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1. 发明专利

TWI463045B 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法有权
简体标题：单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TWI463045B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW101144176
申请日：2012-11-26
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU
IPC分类号： C30B15/10 , C03B20/00
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C30B11/002 , C30B29/06 , C30B29/18 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032

2. 发明专利

TW201348157A 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法失效
简体标题：单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TW201348157A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102114214
申请日：2013-04-22
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU
IPC分类号： C03B19/09 , C03B20/00 , C30B29/06 , C30B35/00 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/10 , C03B11/02 , C03B11/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：本發明是一種單晶矽提拉用二氧化矽容器，於內側具有由透明二氧化矽玻璃所構成的透明層，於外側具有由含有氣泡之不透明二氧化矽玻璃所構成的不透明層，其中：前述透明層，位於前述二氧化矽容器的內表面側，並由高OH基層與低OH基層所構成，該高OH基層以200~2000massppm的濃度含有OH基，該低OH基層的OH基濃度低於該高OH基層；對前述高OH基層的內表面，以25~1000μg/cm2的濃度塗布Ba。本發明藉此提供一種二氧化矽容器，該二氧化矽容器在用於提拉單晶矽時，於該容器開始使用後之短時間內，該容器的由透明二氧化矽玻璃所構成的內側表面的全面會微結晶化(玻璃陶瓷化)，因此，可大幅提升該容器內側表面對於矽融液的耐蝕刻性(耐侵蝕性)。
简体摘要：本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，于内侧具有由透明二氧化硅玻璃所构成的透明层，于外侧具有由含有气泡之不透明二氧化硅玻璃所构成的不透明层，其中：前述透明层，位于前述二氧化硅容器的内表面侧，并由高OH基层与低OH基层所构成，该高OH基层以200~2000massppm的浓度含有OH基，该低OH基层的OH基浓度低于该高OH基层；对前述高OH基层的内表面，以25~1000μg/cm2的浓度涂布Ba。本发明借此提供一种二氧化硅容器，该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时，于该容器开始使用后之短时间内，该容器的由透明二氧化硅玻璃所构成的内侧表面的全面会微结晶化(玻璃陶瓷化)，因此，可大幅提升该容器内侧表面对于硅融液的耐蚀刻性(耐侵蚀性)。

3. 发明专利

TWI509117B 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法有权
简体标题：单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TWI509117B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101140103
申请日：2012-10-30
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C03C3/06 , C03C17/004 , C03C17/02 , C03C2201/30 , C03C2203/10 , C30B15/02 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032

4. 发明专利

TWI486314B 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法失效
简体标题：单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TWI486314B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102114214
申请日：2013-04-22
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU
IPC分类号： C03B19/09 , C03B20/00 , C30B29/06 , C30B35/00 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/10 , C03B11/02 , C03B11/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032

5. 发明专利

TWI460317B 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法失效
简体标题：单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TWI460317B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW102108662
申请日：2013-03-12
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C03B2201/03 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032

6. 发明专利

TWI405729B 二氧化矽容器及其製造方法有权
简体标题：二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TWI405729B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW099109156
申请日：2010-03-26
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU , 笛吹友美 , USUI, TOMOMI
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317

7. 发明专利

TWI421222B 二氧化矽容器及其製造方法失效
简体标题：二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TWI421222B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099118423
申请日：2010-06-07
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU , 笛吹友美 , USUI, TOMOMI
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： C03B19/09 , C03B19/095 , Y02P40/57

8. 发明专利

TW201345852A 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法失效
简体标题：单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TW201345852A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102114027
申请日：2013-04-19
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU
IPC分类号： C03B19/09 , C03B20/00 , C30B15/10
CPC分类号： C03B19/02 , C03B19/095 , C03B2201/04 , C03B2201/07 , C03B2201/23 , C03B2201/54 , C03C3/06 , C03C8/02 , C03C10/0009 , C03C21/008 , C03C23/007 , C03C2201/02 , C03C2201/54 , C03C2201/80 , C03C2203/10 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：本發明是一種單晶矽提拉用二氧化矽容器，於內側具有由透明二氧化矽玻璃所構成的透明層，於外側具有由含有氣泡之不透明二氧化矽玻璃所構成的不透明層，其中：前述透明層，位於前述二氧化矽容器的內表面側，並由高OH基層與低OH基層所構成，該高OH基層以200~2000massppm的濃度含有OH基，該低OH基層的OH基濃度低於該高OH基層；前述高OH基層，以50~2000massppm的濃度含有Ba。本發明藉此提供一種二氧化矽容器及此種二氧化矽容器的製造方法，該二氧化矽容器在用於提拉單晶矽時，於該容器開始使用後之短時間內，該容器的由透明二氧化矽玻璃所構成的內側表面的全面會微結晶化(玻璃陶瓷化)，因此，可大幅提升該容器內側表面對於矽融液的耐蝕刻性(耐侵蝕性)。
简体摘要：本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，于内侧具有由透明二氧化硅玻璃所构成的透明层，于外侧具有由含有气泡之不透明二氧化硅玻璃所构成的不透明层，其中：前述透明层，位于前述二氧化硅容器的内表面侧，并由高OH基层与低OH基层所构成，该高OH基层以200~2000massppm的浓度含有OH基，该低OH基层的OH基浓度低于该高OH基层；前述高OH基层，以50~2000massppm的浓度含有Ba。本发明借此提供一种二氧化硅容器及此种二氧化硅容器的制造方法，该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时，于该容器开始使用后之短时间内，该容器的由透明二氧化硅玻璃所构成的内侧表面的全面会微结晶化(玻璃陶瓷化)，因此，可大幅提升该容器内侧表面对于硅融液的耐蚀刻性(耐侵蚀性)。

9. 发明专利

TWI405730B 二氧化矽容器及其製造方法失效
简体标题：二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TWI405730B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW099109441
申请日：2010-03-29
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU , 笛吹友美 , USUI, TOMOMI
IPC分类号： C03B20/00 , C03B19/09
CPC分类号： C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317

10. 发明专利

TW201333279A 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法审中-公开
简体标题：单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：TW201333279A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101144176
申请日：2012-11-26
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
发明人：山形茂 , YAMAGATA, SHIGERU
IPC分类号： C30B15/10 , C03B20/00
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C30B11/002 , C30B29/06 , C30B29/18 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：本發明是一種單晶矽提拉用二氧化矽容器，具有直筒部、彎曲部及底部，該單晶矽提拉用二氧化矽容器的特徵在於：前述直筒部的OH基濃度為30~300 massppm，前述底部的OH基濃度為30 massppm以下，前述直筒部與前述底部的OH基濃度差為30 massppm以上。藉此，提供一種低成本的單晶矽提拉用二氧化矽容器，可減少提拉後的單晶矽中被稱為孔隙或針孔之空洞缺陷。
简体摘要：本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直筒部、弯曲部及底部，该单晶硅提拉用二氧化硅容器的特征在于：前述直筒部的OH基浓度为30~300 massppm，前述底部的OH基浓度为30 massppm以下，前述直筒部与前述底部的OH基浓度差为30 massppm以上。借此，提供一种低成本的单晶硅提拉用二氧化硅容器，可减少提拉后的单晶硅中被称为孔隙或针孔之空洞缺陷。

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