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1. 发明专利

TW201736289A 合成石英玻璃晶粒的製備审中-公开
简体标题：合成石英玻璃晶粒的制备
公开(公告)号：TW201736289A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105141736
申请日：2016-12-16
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：安德馬丁 , ARNDT, MARTIN , 歐特馬休斯 , OTTER, MATTHIAS , 萊曼瓦特 , LEHMAN, WALTER , 胡乃曼麥可 , HUNERMANN, MICHAEL , 尼爾森尼爾斯-克理斯提恩 , NIELSEN, NILS-CHRISTIAN , 惠比尼吉爾羅伯特 , WHIPPEY, NIGEL ROBERT , 格羅曼伯里斯 , GROMANN, BORIS , 柯佩巴尼愛比托-加法 , KPEBANE, ABDOUL-GAFAR
IPC分类号： C03B20/00 , C03C3/06
CPC分类号： C03B19/066 , C03B19/095 , C03B19/10 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03B2201/23 , C03C3/06 , C03C2203/10
摘要：本發明係關於一種製備石英玻璃晶粒之方法，其包含方法步驟i.)自熱解製造的二氧化矽粉末提供二氧化矽顆粒，ii.)自二氧化矽顆粒製造玻璃熔體，iii.)自至少一部分該玻璃熔體製造石英玻璃體，及iv.)減小石英玻璃體的尺寸，以獲得石英玻璃晶粒。本發明進一步關於一種可藉由此方法獲得之石英玻璃晶粒。本發明進一步關於不透明石英玻璃體，其可藉由進一步加工該石英玻璃晶粒獲得。
简体摘要：本发明系关于一种制备石英玻璃晶粒之方法，其包含方法步骤i.)自热解制造的二氧化硅粉末提供二氧化硅颗粒，ii.)自二氧化硅颗粒制造玻璃熔体，iii.)自至少一部分该玻璃熔体制造石英玻璃体，及iv.)减小石英玻璃体的尺寸，以获得石英玻璃晶粒。本发明进一步关于一种可借由此方法获得之石英玻璃晶粒。本发明进一步关于不透明石英玻璃体，其可借由进一步加工该石英玻璃晶粒获得。

2. 发明专利

TW201625826A 石英玻璃坩堝之破壞檢查方法及是否良好之判定方法审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚之破坏检查方法及是否良好之判定方法
公开(公告)号：TW201625826A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104131329
申请日：2015-09-22
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：北原賢 , KITAHARA, KEN , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10
CPC分类号： G01N3/307 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , G01N2203/001 , G01N2203/0035 , G01N2203/0064
摘要：課題：提供一種可於與實際使用狀況盡可能接近之狀態下進行檢查之石英玻璃坩堝之破壞檢查方法和是否良好之判定方法。解決手段：根據本發明之石英玻璃坩堝之破壞檢查方法，自動中心沖頭之前端部碰撞石墨基座上支撐之單晶矽提拉用之石英玻璃坩堝之內表面，並且評價借由所述自動中心沖頭於內表面之一點上瞬間施加負荷時之內表面之裂痕之狀態。
简体摘要：课题：提供一种可于与实际使用状况尽可能接近之状态下进行检查之石英玻璃坩埚之破坏检查方法和是否良好之判定方法。解决手段：根据本发明之石英玻璃坩埚之破坏检查方法，自动中心冲头之前端部碰撞石墨基座上支撑之单晶硅提拉用之石英玻璃坩埚之内表面，并且评价借由所述自动中心冲头于内表面之一点上瞬间施加负荷时之内表面之裂痕之状态。

3. 发明专利

TWI483132B 支援氧化矽玻璃坩堝及其製造用模具、以及矽單晶提拉條件的設定的裝置有权
简体标题：支持氧化硅玻璃坩埚及其制造用模具、以及硅单晶提拉条件的设置的设备
公开(公告)号：TWI483132B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101140630
申请日：2012-11-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠広 , SATO, TADAHIRO , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 飛田修司 , TOBITA, SHUJI , 鈴木光一 , SUZUKI, KOICHI
IPC分类号： G06F17/50 , C30B29/06 , C30B15/20 , C30B35/00
CPC分类号： G06F17/50 , B01L3/04 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , G06F17/5009 , G06F2217/12 , G06F2217/16 , Y02P90/265

4. 发明专利

TWI480506B 氧化矽玻璃坩堝三次元形狀測定方法及單晶矽製造方法有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚三次元形状测定方法及单晶硅制造方法
公开(公告)号：TWI480506B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101140629
申请日：2012-11-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠広 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN
IPC分类号： G01B11/24 , C30B29/06
CPC分类号： G01B11/24 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B15/20 , C30B15/26 , C30B29/06 , H01L22/12

5. 发明专利

TWI463045B 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法有权
简体标题：单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TWI463045B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW101144176
申请日：2012-11-26
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU
IPC分类号： C30B15/10 , C03B20/00
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C30B11/002 , C30B29/06 , C30B29/18 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032

6. 发明专利

TWI452020B 複合坩堝及其製造方法有权
简体标题：复合坩埚及其制造方法
公开(公告)号：TWI452020B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW100149385
申请日：2011-12-28
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 吉岡拓麿 , YOSHIOKA, TAKUMA
IPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/10

7. 发明专利

TWI436955B 氧化矽玻璃坩堝的製造方法，氧化矽玻璃坩堝有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的制造方法，氧化硅玻璃坩埚
公开(公告)号：TWI436955B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW100144236
申请日：2011-12-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 吉岡拓磨 , YOSHIOKA, TAKUMA , 鈴木光一 , SUZUKI, KOICHI , 山崎真介 , YAMAZAKI, SHINSUKE
IPC分类号： C03B20/00 , C03B19/06 , B09B3/00
CPC分类号： C03B19/095 , C03B19/066 , C30B11/002 , C30B15/10 , Y10T428/131 , Y10T428/1314 , Y10T428/1317

8. 发明专利

TWI425880B 電弧放電方法、電弧放電裝置、石英玻璃坩堝製造裝置有权
简体标题：电弧放电方法、电弧放电设备、石英玻璃坩埚制造设备
公开(公告)号：TWI425880B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW098131762
申请日：2009-09-21
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 福井正德 , FUKUI, MASANORI , 森川正樹 , MORIKAWA, MASAKI
IPC分类号： H05B7/085 , C03B19/09
CPC分类号： H05B7/085 , C03B19/095

9. 发明专利

TWI423937B 複合坩堝及其製造方法以及矽晶體的製造方法有权
简体标题：复合坩埚及其制造方法以及硅晶体的制造方法
公开(公告)号：TWI423937B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW099130207
申请日：2010-09-07
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：吉岡拓麿 , YOSHIOKA, TAKUMA , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 藤田剛司 , FUJITA, TAKESHI , 神田稔 , KANDA, MINORU , 鈴木光一 , SUZUKI, KOICHI , 北原賢 , KITAHARA, KEN
IPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C04B41/5022 , C03B5/025 , C03B19/02 , C03B19/09 , C03B19/095 , C03C17/004 , C03C17/02 , C03C2217/213 , C03C2218/13 , C03C2218/17 , C04B35/185 , C04B41/009 , C04B41/86 , C04B2235/6027 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032 , C04B41/4527

10. 发明专利

TW201348157A 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法失效
简体标题：单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TW201348157A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102114214
申请日：2013-04-22
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU
IPC分类号： C03B19/09 , C03B20/00 , C30B29/06 , C30B35/00 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/10 , C03B11/02 , C03B11/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：本發明是一種單晶矽提拉用二氧化矽容器，於內側具有由透明二氧化矽玻璃所構成的透明層，於外側具有由含有氣泡之不透明二氧化矽玻璃所構成的不透明層，其中：前述透明層，位於前述二氧化矽容器的內表面側，並由高OH基層與低OH基層所構成，該高OH基層以200~2000massppm的濃度含有OH基，該低OH基層的OH基濃度低於該高OH基層；對前述高OH基層的內表面，以25~1000μg/cm2的濃度塗布Ba。本發明藉此提供一種二氧化矽容器，該二氧化矽容器在用於提拉單晶矽時，於該容器開始使用後之短時間內，該容器的由透明二氧化矽玻璃所構成的內側表面的全面會微結晶化(玻璃陶瓷化)，因此，可大幅提升該容器內側表面對於矽融液的耐蝕刻性(耐侵蝕性)。
简体摘要：本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，于内侧具有由透明二氧化硅玻璃所构成的透明层，于外侧具有由含有气泡之不透明二氧化硅玻璃所构成的不透明层，其中：前述透明层，位于前述二氧化硅容器的内表面侧，并由高OH基层与低OH基层所构成，该高OH基层以200~2000massppm的浓度含有OH基，该低OH基层的OH基浓度低于该高OH基层；对前述高OH基层的内表面，以25~1000μg/cm2的浓度涂布Ba。本发明借此提供一种二氧化硅容器，该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时，于该容器开始使用后之短时间内，该容器的由透明二氧化硅玻璃所构成的内侧表面的全面会微结晶化(玻璃陶瓷化)，因此，可大幅提升该容器内侧表面对于硅融液的耐蚀刻性(耐侵蚀性)。

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