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1. 发明专利

TW201617487A 硅單晶的製造方法及製造系統审中-公开
简体标题：硅单晶的制造方法及制造系统
公开(公告)号：TW201617487A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104131328
申请日：2015-09-22
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原賢 , KITAHARA, KEN
IPC分类号： C30B15/02 , C30B35/00
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/007
摘要：課題：正確地掌握各氧化矽玻璃坩堝之容積來事先預測氧化矽玻璃坩堝內之矽熔液之初期液位，據此可靠地進行晶種之著液工藝。解決手段：於氧化矽玻璃坩堝內填充原料之前測量氧化矽玻璃坩堝之內表面上之複數點之空間座標，根據將各測量點作為頂點座標之多角形組合來特定氧化矽玻璃坩堝之內表面之三維形狀（S11），預先設定氧化矽玻璃坩堝內之矽熔液之初期液位之預測值（S12），基於氧化矽玻璃坩堝之內表面之三維形狀來求取滿足初期液位之預測值矽熔液之體積（S13），求取具有所述體積之矽熔液之重量（S14），於氧化矽玻璃坩堝中填充具有所述重量之原料（S15），以及基於初期液位之預測值來控制晶種之著液（S17）。
简体摘要：课题：正确地掌握各氧化硅玻璃坩埚之容积来事先预测氧化硅玻璃坩埚内之硅熔液之初期液位，据此可靠地进行晶种之着液工艺。解决手段：于氧化硅玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化硅玻璃坩埚之内表面上之复数点之空间座标，根据将各测量点作为顶点座标之多角形组合来特定氧化硅玻璃坩埚之内表面之三维形状（S11），预先设置氧化硅玻璃坩埚内之硅熔液之初期液位之预测值（S12），基于氧化硅玻璃坩埚之内表面之三维形状来求取满足初期液位之预测值硅熔液之体积（S13），求取具有所述体积之硅熔液之重量（S14），于氧化硅玻璃坩埚中填充具有所述重量之原料（S15），以及基于初期液位之预测值来控制晶种之着液（S17）。

2. 发明专利

TWI664154B 石英玻璃坩堝及其製造方法有权
简体标题：石英玻璃坩埚及其制造方法
公开(公告)号：TWI664154B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107113641
申请日：2018-04-23
申请人：日商勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 長谷部幸太 , HASEBE, KOUTA , 安部貴裕 , ABE, TAKAHIRO , 藤原秀樹 , FUJIWARA, HIDEKI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C03B20/00 , C03C17/22 , C30B15/10 , C30B29/06

3. 发明专利

TW201843114A 石英玻璃坩堝及其製造方法审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚及其制造方法
公开(公告)号：TW201843114A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107113641
申请日：2018-04-23
申请人：日商勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 長谷部幸太 , HASEBE, KOUTA , 安部貴裕 , ABE, TAKAHIRO , 藤原秀樹 , FUJIWARA, HIDEKI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C03B20/00 , C03C17/22 , C30B15/10 , C30B29/06
摘要：本發明提供一種可耐受多次拉晶等極長時間之單晶提拉步驟之石英玻璃坩堝及其製造方法。石英玻璃坩堝1具備：有底圓筒狀之坩堝本體10，其包含石英玻璃；及含結晶化促進劑之塗佈膜13A、13B，其等以藉由利用柴可拉斯基法之單晶矽提拉步驟中之加熱而於坩堝本體10之表面附近形成結晶化促進劑濃縮層之方式形成於上述坩堝本體10之表面。
简体摘要：本发明提供一种可耐受多次拉晶等极长时间之单晶提拉步骤之石英玻璃坩埚及其制造方法。石英玻璃坩埚1具备：有底圆筒状之坩埚本体10，其包含石英玻璃；及含结晶化促进剂之涂布膜13A、13B，其等以借由利用柴可拉斯基法之单晶硅提拉步骤中之加热而于坩埚本体10之表面附近形成结晶化促进剂浓缩层之方式形成于上述坩埚本体10之表面。

4. 发明专利

TW201625826A 石英玻璃坩堝之破壞檢查方法及是否良好之判定方法审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚之破坏检查方法及是否良好之判定方法
公开(公告)号：TW201625826A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104131329
申请日：2015-09-22
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：北原賢 , KITAHARA, KEN , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10
CPC分类号： G01N3/307 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , G01N2203/001 , G01N2203/0035 , G01N2203/0064
摘要：課題：提供一種可於與實際使用狀況盡可能接近之狀態下進行檢查之石英玻璃坩堝之破壞檢查方法和是否良好之判定方法。解決手段：根據本發明之石英玻璃坩堝之破壞檢查方法，自動中心沖頭之前端部碰撞石墨基座上支撐之單晶矽提拉用之石英玻璃坩堝之內表面，並且評價借由所述自動中心沖頭於內表面之一點上瞬間施加負荷時之內表面之裂痕之狀態。
简体摘要：课题：提供一种可于与实际使用状况尽可能接近之状态下进行检查之石英玻璃坩埚之破坏检查方法和是否良好之判定方法。解决手段：根据本发明之石英玻璃坩埚之破坏检查方法，自动中心冲头之前端部碰撞石墨基座上支撑之单晶硅提拉用之石英玻璃坩埚之内表面，并且评价借由所述自动中心冲头于内表面之一点上瞬间施加负荷时之内表面之裂痕之状态。

5. 发明专利

TW201732222A 氧化矽玻璃坩堝、氧化矽玻璃坩堝的製造方法、單晶矽的提拉裝置、錠及同質外延晶圓审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚、氧化硅玻璃坩埚的制造方法、单晶硅的提拉设备、锭及同质外延晶圆
公开(公告)号：TW201732222A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142314
申请日：2016-12-20
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： G01B11/16 , C03B5/08 , C03B20/00 , C03C3/04 , G01N21/21 , G01N21/958 , C30B15/10
CPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57
摘要：本發明提供準確測量內部殘留應力的氧化矽玻璃坩堝。被歪曲測量裝置測量過的氧化矽玻璃坩堝包括：圓筒狀的側壁部、彎曲的底部、以及角部，角部設置在側壁部與底部之間並且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲測量裝置具有：發光部，配置在側壁部的側方，向側壁部照射偏振光；拍攝部，讀入與側壁部的上端面的偏振光對應的影像；以及輸出部，基於由拍攝部讀入的影像，輸出氧化矽玻璃坩堝的歪曲分佈。
简体摘要：本发明提供准确测量内部残留应力的氧化硅玻璃坩埚。被歪曲测量设备测量过的氧化硅玻璃坩埚包括：圆筒状的侧壁部、弯曲的底部、以及角部，角部设置在侧壁部与底部之间并且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲测量设备具有：发光部，配置在侧壁部的侧方，向侧壁部照射偏振光；拍摄部，读入与侧壁部的上端面的偏振光对应的影像；以及输出部，基于由拍摄部读入的影像，输出氧化硅玻璃坩埚的歪曲分布。

6. 发明专利

TW201732221A 氧化矽玻璃坩堝的歪曲測量裝置、單晶矽的製造方法、氧化矽玻璃坩堝的歪曲測量方法、相位差圖、錠及同質外延晶圓审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的歪曲测量设备、单晶硅的制造方法、氧化硅玻璃坩埚的歪曲测量方法、相位差图、锭及同质外延晶圆
公开(公告)号：TW201732221A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142313
申请日：2016-12-20
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： G01B11/16 , C30B15/10
CPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57
摘要：本發明在於準確地測量氧化矽玻璃坩堝的內部殘留應力。本發明的歪曲測量裝置用於測量氧化矽玻璃坩堝的歪曲，其中氧化矽玻璃坩堝包括：圓筒狀的側壁部、彎曲的底部、以及角部，角部設置在側壁部與底部之間並且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲測量裝置具有：發光部，配置在側壁部的側方，向側壁部照射偏振光；拍攝部，讀入與側壁部的上端面的偏振光對應的影像；以及輸出部，基於由拍攝部讀入的影像，輸出氧化矽玻璃坩堝的歪曲分佈。
简体摘要：本发明在于准确地测量氧化硅玻璃坩埚的内部残留应力。本发明的歪曲测量设备用于测量氧化硅玻璃坩埚的歪曲，其中氧化硅玻璃坩埚包括：圆筒状的侧壁部、弯曲的底部、以及角部，角部设置在侧壁部与底部之间并且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲测量设备具有：发光部，配置在侧壁部的侧方，向侧壁部照射偏振光；拍摄部，读入与侧壁部的上端面的偏振光对应的影像；以及输出部，基于由拍摄部读入的影像，输出氧化硅玻璃坩埚的歪曲分布。

7. 发明专利

TWI638916B 石英玻璃坩堝之破壞檢查方法及是否良好之判定方法有权
简体标题：石英玻璃坩埚之破坏检查方法及是否良好之判定方法
公开(公告)号：TWI638916B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW106106828
申请日：2015-09-22
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：北原賢 , KITAHARA, KEN , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10

8. 发明专利

TW201732096A 坩堝管理系統、坩堝管理方法、氧化矽玻璃坩堝的製造方法、矽錠的製造方法及同質外延晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：坩埚管理系统、坩埚管理方法、氧化硅玻璃坩埚的制造方法、硅锭的制造方法及同质外延晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201732096A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142862
申请日：2016-12-23
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B15/20 , H01L31/077
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , G01B11/16 , G01B11/24 , Y02E10/50
摘要：本發明要解決的是無法調查變形前的氧化矽玻璃坩堝來確定原因這樣的問題。坩堝管理系統具有：內部反射光檢測單元，向氧化矽玻璃坩堝的內表面照射雷射，檢測內表面反射光；內部距離計算單元，基於檢測結果來計算內表面距離；座標計算單元，基於內表面距離和三維座標來計算內表面座標，所述三維座標是計算該內表面距離的基礎，表示內部反射光檢測單元檢測內表面反射光之際的位置；內表面圖像數據獲取單元，獲取氧化矽玻璃坩堝的內表面的圖像數據；以及坩堝數據信息存儲單元，存儲如下信息作為各個氧化矽玻璃坩堝的坩堝數據信息，所述信息是將由內表面圖像數據獲取單元獲取的圖像數據和表示該圖像數據的拍攝部位的內表面座標建立對應關係而成的。
简体摘要：本发明要解决的是无法调查变形前的氧化硅玻璃坩埚来确定原因这样的问题。坩埚管理系统具有：内部反射光检测单元，向氧化硅玻璃坩埚的内表面照射激光，检测内表面反射光；内部距离计算单元，基于检测结果来计算内表面距离；座标计算单元，基于内表面距离和三维座标来计算内表面座标，所述三维座标是计算该内表面距离的基础，表示内部反射光检测单元检测内表面反射光之际的位置；内表面图像数据获取单元，获取氧化硅玻璃坩埚的内表面的图像数据；以及坩埚数据信息存储单元，存储如下信息作为各个氧化硅玻璃坩埚的坩埚数据信息，所述信息是将由内表面图像数据获取单元获取的图像数据和表示该图像数据的拍摄部位的内表面座标创建对应关系而成的。

9. 发明专利

TW201723243A 石英玻璃坩堝之破壞檢查方法及是否良好之判定方法审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚之破坏检查方法及是否良好之判定方法
公开(公告)号：TW201723243A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW106106828
申请日：2015-09-22
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：北原賢 , KITAHARA, KEN , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10
CPC分类号： G01N3/307 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , G01N2203/001 , G01N2203/0035 , G01N2203/0064
摘要：提供一種可於與實際使用狀況盡可能接近之狀態下進行檢查之石英玻璃坩堝之破壞檢查方法和是否良好之判定方法。根據本發明之石英玻璃坩堝之破壞檢查方法，自動中心沖頭之前端部碰撞石墨基座上支撐之單晶矽提拉用之石英玻璃坩堝之內表面，並且評價借由所述自動中心沖頭於內表面之一點上瞬間施加負荷時之內表面之裂痕之狀態。
简体摘要：提供一种可于与实际使用状况尽可能接近之状态下进行检查之石英玻璃坩埚之破坏检查方法和是否良好之判定方法。根据本发明之石英玻璃坩埚之破坏检查方法，自动中心冲头之前端部碰撞石墨基座上支撑之单晶硅提拉用之石英玻璃坩埚之内表面，并且评价借由所述自动中心冲头于内表面之一点上瞬间施加负荷时之内表面之裂痕之状态。

10. 发明专利

TWI585248B 石英玻璃坩堝之破壞檢查方法及是否良好之判定方法有权
简体标题：石英玻璃坩埚之破坏检查方法及是否良好之判定方法
公开(公告)号：TWI585248B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104131329
申请日：2015-09-22
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：北原賢 , KITAHARA, KEN , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10
CPC分类号： G01N3/307 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , G01N2203/001 , G01N2203/0035 , G01N2203/0064

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