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    • 4. 发明专利
    • 乾式蝕刻氣體及乾式蝕刻方法
    • 干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
    • TWI375989B
    • 2012-11-01
    • TW094117805
    • 2005-05-31
    • 獨立行政法人產業技術總合研究所日本傑恩股份有限公司
    • 關屋章杉本達也山田俊郎間瀨貴信
    • H01LC07C
    • H01L21/31116C07C41/18C07C43/17C07C45/513C07C45/673C07C45/82C07C49/227C07C2601/04C07F9/5352Y10T428/24479C07C49/687
    • 本發明之乾蝕刻氣體,係為分子內具有醚鍵結或羰基與氟原子,僅由碳原子、氟原子及氧原子所構成且氟原子數相對於碳原子數的比(F/C)為1.9以下、碳數為4至6的含氟化合物(其中,除了具有1個環狀醚鍵結且1個碳間雙鍵鍵結的含氟化合物以及具有1個羰基的含氟飽和化合物之外);本發明之混合乾蝕刻氣體,係由選自稀有氣體、氧氣、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所組成之族群其中之一氣體與前述乾蝕刻氣體混合而成;本發明之乾蝕刻方法,係電漿化前述乾蝕刻氣體,再加工半導體材料。本發明提供一種乾蝕刻氣體及使用此乾蝕刻氣體的乾蝕刻方法,以在安全使用下,降低對地球環境的影響,以及在對半導體材料有高選擇性及高乾蝕刻率下實現圖案形狀良好的乾蝕刻。
    • 本发明之干蚀刻气体,系为分子内具有醚键结或羰基与氟原子,仅由碳原子、氟原子及氧原子所构成且氟原子数相对于碳原子数的比(F/C)为1.9以下、碳数为4至6的含氟化合物(其中,除了具有1个环状醚键结且1个碳间双键键结的含氟化合物以及具有1个羰基的含氟饱和化合物之外);本发明之混合干蚀刻气体,系由选自稀有气体、氧气、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷及八氟丙烷所组成之族群其中之一气体与前述干蚀刻气体混合而成;本发明之干蚀刻方法,系等离子化前述干蚀刻气体,再加工半导体材料。本发明提供一种干蚀刻气体及使用此干蚀刻气体的干蚀刻方法,以在安全使用下,降低对地球环境的影响,以及在对半导体材料有高选择性及高干蚀刻率下实现图案形状良好的干蚀刻。