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1. 发明专利

TWI369360B 鉭化合物，其製造方法，含鉭之薄膜及其形成方法 TANTALUM COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, TANTALUM-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME 有权
简体标题：钽化合物，其制造方法，含钽之薄膜及其形成方法 TANTALUM COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, TANTALUM-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI369360B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW095103537
申请日：2006-01-27
申请人：東曹股份有限公司 , 財團法人相模中央化學研究所
发明人：關本謙一 , 多田賢一 , 高森真由美 , 山川哲 , 古川泰志 , 大島憲昭
IPC分类号： C07F
CPC分类号： C23C16/18 , C07F17/00
摘要：本發明之課題在於提供一種不含鹵素等之含鉭之薄膜及可分開製作含有目的之元素的各種含鉭薄膜之新穎鉭化合物及其製造方法，又在於提供一種可安定地形成含有作為目的之元素的含鉭薄膜之方法。
本發明係使用以下述通式(1)
【化1】
(式中R1表示碳數2至6之直鏈狀烷基)所示或以下述通式(2)
【化2】
(式中R2表示碳數2至6之直鏈狀烷基)所示之鉭化合物及其製造方法。又本發明係使用以下述通式(6)
【化3】
(式中，j、k、m及n係滿足j＋k＝5、m＋n＝5之1~4的整數，R3~R6係表示氫原子、碳數1至6的烷基等)所示之鉭化合物作為原料，以形成含鉭之薄膜。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种不含卤素等之含钽之薄膜及可分开制作含有目的之元素的各种含钽薄膜之新颖钽化合物及其制造方法，又在于提供一种可安定地形成含有作为目的之元素的含钽薄膜之方法。本发明系使用以下述通式(1) 【化1】 (式中R1表示碳数2至6之直链状烷基)所示或以下述通式(2) 【化2】 (式中R2表示碳数2至6之直链状烷基)所示之钽化合物及其制造方法。又本发明系使用以下述通式(6) 【化3】 (式中，j、k、m及n系满足j＋k＝5、m＋n＝5之1~4的整数，R3~R6系表示氢原子、碳数1至6的烷基等)所示之钽化合物作为原料，以形成含钽之薄膜。

2. 发明专利

TW201241840A 含銅組成物、金屬銅膜之製造方法及金屬銅膜 COPPER-CONTAINING COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING METALLIC COPPER FILM, AND METALLIC COPPER FILM 审中-公开
简体标题：含铜组成物、金属铜膜之制造方法及金属铜膜 COPPER-CONTAINING COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING METALLIC COPPER FILM, AND METALLIC COPPER FILM
公开(公告)号：TW201241840A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100148606
申请日：2011-12-26
申请人：東曹股份有限公司 , 公益財團法人相模中央化學研究所
发明人：木下智之 , 大島憲昭 , 川畑貴裕 , 山川哲
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01B1/026
摘要：本發明提供從銅之高原子價化合製造金屬銅膜之組成物、金屬銅膜之製造方法、及金屬銅膜。係塗佈包含銅無機化合物、直鏈、分支或環狀之碳數1至18之醇類、VIII族金屬觸媒、黏結劑樹脂、黏結劑樹脂硬化劑、及銅有機錯合物之含銅組成物而形成由含銅組成物構成的被覆膜,再將該被覆膜於鈍性氣體、氫氣、或鈍性氣體與氫氣之混合氣體中進行加熱而製造金屬銅膜。又,塗佈包含銅無機化合物、直鏈、分支或環狀之碳數1至18之醇類、VIII族金屬觸媒、黏結劑樹脂、黏結劑樹脂硬化劑、銅有機錯合物、與流變性調整劑之含銅組成物,而形成由含銅組成物構成的被覆膜,再將該被覆膜於鈍性氣體、氫氣、或鈍性氣體與氫氣之混合氣體中進行加熱而製造金屬銅膜。
简体摘要：本发明提供从铜之高原子价化合制造金属铜膜之组成物、金属铜膜之制造方法、及金属铜膜。系涂布包含铜无机化合物、直链、分支或环状之碳数1至18之醇类、VIII族金属触媒、黏结剂树脂、黏结剂树脂硬化剂、及铜有机错合物之含铜组成物而形成由含铜组成物构成的被覆膜,再将该被覆膜于钝性气体、氢气、或钝性气体与氢气之混合气体中进行加热而制造金属铜膜。又,涂布包含铜无机化合物、直链、分支或环状之碳数1至18之醇类、VIII族金属触媒、黏结剂树脂、黏结剂树脂硬化剂、铜有机错合物、与流变性调整剂之含铜组成物,而形成由含铜组成物构成的被覆膜,再将该被覆膜于钝性气体、氢气、或钝性气体与氢气之混合气体中进行加热而制造金属铜膜。

3. 发明专利

TWI501927B 金屬膜製造用組成物、金屬膜之製造方法及金屬粉末之製造方法有权
简体标题：金属膜制造用组成物、金属膜之制造方法及金属粉末之制造方法
公开(公告)号：TWI501927B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW098135757
申请日：2009-10-22
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH CENTER
发明人：山川哲 , YAMAKAWA, TETSU , 大島憲昭 , OSHIMA, NORIAKI , 川畑貴裕 , KAWABATA, TAKAHIRO , 木下智之 , KINOSHITA, TOMOYUKI , 稻生俊雄 , INASE, TOSHIO
IPC分类号： C01G3/00 , C01G5/00 , C01G15/00 , C07C31/125 , B01J31/26 , H01L21/283
CPC分类号： C23C18/08 , B22F9/24 , B22F2998/00 , H01B1/02 , H01B1/026 , B22F1/0018

4. 发明专利

TWI373472B 鈦錯合物，其製造方法，含鈦薄膜以及其等之形成方法 TITANIUM COMPLEX, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, TITANIUM-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME 失效
简体标题：钛错合物，其制造方法，含钛薄膜以及其等之形成方法 TITANIUM COMPLEX, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, TITANIUM-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI373472B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW095141698
申请日：2006-11-10
申请人：東曹股份有限公司 , 財團法人相模中央化學研究所
发明人：多田賢一 , 稻葉孝一郎 , 古川泰志 , 千葉洋一 , 山川哲 , 大島憲昭
IPC分类号： C07F , C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/006 , C23C16/34 , C23C16/405
摘要：本發明的課題為提供具有良好氣化特性及優良熱安定性、成為用於藉由CVD法或ALD法等的手法來形成含鈦薄膜的原料之新穎鈦錯合物，其製造方法，及使用此等所形成的含鈦薄膜以及其形成方法。於本發明中，藉由使通式(2)所表示的二亞胺與金屬鋰反應，接著與通式(3)所表示的四胺基錯合物反應，而製造通式(1)所表示的鈦錯合物，以該鈦錯合物當作原料來形成含鈦薄膜。
【化1】
(2)
【化2】Ti(NR5R6)4(3)
【化3】
(1)
(式中，R1和R4表示碳數1至6的烷基等。R2和R3各自獨立表示氫原子或碳數1至3的烷基等。R5和R6各自獨立表示碳數1至4的烷基等)。
简体摘要：本发明的课题为提供具有良好气化特性及优良热安定性、成为用于借由CVD法或ALD法等的手法来形成含钛薄膜的原料之新颖钛错合物，其制造方法，及使用此等所形成的含钛薄膜以及其形成方法。于本发明中，借由使通式(2)所表示的二亚胺与金属锂反应，接着与通式(3)所表示的四胺基错合物反应，而制造通式(1)所表示的钛错合物，以该钛错合物当作原料来形成含钛薄膜。【化1】 (2) 【化2】Ti(NR5R6)4(3) 【化3】 (1) (式中，R1和R4表示碳数1至6的烷基等。R2和R3各自独立表示氢原子或碳数1至3的烷基等。R5和R6各自独立表示碳数1至4的烷基等)。

5. 发明专利

TWI380974B 醯亞胺錯合物，其製造方法，含金屬之薄膜及其製造方法有权
简体标题：酰亚胺错合物，其制造方法，含金属之薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI380974B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW096131715
申请日：2007-08-27
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH CENTER
发明人：多田賢一 , TADA, KEN-ICHI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 稻葉孝一郎 , INABA, KOICHIRO , 肆矢忠寬 , YOTSUYA, TADAHIRO , 千葉洋一 , CHIBA, HIROKAZU , 山本俊樹 , YAMAMOTO, TOSHIKI , 山川哲 , YAMAKAWA, TETSU , 大島憲昭 , OSHIMA, NORIAKI
IPC分类号： C07C211/65 , C01G33/00 , C01G35/00 , C07C209/00 , C23C16/18
CPC分类号： C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405

6. 发明专利

TWI447109B 苯基取代的１，３，５-三嗪化合物、其製造方法、及以其作為構成成份之有機電致發光元件有权
简体标题：苯基取代的１，３，５-三嗪化合物、其制造方法、及以其作为构成成份之有机电致发光组件
公开(公告)号：TWI447109B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW097109376
申请日：2008-03-17
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：山川哲 , YAMAKAWA, TETSU , 相原秀典 , AIHARA, HIDENORI , 矢內直子 , YANAI, NAOKO , 田中剛 , TANAKA, TSUYOSHI , 本間陽子 , HONMA, YOKO , 佐藤優 , SATO, MASARU
IPC分类号： C07D401/10 , C07D401/14 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0067 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D401/14 , H01L51/5048 , H05B33/22

7. 发明专利

TWI359804B 含金屬化合物、其製造方法、含金屬之薄膜及其形成方法 METAL-CONTAINING COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METAL-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME 有权
简体标题：含金属化合物、其制造方法、含金属之薄膜及其形成方法 METAL-CONTAINING COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METAL-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI359804B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW095128361
申请日：2006-08-02
申请人：東曹股份有限公司 , 財團法人相模中央化學研究所
发明人：多田賢一 , 稻葉孝一郎 , 古川泰志 , 山川哲 , 大島憲昭
IPC分类号： C07C , C07F , C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/3141 , C07C257/14 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/006 , C23C16/18 , C23C16/40
摘要：本發明係提供一種適於作為CVD法或ALD法之原料之具有熱安定性與適度氣化特性之化合物、其製造方法、使用該化合物為原料所形成之薄膜及其形成方法。
使通式(2)所表示之化合物與通式(3)所表示之化合物反應來製造通式(1)所表示之化合物，以其作為原料來形成含金屬之薄膜。
(式中，M表示第四族原子、鋁原子、鎵原子等，n視情形為2或3，R1及R3表示碳數1~6之烷基等，R2表示碳數1~6之烷基等，R4及R5表示碳數1~4之烷基等，X表示氫原子、鋰原子或鈉原子，p視情形為1或2，q視情形為4或6)。
简体摘要：本发明系提供一种适于作为CVD法或ALD法之原料之具有热安定性与适度气化特性之化合物、其制造方法、使用该化合物为原料所形成之薄膜及其形成方法。使通式(2)所表示之化合物与通式(3)所表示之化合物反应来制造通式(1)所表示之化合物，以其作为原料来形成含金属之薄膜。 (式中，M表示第四族原子、铝原子、镓原子等，n视情形为2或3，R1及R3表示碳数1~6之烷基等，R2表示碳数1~6之烷基等，R4及R5表示碳数1~4之烷基等，X表示氢原子、锂原子或钠原子，p视情形为1或2，q视情形为4或6)。

8. 发明专利

TW201022153A 金屬膜製造用組成物、金屬膜之製造方法及金屬粉末之製造方法 COMPOSITION FOR PRODUCING METALLIC FILM, METHOD OF PRODUCING METALLIC FILM AND METHOD OF PRODUCING METALLIC POWDER 审中-公开
简体标题：金属膜制造用组成物、金属膜之制造方法及金属粉末之制造方法 COMPOSITION FOR PRODUCING METALLIC FILM, METHOD OF PRODUCING METALLIC FILM AND METHOD OF PRODUCING METALLIC POWDER
公开(公告)号：TW201022153A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098135757
申请日：2009-10-22
申请人：東曹股份有限公司 , 財團法人相模中央化學研究所
发明人：山川哲 , 大島憲昭 , 川畑貴裕 , 木下智之 , 稻生俊雄
IPC分类号： C01G , C07C , B01J , H01L
CPC分类号： C23C18/08 , B22F9/24 , B22F2998/00 , H01B1/02 , H01B1/026 , B22F1/0018
摘要：本發明提供一種可由高原子價金屬化合物直接製造金屬膜之組成物、金屬膜之製造方法及金屬粉末之製造方法。使用特徵為含有銅、銀或銦之高原子價化合物、直鏈、分支或環狀之碳數1至18之醇類及VIII族之金屬觸媒的銅、銀或銦之金屬膜製造用組成物而形成被覆膜，接著進行加熱還原，藉此製造銅、銀或銦之金屬膜。又，將銅、銀或銦之高原子價化合物改為使用具有由銅、銀或銦之高原子價化合物構成之表層的銅、銀或銦之金屬粒子，與前述以同樣方式製造銅、銀或銦之金屬膜。
简体摘要：本发明提供一种可由高原子价金属化合物直接制造金属膜之组成物、金属膜之制造方法及金属粉末之制造方法。使用特征为含有铜、银或铟之高原子价化合物、直链、分支或环状之碳数1至18之醇类及VIII族之金属触媒的铜、银或铟之金属膜制造用组成物而形成被覆膜，接着进行加热还原，借此制造铜、银或铟之金属膜。又，将铜、银或铟之高原子价化合物改为使用具有由铜、银或铟之高原子价化合物构成之表层的铜、银或铟之金属粒子，与前述以同样方式制造铜、银或铟之金属膜。

9. 发明专利

TWI436964B 三氟甲基化用反應試劑失效
简体标题：三氟甲基化用反应试剂
公开(公告)号：TWI436964B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW097113501
申请日：2008-04-14
申请人：財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH CENTER , 東曹氟技術股份有限公司 , TOSOH F-TECH, INC.
发明人：山川哲 , YAMAKAWA, TETSU , 山本今日子 , YAMAMOTO, KYOKO , 浦口大輔 , URAGUCHI, DAISUKE , 德久賢治 , TOKUHISA, KENJI
IPC分类号： C07B39/00 , C07D473/16 , C07D239/54 , C07D473/18 , C07D231/12 , C07C17/32 , C07C209/68 , C07C211/45
CPC分类号： C07C209/74 , C07C17/32 , C07D213/64 , C07D231/12 , C07D239/54 , C07D473/16 , C07D473/18 , C07C211/52

10. 发明专利

TW200942508A 三氟甲基化用反應試劑失效
简体标题：三氟甲基化用反应试剂
公开(公告)号：TW200942508A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097113501
申请日：2008-04-14
申请人：財團法人相模中央化學研究所 , 東曹氟技術股份有限公司
发明人：山川哲 , 山本今日子 , 浦口大輔 , 德久賢治
IPC分类号： C07B , C07D , C07C
CPC分类号： C07C209/74 , C07C17/32 , C07D213/64 , C07D231/12 , C07D239/54 , C07D473/16 , C07D473/18 , C07C211/52
摘要：本發明係提供一種泛用性高、效率佳之三氟甲基化用反應試劑。含有鐵化合物、碘化三氟甲烷、亞碸類及過氧化物之三氟甲基化用反應試劑，更可含有酸。作為鐵化合物者如：硫酸鐵(II)、硫酸鐵(II)銨、四氟硼酸鐵(II)、二茂鐵、雙(η 5 -五甲基環戊二烯)鐵或鐵粉之示例，作為亞碸類者如：二甲亞碸之示例，作為過氧化物者如：過氧化氫或過氧化氫-脲複合體之示例，作為酸者如：硫酸、四氟硼酸或三氟甲烷磺酸之示例。
简体摘要：本发明系提供一种泛用性高、效率佳之三氟甲基化用反应试剂。含有铁化合物、碘化三氟甲烷、亚砜类及过氧化物之三氟甲基化用反应试剂，更可含有酸。作为铁化合物者如：硫酸铁(II)、硫酸铁(II)铵、四氟硼酸铁(II)、二茂铁、双(η 5 -五甲基环戊二烯)铁或铁粉之示例，作为亚砜类者如：二甲亚砜之示例，作为过氧化物者如：过氧化氢或过氧化氢-脲复合体之示例，作为酸者如：硫酸、四氟硼酸或三氟甲烷磺酸之示例。

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