION
发明人：關屋章 SEKIYA AKIRA , 杉本達也 SUGIMOTO TATSUYA , 山田俊郎 YAMADA TOSHIRO , 間瀨貴信 MASE TAKANOBU
IPC分类号： H01L , C07C
CPC分类号： H01L21/31116 , C07C41/18 , C07C43/17 , C07C45/513 , C07C45/673 , C07C45/82 , C07C49/227 , C07C2601/04 , C07F9/5352 , Y10T428/24479 , C07C49/687
摘要：本發明之乾蝕刻氣體，係為分子內具有醚鍵結或羰基與氟原子，僅由碳原子、氟原子及氧原子所構成且氟原子數相對於碳原子數的比(F／C)為1.9以下、碳數為4至6的含氟化合物(其中，除了具有1個環狀醚鍵結且1個碳間雙鍵鍵結的含氟化合物以及具有1個羰基的含氟飽和化合物之外)；本發明之混合乾蝕刻氣體，係由選自稀有氣體、氧氣、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所組成之族群其中之一氣體與前述乾蝕刻氣體混合而成；本發明之乾蝕刻方法，係電漿化前述乾蝕刻氣體，再加工半導體材料。本發明提供一種乾蝕刻氣體及使用此乾蝕刻氣體的乾蝕刻方法，以在安全使用下，降低對地球環境的影響，以及在對半導體材料有高選擇性及高乾蝕刻率下實現圖案形狀良好的乾蝕刻。
简体摘要：本发明之干蚀刻气体，系为分子内具有醚键结或羰基与氟原子，仅由碳原子、氟原子及氧原子所构成且氟原子数相对于碳原子数的比(F／C)为1.9以下、碳数为4至6的含氟化合物(其中，除了具有1个环状醚键结且1个碳间双键键结的含氟化合物以及具有1个羰基的含氟饱和化合物之外)；本发明之混合干蚀刻气体，系由选自稀有气体、氧气、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所组成之族群其中之一气体与前述干蚀刻气体混合而成；本发明之干蚀刻方法，系等离子化前述干蚀刻气体，再加工半导体材料。本发明提供一种干蚀刻气体及使用此干蚀刻气体的干蚀刻方法，以在安全使用下，降低对地球环境的影响，以及在对半导体材料有高选择性及高干蚀刻率下实现图案形状良好的干蚀刻。

8. 发明专利

TWI312775B 經取代環戊酮之製造方法失效
简体标题：经取代环戊酮之制造方法
公开(公告)号：TWI312775B
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097139110
申请日：2006-06-29
申请人：旭化成化學股份有限公司 ASAHI KASEI CHEMICALS CORPORATION
发明人：清水克也 SHIMIZU, KATSUYA , 松下文夫 MATSUSHITA, FUMIO
IPC分类号： C07C , C07D
CPC分类号： C07C67/08 , C07B53/00 , C07C45/513 , C07C45/65 , C07C45/676 , C07C45/68 , C07C45/71 , C07C49/395 , C07C49/597 , C07C49/647 , C07C49/753 , C07C51/09 , C07C67/00 , C07C67/303 , C07C67/31 , C07C67/327 , C07C67/343 , C07C69/738 , C07C2601/08 , C07C2601/10 , C07D303/04 , C07D307/33 , C07C59/347 , C07C69/716
摘要：本發明提供一種經取代環戊酮之製造方法,其藉由於過渡金屬觸媒之存在下,將羧酸或特定濃度之羧酸酯作為溶劑,氫化下述式(1)

(式中,R1、R2表示碳數1~8之取代基)所表示之化合物之雙鍵,而製造下述式(2)

(式中,R3、R4表示碳數1~8之取代基,R1、R2可相同,R3與R4亦可相同)之經取代環戊酮。藉由該方法,可以簡便、廉價之方法,且以較高順式體比而獲得作為茉莉系香料或其中間體等有用之經取代環戊酮。
简体摘要：本发明提供一种经取代环戊酮之制造方法,其借由于过渡金属触媒之存在下,将羧酸或特定浓度之羧酸酯作为溶剂,氢化下述式(1) (式中,R1、R2表示碳数1~8之取代基)所表示之化合物之双键,而制造下述式(2) (式中,R3、R4表示碳数1~8之取代基,R1、R2可相同,R3与R4亦可相同)之经取代环戊酮。借由该方法,可以简便、廉价之方法,且以较高顺式体比而获得作为茉莉系香料或其中间体等有用之经取代环戊酮。

9. 发明专利

TW473536B 二氟化苯基衍生物、液晶性化合物及液晶組成物失效
简体标题：二氟化苯基衍生物、液晶性化合物及液晶组成物
公开(公告)号：TW473536B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW086119020
申请日：1997-12-16
申请人：智索股份有限公司
发明人：加藤孝 , 松井秋一 , 宮和利 , 竹下房幸 , 中川悦男
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C07C17/16 , C07B59/001 , C07C17/12 , C07C17/263 , C07C17/2632 , C07C17/269 , C07C17/354 , C07C25/18 , C07C25/24 , C07C43/192 , C07C43/225 , C07C45/513 , C07C45/60 , C07C2601/14 , C07F7/0896 , C09K19/0403 , C09K19/14 , C09K19/20 , C09K19/3003 , C09K19/3066 , C09K19/3402 , C09K19/3444 , C09K19/3458 , C09K19/3491 , C09K19/42 , C09K2019/0407 , C09K2019/3027 , C09K2019/3422 , Y10T428/10 , C07C22/00 , C07C47/105
摘要：鹵素原子取代之1，4－伸苯基；x1，x2及x3相互獨立為－(CH2)4－、－(CH2)3O－、－0(CH2)3－或單鍵；Y1為氫原子或碳數1~15之烷基；m及n各自獨立為0或1；又構成此化合物之各原子皆可受其同位素所取代。)所示之液晶性化合物、及含此液晶性化合物之液晶組成物。
简体摘要：卤素原子取代之1，4－伸苯基；x1，x2及x3相互独立为－(CH2)4－、－(CH2)3O－、－0(CH2)3－或单键；Y1为氢原子或碳数1~15之烷基；m及n各自独立为0或1；又构成此化合物之各原子皆可受其同位素所取代。)所示之液晶性化合物、及含此液晶性化合物之液晶组成物。

10. 发明专利

TW314509B 製備正–丁醛及/或正–丁醇之方法失效
简体标题：制备正–丁醛及/或正–丁醇之方法
公开(公告)号：TW314509B
公开(公告)日：1997-09-01
申请号：TW084100276
申请日：1995-01-13
申请人：巴地斯顏料化工廠
发明人：艾佛瑞德.索姆 , 裘根.凱納 , 邁克.羅普 , 羅夫.皮柯斯 , 羅柯.帕西羅
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C41/32 , C07C29/172 , C07C41/06 , C07C45/513 , C07C47/02 , C07C43/15 , C07C31/12
摘要：本發明是有關製備正－丁醛及／或正－丁醇之方法，其中 a) 1,3-丁二烯與式Ⅰ之醇反應
ROH Ⅰ,
其中R 基團是C2-C20烷基或烯基，其可未經取代或為
1 或2 個C1-C10烷氧基或羥基所取代，或R 是
C6-C10芳基或C7-C11芳烷基，或甲基，在高溫及大於
一大氣壓下，並有布忍司特酸(Bronsted)存在或Ib、
VIIb或VIIIb 族元素與含有磷或氮配體之複合物存在
下，以形成式II及式III加合物之混合物
CC II,
CC III, b) 加合物III異構化或加合物II， c) 加合物II異構化，於均相的或異相的過渡金屬元素催
化劑於液相下，或含有過渡金屬元素於氣相之異相催
化劑存在下，以形成式IV之烯醇醚
□ IV,及 d) 正－丁醛及／或正－丁醇產自此醚IV，係經由其與氫
及水或僅與水之反應，並有均相的或異相的催化劑於
液相之存在或異相的催化劑過渡金屬元素於氣相之存
在，且醇ROH 再次釋出，釋出的醇再循環至如部份反
應a)所定義的階段。
简体摘要：本发明是有关制备正－丁醛及／或正－丁醇之方法，其中 a) 1,3-丁二烯与式Ⅰ之醇反应 ROH Ⅰ, 其中R 基团是C2-C20烷基或烯基，其可未经取代或为 1 或2 个C1-C10烷氧基或羟基所取代，或R 是 C6-C10芳基或C7-C11芳烷基，或甲基，在高温及大于一大气压下，并有布忍司特酸(Bronsted)存在或Ib、 VIIb或VIIIb 族元素与含有磷或氮配体之复合物存在下，以形成式II及式III加合物之混合物 CC II, CC III, b) 加合物III异构化或加合物II， c) 加合物II异构化，于均相的或异相的过渡金属元素催化剂于液相下，或含有过渡金属元素于气相之异相催化剂存在下，以形成式IV之烯醇醚 □ IV,及 d) 正－丁醛及／或正－丁醇产自此醚IV，系经由其与氢及水或仅与水之反应，并有均相的或异相的催化剂于液相之存在或异相的催化剂过渡金属元素于气相之存在，且醇ROH 再次发佈，发佈的醇再循环至如部份反应a)所定义的阶段。

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