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    • 9. 发明专利
    • 氧化矽微粒子
    • 氧化硅微粒子
    • TW200416199A
    • 2004-09-01
    • TW092137002
    • 2003-12-26
    • 德山股份有限公司 TOKUYAMA CORPORATION
    • 大原雅和 OHARA, MASAKAZU木村稔 KIMURA, MINORU青木博男 AOKI, HIROO
    • C01B
    • B82Y30/00C01B33/183C01P2004/54C01P2004/62C01P2004/64C01P2006/12C01P2006/80C09C1/30G03G9/09716G03G9/09725Y10T428/259Y10T428/2991
    • 本發明提供一種氧化矽微粒子,其特徵為在火焰中之反應製得,其平均粒徑0.05~1μm,且於小角度X射線散射法(small–angleX–rayscattering)測定中,解析對象範圍50nm~150nm之碎形參數α1及解析對象範圍150nm~353nm之碎形參數α2,能滿足以下式(1)及(2)表示之條件。-0.0068S+2.548≦α1≦-0.0068S+3.748(1)-0.0011S+1.158≦α2≦-0.0011S+2.058(2)式(1)及(2)中,S為氧化矽微粒子之BET比表面積(m^2/g)。該氧化矽微粒子當作半導體封裝樹脂用填料,研磨劑或噴墨紙塗覆層等之填料使用時,能夠不提高黏度而多量充填,且當作樹脂用填料時,所得成形體表現良好強度,而當作電子相片用碳粉外加劑使用時,不僅賦予碳粉良好之流動性,同時對碳粉樹脂粒子發揮良好之防止脫落性。
    • 本发明提供一种氧化硅微粒子,其特征为在火焰中之反应制得,其平均粒径0.05~1μm,且于小角度X射线散射法(small–angleX–rayscattering)测定中,解析对象范围50nm~150nm之碎形参数α1及解析对象范围150nm~353nm之碎形参数α2,能满足以下式(1)及(2)表示之条件。-0.0068S+2.548≦α1≦-0.0068S+3.748(1)-0.0011S+1.158≦α2≦-0.0011S+2.058(2)式(1)及(2)中,S为氧化硅微粒子之BET比表面积(m^2/g)。该氧化硅微粒子当作半导体封装树脂用填料,研磨剂或喷墨纸涂覆层等之填料使用时,能够不提高黏度而多量充填,且当作树脂用填料时,所得成形体表现良好强度,而当作电子相片用碳粉外加剂使用时,不仅赋予碳粉良好之流动性,同时对碳粉树脂粒子发挥良好之防止脱落性。