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1. 发明专利

TW201806863A 氣凝膠複合體粉末审中-公开
简体标题：气凝胶复合体粉末
公开(公告)号：TW201806863A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106110454
申请日：2017-03-29
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：牧野竜也 , MAKINO, TATSUYA , 小竹智彦 , KOTAKE, TOMOHIKO , 泉寛之 , IZUMI, HIROYUKI , 宮武正人 , MIYATAKE, MASATO
IPC分类号： C01B33/18 , C01B33/16 , C01B33/158 , C08J9/28
CPC分类号： C01B33/158 , C01B33/16 , C01B33/18 , C08G77/06 , C08G77/44 , C08J9/28 , C08K3/36 , C08L83/04
摘要：本發明是有關於一種含有氣凝膠成分及二氧化矽粒子的、絕熱性及柔軟性優異的氣凝膠複合體粉末。
简体摘要：本发明是有关于一种含有气凝胶成分及二氧化硅粒子的、绝热性及柔软性优异的气凝胶复合体粉末。

2. 发明专利

TW201607892A 表面改質矽石奈米粒子之製造方法、及表面改質矽石奈米粒子审中-公开
简体标题：表面改质硅石奈米粒子之制造方法、及表面改质硅石奈米粒子
公开(公告)号：TW201607892A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104117981
申请日：2015-06-03
申请人： AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：柳田浩志 , YANAGITA, HIROSHI , 中杉茂正 , NAKASUGI, SHIGEMASA , 仁川裕 , HITOKAWA, HIROSHI , 片山朋英 , KATAYAMA, TOMOHIDE , 坂本勝幸 , SAKAMOTO, KATSUYUKI
IPC分类号： C01B33/149 , C08L101/00 , C08K9/06
CPC分类号： C01B33/18 , C01B33/145 , C01B33/146 , C01P2004/64 , C09C1/30 , C09C1/3081 , C09C3/12
摘要：課題在於提供一種高度分散於有機分散媒，且具有高透明性及保存穩定性的表面改質矽石奈米粒子分散液。解決手段為一種方法，其為製造表面改質矽石奈米粒子之方法，其係包括：準備包含矽石奈米粒子與水性分散媒之第1矽石奈米粒子分散液的步驟；將前述第1矽石奈米粒子分散液中的前述水性分散媒，以包含選自環狀酯及環狀醯胺中的至少1種的有機分散媒取代而得到第2矽石奈米粒子分散液的步驟；及對前述第2矽石奈米粒子分散液添加式(1)所示之矽烷偶合劑，以將矽石奈米粒子的表面改質的步驟，式中，R1分別獨立為C1~C20之烴基，R2為C1~C3之烴基。
简体摘要：课题在于提供一种高度分散于有机分散媒，且具有高透明性及保存稳定性的表面改质硅石奈米粒子分散液。解决手段为一种方法，其为制造表面改质硅石奈米粒子之方法，其系包括：准备包含硅石奈米粒子与水性分散媒之第1硅石奈米粒子分散液的步骤；将前述第1硅石奈米粒子分散液中的前述水性分散媒，以包含选自环状酯及环状酰胺中的至少1种的有机分散媒取代而得到第2硅石奈米粒子分散液的步骤；及对前述第2硅石奈米粒子分散液添加式(1)所示之硅烷偶合剂，以将硅石奈米粒子的表面改质的步骤，式中，R1分别独立为C1~C20之烃基，R2为C1~C3之烃基。

3. 发明专利

TW201606980A 附貫通電極半導體晶片用接著膜审中-公开
简体标题：附贯通电极半导体芯片用接着膜
公开(公告)号：TW201606980A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104109879
申请日：2015-03-27
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：永田麻衣 , NAGATA, MAI , 竹田幸平 , TAKEDA, KOHEI , 江南俊夫 , ENAMI, TOSHIO
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/52 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： C09J163/00 , C01B33/18 , C01P2004/32 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C08G59/42 , C08G59/5073 , C08K3/013 , C08K3/36 , C08K2201/014 , C08L33/06 , C09C1/30 , C09J7/10 , C09J133/00 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/52 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16146 , H01L2224/271 , H01L2224/29006 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/29393 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/83948 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442
摘要：本發明之目的在於提供一種附貫通電極半導體晶片用接著膜，其用以於半導體晶圓上積層多個附貫通電極半導體晶片，可抑制空隙並且良好地連接貫通電極，可抑制於半導體晶片之周圍突出的毛邊之長度。本發明係一種附貫通電極半導體晶片用接著膜，其用以於半導體晶圓上積層多個附貫通電極半導體晶片，最低熔融黏度為50~2500Pa‧s，且140℃之觸變(thixotropic)指數為8以下。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种附贯通电极半导体芯片用接着膜，其用以于半导体晶圆上积层多个附贯通电极半导体芯片，可抑制空隙并且良好地连接贯通电极，可抑制于半导体芯片之周围突出的毛边之长度。本发明系一种附贯通电极半导体芯片用接着膜，其用以于半导体晶圆上积层多个附贯通电极半导体芯片，最低熔融黏度为50~2500Pa‧s，且140℃之触变(thixotropic)指数为8以下。

4. 发明专利

TWI510434B 鏈狀氧化矽系中空微粒子及其製造方法、含該微粒子之透明被膜形成用塗佈液與附透明被膜之基材有权
简体标题：链状氧化硅系中空微粒子及其制造方法、含该微粒子之透明被膜形成用涂布液与附透明被膜之基材
公开(公告)号：TWI510434B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW098142722
申请日：2009-12-14
申请人：日揮觸媒化成股份有限公司 , JGC CATALYSTS AND CHEMICALS LTD.
发明人：二神涉 , FUTAGAMI, WATARU , 村口良 , MURAGUCHI, RYO , 松田政幸 , MATSUDA, MASAYUKI
IPC分类号： C01B33/12 , C01B33/141 , C09D1/00
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B33/18 , C01B33/193 , C01P2004/34 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C08K7/26 , C09D7/67 , C09D7/68 , C09D7/69 , C09D7/70

5. 发明专利

TWI503278B 供載體應用之新穎沈澱矽石有权
简体标题：供载体应用之新颖沈淀硅石
公开(公告)号：TWI503278B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW098125548
申请日：2009-07-29
申请人：贏創德固賽有限責任公司 , EVONIK DEGUSSA GMBH
发明人：漢德爾法蘭克 , HEINDL, FRANK , 德瑞瑟勒克勞斯彼特 , DREXEL, CLAUS-PETER , 哈索亨法蘭克 , HASELHUHN, FRANK
IPC分类号： C01B33/12 , C01B33/18
CPC分类号： C01B33/18 , B01J20/103 , C01B33/12 , C01B33/193

6. 发明专利

TW201529474A 合成非晶質矽石粉末及其製造方法审中-公开
简体标题：合成非晶质硅石粉末及其制造方法
公开(公告)号：TW201529474A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103144074
申请日：2014-12-17
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI
IPC分类号： C01B33/18 , C01B33/158 , C04B35/626
CPC分类号： C01B33/18 , C01P2002/02 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C01P2006/80
摘要：一種合成非晶質矽石粉末，其係將矽石作為原料，藉由造粒、鍛燒所得到的合成非晶質矽石粉末，其特徵為：體積基準的粒度分布中累積頻率50%的粒徑DV50為72μm以上509μm以下；體積基準的粒徑45μm以下的粒子之累積頻率為1.8%以下；將體積基準的粒度分布中累積頻率90%的粒徑DV90、與體積基準的粒度分布中累積頻率10%的粒徑DV10之差值，除以體積基準的粒度分布中累積頻率50%的粒徑DV50所得之值為0.79以上且1.40以下；FNL/FNS為0.3以上；體密度為0.75g/cm3以上1.5g/cm3以下。
简体摘要：一种合成非晶质硅石粉末，其系将硅石作为原料，借由造粒、锻烧所得到的合成非晶质硅石粉末，其特征为：体积基准的粒度分布中累积频率50%的粒径DV50为72μm以上509μm以下；体积基准的粒径45μm以下的粒子之累积频率为1.8%以下；将体积基准的粒度分布中累积频率90%的粒径DV90、与体积基准的粒度分布中累积频率10%的粒径DV10之差值，除以体积基准的粒度分布中累积频率50%的粒径DV50所得之值为0.79以上且1.40以下；FNL/FNS为0.3以上；体密度为0.75g/cm3以上1.5g/cm3以下。

7. 发明专利

TW201525190A 架構包含介電粒子支撐體之奈米構造的方法审中-公开
简体标题：架构包含介电粒子支撑体之奈米构造的方法
公开(公告)号：TW201525190A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103121663
申请日：2014-06-24
申请人： SK新技術股份有限公司 , SK INNOVATION CO., LTD.
发明人：金俊亨 , KIM, JUN-HYUNG
IPC分类号： C23C18/30 , C23C18/31 , H01B1/02 , H01B5/14 , H01B13/00 , H05K1/09 , H01L21/283 , B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B22F9/24
CPC分类号： B81C1/00373 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/18 , H01L29/66439
摘要：本發明提供一種包括介電粒子支撐體(dielectric particle supporter)的奈米結構、其製造方法、及其應用裝置。奈米結構的製造方法包括：形成複數個介電粒子支撐體於一基板之上，介電粒子支撐體上包括複數個連接分子(linkers)；形成複數個金屬離子至連接分子；以及形成一或多個金屬奈米粒子於連接分子之上。
简体摘要：本发明提供一种包括介电粒子支撑体(dielectric particle supporter)的奈米结构、其制造方法、及其应用设备。奈米结构的制造方法包括：形成复数个介电粒子支撑体于一基板之上，介电粒子支撑体上包括复数个连接分子(linkers)；形成复数个金属离子至连接分子；以及形成一或多个金属奈米粒子于连接分子之上。

9. 发明专利

TW201313613A 吸附有金屬離子的二氧化矽及其製造方法审中-公开
简体标题：吸附有金属离子的二氧化硅及其制造方法
公开(公告)号：TW201313613A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW100133661
申请日：2011-09-19
申请人：盟智科技股份有限公司 , UWIZ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：何雲龍 , HO, YUN LUNG , 張松源 , CHANG, SONG YUAN , 陸明輝 , LU, MING HUI , 江崇瑋 , CHIANG, CHUNG WEI
IPC分类号： C01B33/146 , C01B33/18
CPC分类号： C01B33/12 , B82Y30/00 , C01B33/126 , C01B33/149 , C01B33/18 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09K3/1436
摘要：一種吸附有金屬離子的二氧化矽及其製造方法。吸附有金屬離子的二氧化矽為經由過硫酸鹽修飾的吸附有金屬離子的二氧化矽。上述製造方法包括下列步驟。首先，提供溶液，在溶液中包括二氧化矽及過硫酸鹽。接著，加熱溶液，使二氧化矽與過硫酸鹽進行反應，而獲得經由過硫酸鹽修飾的二氧化矽。然後，在溶液中加入金屬離子源，金屬離子源解離出金屬離子，經由過硫酸鹽修飾的二氧化矽吸附金屬離子，而獲得吸附有金屬離子的二氧化矽
简体摘要：一种吸附有金属离子的二氧化硅及其制造方法。吸附有金属离子的二氧化硅为经由过硫酸盐修饰的吸附有金属离子的二氧化硅。上述制造方法包括下列步骤。首先，提供溶液，在溶液中包括二氧化硅及过硫酸盐。接着，加热溶液，使二氧化硅与过硫酸盐进行反应，而获得经由过硫酸盐修饰的二氧化硅。然后，在溶液中加入金属离子源，金属离子源解离出金属离子，经由过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附金属离子，而获得吸附有金属离子的二氧化硅

10. 发明专利

TWI372726B 中空狀二氧化矽微粒子分散液之製造方法，塗料組成物及含有抗反射塗膜之基材有权
简体标题：中空状二氧化硅微粒子分散液之制造方法，涂料组成物及含有抗反射涂膜之基材
公开(公告)号：TWI372726B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW095110378
申请日：2006-03-24
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：河合洋平 , 米田貴重
IPC分类号： C01B , C08K , C09C , C09D , G02B
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01P2004/34 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09C1/0081 , C09C1/043 , C09C1/30 , G02B1/111 , G02B1/113 , Y10T428/24421 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991
摘要：本發明提供一種，無殘留核心微粒子，不產生不能控制的凝聚體，容易過濾之中空狀二氧化矽(SiO2)微粒子的分散液之製造方法。
其係中空狀SiO2微粒子分散於分散媒體中之中空狀SiO2微粒子分散液的製造方法；其特徵包含下述之步驟(a)、(b)及(c)。
(a)在該分散媒體中構成核心之ZnO微粒子存在下，使SiO2之先驅物質於pH>8反應，生成SiO2，以該生成之SiO2被覆於上述ZnO微粒子，而得被覆之微粒子分散液的步驟；(b)在步驟(a)所得之該微粒子分散液中，將酸性陽離子交換樹脂混合接觸，於pH2~8的範圍溶解核心之ZnO微粒子的步驟；(c)在該ZnO微粒子完全溶解後，藉由固液分離操作，使該酸性陽離子交換樹脂分離，而得該中空狀SiO2微粒子分散液之步驟。
简体摘要：本发明提供一种，无残留内核微粒子，不产生不能控制的凝聚体，容易过滤之中空状二氧化硅(SiO2)微粒子的分散液之制造方法。其系中空状SiO2微粒子分散于分散媒体中之中空状SiO2微粒子分散液的制造方法；其特征包含下述之步骤(a)、(b)及(c)。 (a)在该分散媒体中构成内核之ZnO微粒子存在下，使SiO2之先驱物质于pH>8反应，生成SiO2，以该生成之SiO2被覆于上述ZnO微粒子，而得被覆之微粒子分散液的步骤；(b)在步骤(a)所得之该微粒子分散液中，将酸性阳离子交换树脂混合接触，于pH2~8的范围溶解内核之ZnO微粒子的步骤；(c)在该ZnO微粒子完全溶解后，借由固液分离操作，使该酸性阳离子交换树脂分离，而得该中空状SiO2微粒子分散液之步骤。

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