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1. 发明专利

TW201704482A Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶之製造方法审中-公开
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶之制造方法
公开(公告)号：TW201704482A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105107920
申请日：2016-03-15
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUKI , 植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C22C9/00 , C22C1/04 , C23C14/14 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/00 , B22F3/14 , C22C9/00 , C23C14/34
摘要：本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶為，由Cu-Ga合金所形成之Cu-Ga合金濺鍍靶中，使碳濃度為30質量ppm以下，使組織觀察結果中粒徑10μm以下之結晶粒所佔有之面積率為5%以上50%以下，粒徑100μm以上之結晶粒所佔有之面積率為1%以上30%以下之範圍內。
简体摘要：本发明之Cu-Ga合金溅镀靶为，由Cu-Ga合金所形成之Cu-Ga合金溅镀靶中，使碳浓度为30质量ppm以下，使组织观察结果中粒径10μm以下之结晶粒所占有之面积率为5%以上50%以下，粒径100μm以上之结晶粒所占有之面积率为1%以上30%以下之范围内。

2. 发明专利

TW201742940A Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材之製造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材审中-公开
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶材之制造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶材
公开(公告)号：TW201742940A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106101888
申请日：2017-01-19
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUKI , 植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/10 , C22C9/00
摘要：本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，係由Cu-Ga合金所構成，且具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材(10)，其特徵係具有如下步驟：預燒步驟(S02)，其係將至少含有CuGa合金粉之原料粉填充於具有中間體(32)之成形模具，在還原環境下進行加熱而形成預燒體(13)；及，本燒結步驟(S03)，其係從前述預燒體(13)取出前述中間體(32)，在還原環境中加熱前述預燒體(13)而形成燒結體；在前述預燒步驟(S02)中，係使用以線熱膨脹係數比構成前述Cu-Ga合金濺鍍靶材(10)之Cu-Ga合金大之材質所構成者作為前述中間體(32)，在100℃以上600℃以下之溫度維持10分鐘以上10小時以下，以形成前述預燒體(13)。
简体摘要：本发明之Cu-Ga合金溅镀靶材之制造方法，系由Cu-Ga合金所构成，且具有中空部之Cu-Ga合金溅镀靶材(10)，其特征系具有如下步骤：预烧步骤(S02)，其系将至少含有CuGa合金粉之原料粉填充于具有中间体(32)之成形模具，在还原环境下进行加热而形成预烧体(13)；及，本烧结步骤(S03)，其系从前述预烧体(13)取出前述中间体(32)，在还原环境中加热前述预烧体(13)而形成烧结体；在前述预烧步骤(S02)中，系使用以线热膨胀系数比构成前述Cu-Ga合金溅镀靶材(10)之Cu-Ga合金大之材质所构成者作为前述中间体(32)，在100℃以上600℃以下之温度维持10分钟以上10小时以下，以形成前述预烧体(13)。

3. 发明专利

TWI665317B Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶之製造方法有权
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶之制造方法
公开(公告)号：TWI665317B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW105107920
申请日：2016-03-15
申请人：日商三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUKI , 植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C22C9/00 , C22C1/04 , C23C14/14 , C23C14/34

4. 发明专利

TW201529474A 合成非晶質矽石粉末及其製造方法审中-公开
简体标题：合成非晶质硅石粉末及其制造方法
公开(公告)号：TW201529474A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103144074
申请日：2014-12-17
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI
IPC分类号： C01B33/18 , C01B33/158 , C04B35/626
CPC分类号： C01B33/18 , C01P2002/02 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C01P2006/80
摘要：一種合成非晶質矽石粉末，其係將矽石作為原料，藉由造粒、鍛燒所得到的合成非晶質矽石粉末，其特徵為：體積基準的粒度分布中累積頻率50%的粒徑DV50為72μm以上509μm以下；體積基準的粒徑45μm以下的粒子之累積頻率為1.8%以下；將體積基準的粒度分布中累積頻率90%的粒徑DV90、與體積基準的粒度分布中累積頻率10%的粒徑DV10之差值，除以體積基準的粒度分布中累積頻率50%的粒徑DV50所得之值為0.79以上且1.40以下；FNL/FNS為0.3以上；體密度為0.75g/cm3以上1.5g/cm3以下。
简体摘要：一种合成非晶质硅石粉末，其系将硅石作为原料，借由造粒、锻烧所得到的合成非晶质硅石粉末，其特征为：体积基准的粒度分布中累积频率50%的粒径DV50为72μm以上509μm以下；体积基准的粒径45μm以下的粒子之累积频率为1.8%以下；将体积基准的粒度分布中累积频率90%的粒径DV90、与体积基准的粒度分布中累积频率10%的粒径DV10之差值，除以体积基准的粒度分布中累积频率50%的粒径DV50所得之值为0.79以上且1.40以下；FNL/FNS为0.3以上；体密度为0.75g/cm3以上1.5g/cm3以下。

5. 发明专利

TWI488812B 合成之非晶質二氧化矽粉末及其製造方法有权
简体标题：合成之非晶质二氧化硅粉末及其制造方法
公开(公告)号：TWI488812B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW100100200
申请日：2011-01-04
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI
IPC分类号： C01B33/18
CPC分类号： C01B33/158 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/12

6. 发明专利

TWI487665B 合成非晶質矽石粉末及其製造方法有权
简体标题：合成非晶质硅石粉末及其制造方法
公开(公告)号：TWI487665B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW100100197
申请日：2011-01-04
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI
IPC分类号： C01B33/18 , C01B33/158
CPC分类号： C01B33/181 , C01B33/14 , C01P2002/02 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C03B19/1025 , C03B19/1065 , C03C3/06 , C03C2201/02 , C03C2203/10 , C03C2203/27 , Y10T428/2982

7. 发明专利

TW201700758A 圓筒型濺鍍靶之製造方法审中-公开
简体标题：圆筒型溅镀靶之制造方法
公开(公告)号：TW201700758A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105108671
申请日：2016-03-21
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：吉田勇気 , YOSHIDA, YUKI , 植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI , 森曉 , MORI, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , C22C9/00 , B22F3/14 , B22F5/10
CPC分类号： C23C14/34
摘要：本發明之圓筒型濺鍍靶之製造方法係：以相對於燒結體的線熱膨脹係數αM，成形模具的線熱膨脹係數αD、以及芯的線熱膨脹係數αC成為αD≦αM≦αC之方式，設定前述成形模具及前述芯的材質；具有將原料粉末加熱到燒結溫度TS(℃)並進行燒結之燒結步驟，與在該燒結步驟之後從前述成形模具拔出前述芯之芯拔出步驟；芯拔出步驟之芯拔出溫度TR(℃)，相對於燒結溫度TS(℃)，在0.5×TS≦TR≦1.0×TS的範圍內。
简体摘要：本发明之圆筒型溅镀靶之制造方法系：以相对于烧结体的线热膨胀系数αM，成形模具的线热膨胀系数αD、以及芯的线热膨胀系数αC成为αD≦αM≦αC之方式，设置前述成形模具及前述芯的材质；具有将原料粉末加热到烧结温度TS(℃)并进行烧结之烧结步骤，与在该烧结步骤之后从前述成形模具拔出前述芯之芯拔出步骤；芯拔出步骤之芯拔出温度TR(℃)，相对于烧结温度TS(℃)，在0.5×TS≦TR≦1.0×TS的范围内。

8. 发明专利

TWI551345B 連續混煉裝置有权
简体标题：连续混炼设备
公开(公告)号：TWI551345B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW101110144
申请日：2012-03-23
申请人：粉研寶泰司股份有限公司 , FUNKEN POWTECHS, INC. , 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：岩子真由美 , IWAKO, MAYUMI , 中尾雅章 , NAKAO, MASAAKI , 北村龍司 , KITAMURA, RYUJI , 阿部正和 , ABE, MASAKAZU , 植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI , 小泉博道 , KOIZUMI, HIROMICHI
IPC分类号： B01F7/26
CPC分类号： B01F7/26 , B01F3/1221 , B01F5/221 , B01F7/00041 , B01F7/00775

9. 发明专利

TWI525041B 合成非晶質矽石粉末及其製造方法有权
简体标题：合成非晶质硅石粉末及其制造方法
公开(公告)号：TWI525041B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW101109323
申请日：2012-03-19
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI
IPC分类号： C01B33/18 , C01B33/158 , C04B35/626
CPC分类号： C01B33/183 , C01B33/1415 , C01B33/18 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C03B19/102 , C03B20/00 , Y10T428/2982

10. 发明专利

TWI488811B 合成之非晶質二氧化矽粉末及其製造方法有权
简体标题：合成之非晶质二氧化硅粉末及其制造方法
公开(公告)号：TWI488811B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW100100198
申请日：2011-01-04
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：植田稔晃 , UEDA, TOSHIAKI
IPC分类号： C01B33/18 , C01B33/158
CPC分类号： C03B19/1065 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01B33/181 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C03B19/1095 , C03B2201/02 , C03C3/06 , C03C23/0075 , Y10T428/2982

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