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1. 发明专利

TW200413423A 富烯,茂金屬觸媒及其製備方法以及使用該觸媒製備聚烯烴共聚物之方法 FULVENE, METALLOCENE CATALYSTS AND PREPARATION METHOD THEREOF, AND PREPARATION OF POLYOLEFINES COPOLYMER USING THE SAME 审中-公开
简体标题：富烯,茂金属触媒及其制备方法以及使用该触媒制备聚烯烃共聚物之方法 FULVENE, METALLOCENE CATALYSTS AND PREPARATION METHOD THEREOF, AND PREPARATION OF POLYOLEFINES COPOLYMER USING THE SAME
公开(公告)号：TW200413423A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092124056
申请日：2003-08-29
申请人： LG化學股份有限公司 LG CHEM, LTD.
发明人：朴迎煥 PARK, YOUNG-WHAN , 李始根 LEE, SI-GEUN , 洪性敦 HONG, SUNG-DON , 宋光浩 SONG, KWANG-HO , 丁鵬郡 JEONG, BOONG-GOON , 南大祐 NAM, DAE-WOO , 李泍烈 LEE, BUN-YEOUL , 李忠勳 LEE, CHOONG-HOON , 李曉宣 LEE, HYO-SUN
IPC分类号： C08F
CPC分类号： C07C45/59 , C07C45/58 , C07C49/687 , C07C49/707 , C07C49/747 , C07C49/753 , C08F4/65912 , C08F4/6592 , C08F110/02 , C08F210/02 , Y10S526/943 , C08F4/65927 , C08F232/00 , C08F2500/25 , C08F2500/03
摘要：本發明係指一種新穎的富烯化合物及其製備方法，尤指一種在2–位置和5–位置具有取代基，和從一種在β–位置具有一取代基和在α–位置具有一鹵原子的不飽和酮來製備的富烯化合物，及其製備方法。本發明亦指一種使一富烯化合物與一包括環戊二烯基的陰離子基起反應，以致僅在環戊二烯基的橋鍵之α–位置的碳有個取代基的茂金屬觸媒，及使用該觸媒製備聚烯烴共聚物的方法。092124056p01.bmp
简体摘要：本发明系指一种新颖的富烯化合物及其制备方法，尤指一种在2–位置和5–位置具有取代基，和从一种在β–位置具有一取代基和在α–位置具有一卤原子的不饱和酮来制备的富烯化合物，及其制备方法。本发明亦指一种使一富烯化合物与一包括环戊二烯基的阴离子基起反应，以致仅在环戊二烯基的桥键之α–位置的碳有个取代基的茂金属触媒，及使用该触媒制备聚烯烃共聚物的方法。092124056p01.bmp

2. 发明专利

TW201302671A 新穎之含氟雙環己烷衍生物审中-公开
简体标题：新颖之含氟双环己烷衍生物
公开(公告)号：TW201302671A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101113559
申请日：2012-04-17
申请人：和光純藥工業股份有限公司 , WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：關和貴 , SEKI, KAZUTAKA , 伊藤光太郎 , ITOH, KOTARO , 田中智章 , TANAKA, TOMOAKI
IPC分类号： C07C22/00 , C07C49/303 , C07D317/72 , C09K19/30
CPC分类号： C07D317/72 , C07C35/48 , C07C43/196 , C07C49/457 , C07C49/517 , C07C49/687 , C09K2019/3004 , C09K2019/301 , C09K2019/3408
摘要：本發明之目的係提供一種在含氟液晶性化合物的合成中較佳之中間體，本發明係有關一種通式[1]所示之化合物之發明 [式中，R1及R2任何一方表示氫原子，另一方為通式[2]表示之基F-T1- [2] (式中，T1表示在該鏈中可具有氧原子、碳-碳雙鍵或／及三鍵之碳原子數1至10之伸烷基鏈)。又，R1與R2可與其隣接之碳原子形成通式[3]表示之基 (式中，T2表示在該鏈中可具有氧原子、碳-碳雙鍵或／及三鍵之碳原子數1至9之伸烷基鏈)。R3與R4係一方為氫原子且另一方為羥基、雙方為烷氧基、或R3與R4與其鄰接之碳原子形成式[4]或通式[5]表示之基者 (通式[5]中，n表示1或2)]。
简体摘要：本发明之目的系提供一种在含氟液晶性化合物的合成中较佳之中间体，本发明系有关一种通式[1]所示之化合物之发明 [式中，R1及R2任何一方表示氢原子，另一方为通式[2]表示之基F-T1- [2] (式中，T1表示在该链中可具有氧原子、碳-碳双键或／及三键之碳原子数1至10之伸烷基链)。又，R1与R2可与其邻接之碳原子形成通式[3]表示之基 (式中，T2表示在该链中可具有氧原子、碳-碳双键或／及三键之碳原子数1至9之伸烷基链)。R3与R4系一方为氢原子且另一方为羟基、双方为烷氧基、或R3与R4与其邻接之碳原子形成式[4]或通式[5]表示之基者 (通式[5]中，n表示1或2)]。

3. 发明专利

TW200616076A 乾式蝕刻氣體及乾式蝕刻方法失效
简体标题：干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
公开(公告)号：TW200616076A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094117805
申请日：2005-05-31
申请人：獨立行政法人產業技術綜合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 日本傑恩股份有限公司 ZEON CORPORATION
发明人：關屋章 SEKIYA AKIRA , 杉本達也 SUGIMOTO TATSUYA , 山田俊郎 YAMADA TOSHIRO , 間瀨貴信 MASE TAKANOBU
IPC分类号： H01L , C07C
CPC分类号： H01L21/31116 , C07C41/18 , C07C43/17 , C07C45/513 , C07C45/673 , C07C45/82 , C07C49/227 , C07C2601/04 , C07F9/5352 , Y10T428/24479 , C07C49/687
摘要：本發明之乾蝕刻氣體，係為分子內具有醚鍵結或羰基與氟原子，僅由碳原子、氟原子及氧原子所構成且氟原子數相對於碳原子數的比(F／C)為1.9以下、碳數為4至6的含氟化合物(其中，除了具有1個環狀醚鍵結且1個碳間雙鍵鍵結的含氟化合物以及具有1個羰基的含氟飽和化合物之外)；本發明之混合乾蝕刻氣體，係由選自稀有氣體、氧氣、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所組成之族群其中之一氣體與前述乾蝕刻氣體混合而成；本發明之乾蝕刻方法，係電漿化前述乾蝕刻氣體，再加工半導體材料。本發明提供一種乾蝕刻氣體及使用此乾蝕刻氣體的乾蝕刻方法，以在安全使用下，降低對地球環境的影響，以及在對半導體材料有高選擇性及高乾蝕刻率下實現圖案形狀良好的乾蝕刻。
简体摘要：本发明之干蚀刻气体，系为分子内具有醚键结或羰基与氟原子，仅由碳原子、氟原子及氧原子所构成且氟原子数相对于碳原子数的比(F／C)为1.9以下、碳数为4至6的含氟化合物(其中，除了具有1个环状醚键结且1个碳间双键键结的含氟化合物以及具有1个羰基的含氟饱和化合物之外)；本发明之混合干蚀刻气体，系由选自稀有气体、氧气、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所组成之族群其中之一气体与前述干蚀刻气体混合而成；本发明之干蚀刻方法，系等离子化前述干蚀刻气体，再加工半导体材料。本发明提供一种干蚀刻气体及使用此干蚀刻气体的干蚀刻方法，以在安全使用下，降低对地球环境的影响，以及在对半导体材料有高选择性及高干蚀刻率下实现图案形状良好的干蚀刻。

4. 发明专利

TWI375989B 乾式蝕刻氣體及乾式蝕刻方法失效
简体标题：干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
公开(公告)号：TWI375989B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW094117805
申请日：2005-05-31
申请人：獨立行政法人產業技術總合研究所 , 日本傑恩股份有限公司
发明人：關屋章 , 杉本達也 , 山田俊郎 , 間瀨貴信
IPC分类号： H01L , C07C
CPC分类号： H01L21/31116 , C07C41/18 , C07C43/17 , C07C45/513 , C07C45/673 , C07C45/82 , C07C49/227 , C07C2601/04 , C07F9/5352 , Y10T428/24479 , C07C49/687
摘要：本發明之乾蝕刻氣體，係為分子內具有醚鍵結或羰基與氟原子，僅由碳原子、氟原子及氧原子所構成且氟原子數相對於碳原子數的比(F/C)為1.9以下、碳數為4至6的含氟化合物(其中，除了具有1個環狀醚鍵結且1個碳間雙鍵鍵結的含氟化合物以及具有1個羰基的含氟飽和化合物之外)；本發明之混合乾蝕刻氣體，係由選自稀有氣體、氧氣、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所組成之族群其中之一氣體與前述乾蝕刻氣體混合而成；本發明之乾蝕刻方法，係電漿化前述乾蝕刻氣體，再加工半導體材料。本發明提供一種乾蝕刻氣體及使用此乾蝕刻氣體的乾蝕刻方法，以在安全使用下，降低對地球環境的影響，以及在對半導體材料有高選擇性及高乾蝕刻率下實現圖案形狀良好的乾蝕刻。
简体摘要：本发明之干蚀刻气体，系为分子内具有醚键结或羰基与氟原子，仅由碳原子、氟原子及氧原子所构成且氟原子数相对于碳原子数的比(F/C)为1.9以下、碳数为4至6的含氟化合物(其中，除了具有1个环状醚键结且1个碳间双键键结的含氟化合物以及具有1个羰基的含氟饱和化合物之外)；本发明之混合干蚀刻气体，系由选自稀有气体、氧气、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所组成之族群其中之一气体与前述干蚀刻气体混合而成；本发明之干蚀刻方法，系等离子化前述干蚀刻气体，再加工半导体材料。本发明提供一种干蚀刻气体及使用此干蚀刻气体的干蚀刻方法，以在安全使用下，降低对地球环境的影响，以及在对半导体材料有高选择性及高干蚀刻率下实现图案形状良好的干蚀刻。

5. 发明专利

TWI311566B 富烯,茂金屬觸媒及其製備方法以及使用該觸媒製備聚烯烴共聚物之方法 FULVENE, METALLOCENE CATALYSTS AND PREPARATION METHOD THEREOF, AND PREPARATION OF POLYOLEFINES COPOLYMER USING THE SAME 有权
简体标题：富烯,茂金属触媒及其制备方法以及使用该触媒制备聚烯烃共聚物之方法 FULVENE, METALLOCENE CATALYSTS AND PREPARATION METHOD THEREOF, AND PREPARATION OF POLYOLEFINES COPOLYMER USING THE SAME
公开(公告)号：TWI311566B
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW092124056
申请日：2003-08-29
申请人： LG化學股份有限公司 LG CHEMICAL CO., LTD.
发明人：朴迎煥 PARK, YOUNG-WHAN , 李始根 LEE, SI-GEUN , 洪性敦 HONG, SUNG-DON , 宋光浩 SONG, KWANG-HO , 丁鵬郡 JEONG, BOONG-GOON , 南大祐 NAM, DAE-WOO , 李泍烈 LEE, BUN-YEOUL , 李忠勳 LEE, CHOONG-HOON , 李曉宣 LEE, HYO-SUN
IPC分类号： C08F
CPC分类号： C07C45/59 , C07C45/58 , C07C49/687 , C07C49/707 , C07C49/747 , C07C49/753 , C08F4/65912 , C08F4/6592 , C08F110/02 , C08F210/02 , Y10S526/943 , C08F4/65927 , C08F232/00 , C08F2500/25 , C08F2500/03
摘要：本發明係指一種新穎的富烯化合物及其製備方法,尤指一種在2-位置和5-位置具有取代基,和從一種在��-位置具有一取代基和在��-位置具有一鹵原子的不飽和酮來製備的富烯化合物,及其製備方法。本發明亦指一種使一富烯化合物與一包括環戊二烯基的陰離子基起反應,以致僅在環戊二烯基的橋鍵之��-位置的碳有個取代基的茂金屬觸媒,及使用該觸媒製備聚烯烴共聚物的方法。
简体摘要：本发明系指一种新颖的富烯化合物及其制备方法,尤指一种在2-位置和5-位置具有取代基,和从一种在��-位置具有一取代基和在��-位置具有一卤原子的不饱和酮来制备的富烯化合物,及其制备方法。本发明亦指一种使一富烯化合物与一包括环戊二烯基的阴离子基起反应,以致仅在环戊二烯基的桥键之��-位置的碳有个取代基的茂金属触媒,及使用该触媒制备聚烯烃共聚物的方法。

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