专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TWI401259B 金屬（ＩＶ）四脒鹽化合物以及在氣相沈積中的使用方法有权
简体标题：金属（ＩＶ）四脒盐化合物以及在气相沉积中的使用方法
公开(公告)号：TWI401259B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW096123199
申请日：2007-06-27
申请人：哈佛大學校長及評議會 , PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE
发明人：葛登羅伊G , GORDON, ROY G. , 雷恩珍塞巴斯蒂安 , LEHN, JEAN-SEBASTIEN , 李華志 , LI, HUAZHI
IPC分类号： C07F7/00 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/44
CPC分类号： C07F7/006 , C07C257/14 , C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553

3. 发明专利

TWI340133B （２Ｓ，５Ｚ）-２-胺基-７-（乙醯亞胺醯基胺基）-２-甲基庚-５-烯酸之結晶固體型 CRYSTALLINE SOLID FORM OF (2S,5Z)-2-AMINO-7-(ETHANIMIDOYLAMINO)-2-METHYLHEPT-5-ENOIC ACID. 失效
简体标题：（２Ｓ，５Ｚ）-２-胺基-７-（乙酰亚胺酰基胺基）-２-甲基庚-５-烯酸之结晶固体型 CRYSTALLINE SOLID FORM OF (2S,5Z)-2-AMINO-7-(ETHANIMIDOYLAMINO)-2-METHYLHEPT-5-ENOIC ACID.
公开(公告)号：TWI340133B
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：TW092123205
申请日：2003-08-22
申请人：法瑪西亞公司
发明人： E 安后麗安
IPC分类号： C07C , A61K
CPC分类号： C07C257/14
摘要：本發明係關於一種(2S,5Z)-2-胺基-7-(乙醯亞胺醯基胺基)-2-甲基庚-5-烯酸，其係結晶為無水、化學計量之1.5 HCl鹽，及揭示一種可放大規模的(scaleable)結晶方法。本案描述該鹽之特徵，該對掌性中心之絕對構形係證實為"S"。(2S,5Z)-2-胺基-7-(乙醯亞胺醯基胺基)-2-甲基庚-5-烯酸係具高熔點，且使用於醫藥組合物中呈現可接受非吸濕性的。
简体摘要：本发明系关于一种(2S,5Z)-2-胺基-7-(乙酰亚胺酰基胺基)-2-甲基庚-5-烯酸，其系结晶为无水、化学计量之1.5 HCl盐，及揭示一种可放大规模的(scaleable)结晶方法。本案描述该盐之特征，该对掌性中心之绝对构形系证实为"S"。(2S,5Z)-2-胺基-7-(乙酰亚胺酰基胺基)-2-甲基庚-5-烯酸系具高熔点，且使用于医药组合物中呈现可接受非吸湿性的。

4. 发明专利

TW200813076A 金屬(Ⅳ)四鹽化合物以及在氣相沈積中的使用方法 METAL(Ⅳ) TETRA-AMIDINATE COMPOUNDS AND THEIR USE IN VAPOR DEPOSITION 审中-公开
简体标题：金属(Ⅳ)四盐化合物以及在气相沉积中的使用方法 METAL(Ⅳ) TETRA-AMIDINATE COMPOUNDS AND THEIR USE IN VAPOR DEPOSITION
公开(公告)号：TW200813076A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096123199
申请日：2007-06-27
申请人：哈佛大學校長及評議會 PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE
发明人：葛登羅伊G GORDON, ROY G. , 雷恩珍塞巴斯蒂安 LEHN, JEAN-SEBASTIEN , 李華志 LI, HUAZHI
IPC分类号： C07F , C23C
CPC分类号： C07F7/006 , C07C257/14 , C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553
摘要：本發明描述金屬(Ⅳ)四(N,N'-二烷基鹽)之合成及表徵。例示性金屬包括鉿、鋯、鉭、鈮、鎢、鉬、錫以及鈾。此等化合物是揮發性、高度熱穩定的,且適用於金屬及其氧化物、氮化物以及其他化合物的氣相沈積。
简体摘要：本发明描述金属(Ⅳ)四(N,N'-二烷基盐)之合成及表征。例示性金属包括铪、锆、钽、铌、钨、钼、锡以及铀。此等化合物是挥发性、高度热稳定的,且适用于金属及其氧化物、氮化物以及其他化合物的气相沉积。

5. 发明专利

TWI463032B 含鑭系元素前驅物的製備和含鑭系元素薄膜的沈積有权
简体标题：含镧系元素前驱物的制备和含镧系元素薄膜的沉积
公开(公告)号：TWI463032B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098118837
申请日：2009-06-05
申请人：液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 , L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE
发明人：帕雷姆凡卡特斯瓦拉 , PALLEM, VENKATESWARA , 杜薩拉特克里斯均 , DUSSARRAT, CHRISTIAN
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02192 , C07C257/14 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/409 , C23C16/45531

6. 发明专利

TWI359804B 含金屬化合物、其製造方法、含金屬之薄膜及其形成方法 METAL-CONTAINING COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METAL-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME 有权
简体标题：含金属化合物、其制造方法、含金属之薄膜及其形成方法 METAL-CONTAINING COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METAL-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI359804B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW095128361
申请日：2006-08-02
申请人：東曹股份有限公司 , 財團法人相模中央化學研究所
发明人：多田賢一 , 稻葉孝一郎 , 古川泰志 , 山川哲 , 大島憲昭
IPC分类号： C07C , C07F , C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/3141 , C07C257/14 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/006 , C23C16/18 , C23C16/40
摘要：本發明係提供一種適於作為CVD法或ALD法之原料之具有熱安定性與適度氣化特性之化合物、其製造方法、使用該化合物為原料所形成之薄膜及其形成方法。
使通式(2)所表示之化合物與通式(3)所表示之化合物反應來製造通式(1)所表示之化合物，以其作為原料來形成含金屬之薄膜。
(式中，M表示第四族原子、鋁原子、鎵原子等，n視情形為2或3，R1及R3表示碳數1~6之烷基等，R2表示碳數1~6之烷基等，R4及R5表示碳數1~4之烷基等，X表示氫原子、鋰原子或鈉原子，p視情形為1或2，q視情形為4或6)。
简体摘要：本发明系提供一种适于作为CVD法或ALD法之原料之具有热安定性与适度气化特性之化合物、其制造方法、使用该化合物为原料所形成之薄膜及其形成方法。使通式(2)所表示之化合物与通式(3)所表示之化合物反应来制造通式(1)所表示之化合物，以其作为原料来形成含金属之薄膜。 (式中，M表示第四族原子、铝原子、镓原子等，n视情形为2或3，R1及R3表示碳数1~6之烷基等，R2表示碳数1~6之烷基等，R4及R5表示碳数1~4之烷基等，X表示氢原子、锂原子或钠原子，p视情形为1或2，q视情形为4或6)。

7. 发明专利

TW200606168A 有效於作為銅薄膜沉積前驅體之銅(I)化合物 COPPER (I) COMPOUNDS USEFUL AS DEPOSITION PRECURSORS OF COPPER THIN FILMS 审中-公开
简体标题：有效于作为铜薄膜沉积前驱体之铜(I)化合物 COPPER (I) COMPOUNDS USEFUL AS DEPOSITION PRECURSORS OF COPPER THIN FILMS
公开(公告)号：TW200606168A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094111308
申请日：2005-04-11
申请人：尖端科技材料公司 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：蘇中因 CHONGYING XU , 亞歷山大波洛維克 ALEXANDER BOROVIK , 湯瑪斯鮑姆 THOMAS H. BAUM
IPC分类号： C07F , H01L
CPC分类号： C07C257/14 , C07F1/005 , C23C16/18
摘要：本發明係關於在半導體裝置之製造中用於形成銅薄膜之銅(I)鹽前驅體，及使用化學氣相沉積或原子層沉積方法將銅(I)鹽前驅體沉積於基板上之方法。094111308-p01.bmp
简体摘要：本发明系关于在半导体设备之制造中用于形成铜薄膜之铜(I)盐前驱体，及使用化学气相沉积或原子层沉积方法将铜(I)盐前驱体沉积于基板上之方法。094111308-p01.bmp

8. 发明专利

TW200504000A 自化合物選擇性移除對離子之方法及自該方法衍生之化合物 METHODS FOR SELECTIVELY REMOVING COUNTERIONS FROM COMPOUNDS AND COMPOUNDS DERIVED FROM SUCH METHODS 审中-公开
简体标题：自化合物选择性移除对离子之方法及自该方法衍生之化合物 METHODS FOR SELECTIVELY REMOVING COUNTERIONS FROM COMPOUNDS AND COMPOUNDS DERIVED FROM SUCH METHODS
公开(公告)号：TW200504000A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093106328
申请日：2004-03-10
申请人：法瑪西亞公司 PHARMACIA CORPORATION
发明人：克麗斯汀摩爾 MOORE, CHRISTINE
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C257/14 , B01J39/04 , B01J41/04 , C07B63/00 , C07C319/20 , C07C323/58 , C07C323/59
摘要：揭示自化合物選擇性移除對離子之方法。亦揭示自該方法衍生之化合物，例如化合物S－【2－【(1－亞胺乙基)胺基】乙基】－2－甲基－L－半胱胺酸之兩性離子，其含有介於0至至多為2莫耳當量之鹽酸鹽。
简体摘要：揭示自化合物选择性移除对离子之方法。亦揭示自该方法衍生之化合物，例如化合物S－【2－【(1－亚胺乙基)胺基】乙基】－2－甲基－L－半胱胺酸之两性离子，其含有介于0至至多为2莫耳当量之盐酸盐。

9. 发明专利

TW307747B 胺基酸衍生物,包含此等化合物之醫藥組合物及其製備方法失效
简体标题：氨基酸衍生物,包含此等化合物之医药组合物及其制备方法
公开(公告)号：TW307747B
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：TW083100622
申请日：1994-01-25
申请人：卡爾.湯姆博士有限公司
发明人：伍夫哈.安其 , 亨利.杜斯 , 克勞斯.狄德.威利 , 克勞斯.魯道夫 , 海克.安德烈.魏連 , 傑哈.米姆 , 渥夫崗.艾伯林
IPC分类号： C07C , C07D
CPC分类号： C07D233/64 , A61K38/00 , C07C237/22 , C07C237/42 , C07C255/60 , C07C257/12 , C07C257/14 , C07C257/18 , C07C259/10 , C07C259/18 , C07C261/04 , C07C275/40 , C07C279/14 , C07C279/18 , C07C279/36 , C07C307/02 , C07C307/10 , C07C311/08 , C07C311/19 , C07C311/39 , C07C311/42 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2603/18 , C07C2603/74 , C07D209/16 , C07D209/42 , C07D209/44 , C07D213/38 , C07D215/38 , C07D223/20 , C07D233/24 , C07D233/48 , C07D233/72 , C07D233/88 , C07D235/06 , C07D249/12 , C07D249/14 , C07D271/07 , C07D295/15 , C07D333/20 , C07D471/04 , C07K5/06095
摘要：本發明係有關構成有價值之NPY-拮抗物質之通式Ｉ之新穎胺基酸衍生物
T-Z-NR1-(R2CR3)-CO-Y-(CH2)n-R (I)（式中R、R1至R3、T、Z、Y及N如申請專利範圍第１項中所定義）、非對掌異構物、對掌異構物及其鹽，特定言之為其與無機或有機酸或鹼之生理上可接受之鹽、含此等化合物之醫藥組合物、其用途及其製備方法。
简体摘要：本发明系有关构成有价值之NPY-拮抗物质之通式Ｉ之新颖氨基酸衍生物 T-Z-NR1-(R2CR3)-CO-Y-(CH2)n-R (I)（式中R、R1至R3、T、Z、Y及N如申请专利范围第１项中所定义）、非对掌异构物、对掌异构物及其盐，特定言之为其与无机或有机酸或碱之生理上可接受之盐、含此等化合物之医药组合物、其用途及其制备方法。

10. 发明专利

TW255881B 基衍生物失效
公开(公告)号：TW255881B
公开(公告)日：1995-09-01
申请号：TW081110312
申请日：1992-12-23
申请人：威爾康基金股份有限公司
发明人：李察.比姆斯 , 李察.波摩 , 哈洛德.韓德森
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C323/58 , A61K31/195 , C07C257/14 , C07C2601/02
摘要：通式(Ⅰ)所示魚基衍生物及其類，及藥學上可接受酯類及醯胺類：□ (Ⅰ)式中：Ｒ1示直鏈或支鏈（Ｃ1-6）烷基，（Ｃ2-6）烯基，（Ｃ2-6）炔基，（Ｃ3-6）環烷基或（Ｃ3-6）環烷基（Ｃ1-6）烷基；Ｑ示（Ｃ1-3）伸烷基，伸烯基或伸炔基，其可任意經１或多個（Ｃ1-3）烷基所取代；通式－（ＣＨ2）pＸ（ＣＨ2）q－所示基團，式中，ｐ示２或３，ｑ示１或２而Ｘ示Ｓ（Ｏ）χ（其中，ｘ示０，１或２），０或ＮＲ2（其中，Ｒ2示Ｈ或Ｃ1-6烷基；或者通式－（ＣＨ2）r Ａ（ＣＨ2）－所示基團（式中，ｒ示０，１或２，ｓ示０，１或２而Ａ示３－６節碳環或雜環，其可任意經１或多個取代基（諸如，（Ｃ1-6）烷基，（Ｃ1-6）烷氧基，羥基，鹵基，硝基，氰基，三氟基（Ｃ1-6）烷基，胺基，（Ｃ1-6）烷基胺基或二（Ｃ1-6）烷基胺基；以及包含它們之藥學組成物據揭示可用於藥物中，且亦揭示通式（Ｉ）所示新穎化合物及彼之製法。
简体摘要：通式(Ⅰ)所示鱼基衍生物及其类，及药学上可接受酯类及酰胺类：□ (Ⅰ)式中：Ｒ1示直链或支链（Ｃ1-6）烷基，（Ｃ2-6）烯基，（Ｃ2-6）炔基，（Ｃ3-6）环烷基或（Ｃ3-6）环烷基（Ｃ1-6）烷基；Ｑ示（Ｃ1-3）伸烷基，伸烯基或伸炔基，其可任意经１或多个（Ｃ1-3）烷基所取代；通式－（ＣＨ2）pＸ（ＣＨ2）q－所示基团，式中，ｐ示２或３，ｑ示１或２而Ｘ示Ｓ（Ｏ）χ（其中，ｘ示０，１或２），０或ＮＲ2（其中，Ｒ2示Ｈ或Ｃ1-6烷基；或者通式－（ＣＨ2）r Ａ（ＣＨ2）－所示基团（式中，ｒ示０，１或２，ｓ示０，１或２而Ａ示３－６节碳环或杂环，其可任意经１或多个取代基（诸如，（Ｃ1-6）烷基，（Ｃ1-6）烷氧基，羟基，卤基，硝基，氰基，三氟基（Ｃ1-6）烷基，胺基，（Ｃ1-6）烷基胺基或二（Ｃ1-6）烷基胺基；以及包含它们之药学组成物据揭示可用于药物中，且亦揭示通式（Ｉ）所示新颖化合物及彼之制法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式