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    • 2. 发明专利
    • 單晶矽提拉用二氧化矽容器及其製造方法
    • 单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法
    • TW201348157A
    • 2013-12-01
    • TW102114214
    • 2013-04-22
    • 信越石英股份有限公司SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
    • 山形茂YAMAGATA, SHIGERU
    • C03B19/09C03B20/00C30B29/06C30B35/00C30B15/20
    • C30B15/10C03B11/02C03B11/10C03B19/095C30B29/06Y02P40/57Y10T117/1032
    • 本發明是一種單晶矽提拉用二氧化矽容器,於內側具有由透明二氧化矽玻璃所構成的透明層,於外側具有由含有氣泡之不透明二氧化矽玻璃所構成的不透明層,其中:前述透明層,位於前述二氧化矽容器的內表面側,並由高OH基層與低OH基層所構成,該高OH基層以200~2000massppm的濃度含有OH基,該低OH基層的OH基濃度低於該高OH基層;對前述高OH基層的內表面,以25~1000μg/cm2的濃度塗布Ba。本發明藉此提供一種二氧化矽容器,該二氧化矽容器在用於提拉單晶矽時,於該容器開始使用後之短時間內,該容器的由透明二氧化矽玻璃所構成的內側表面的全面會微結晶化(玻璃陶瓷化),因此,可大幅提升該容器內側表面對於矽融液的耐蝕刻性(耐侵蝕性)。
    • 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器,于内侧具有由透明二氧化硅玻璃所构成的透明层,于外侧具有由含有气泡之不透明二氧化硅玻璃所构成的不透明层,其中:前述透明层,位于前述二氧化硅容器的内表面侧,并由高OH基层与低OH基层所构成,该高OH基层以200~2000massppm的浓度含有OH基,该低OH基层的OH基浓度低于该高OH基层;对前述高OH基层的内表面,以25~1000μg/cm2的浓度涂布Ba。本发明借此提供一种二氧化硅容器,该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时,于该容器开始使用后之短时间内,该容器的由透明二氧化硅玻璃所构成的内侧表面的全面会微结晶化(玻璃陶瓷化),因此,可大幅提升该容器内侧表面对于硅融液的耐蚀刻性(耐侵蚀性)。