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1. 发明专利

TW393735B 產生空間圖樣化構件之方法失效
简体标题：产生空间图样化构件之方法
公开(公告)号：TW393735B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW087102543
申请日：1998-02-23
申请人：麥克那英特曼特有限公司
发明人：剛特.伊格爾 , 馬丁.麥爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81C1/00666 , B81B2203/0136 , B81C2201/0136 , B81C2201/0173
摘要：一種由一本體（１）產生空間圖樣化構件（１０）之方法，在本體（１）背面設具有孔（９）之阻礙層（８）以阻礙本體材料之移除，且澱積可移植材料區（５）。本體（１）受到熱移植處理以形成移植區（７）。之後，在單一材料移除步驟下，構件（１０）由本體（１）分開，移植區（７）露出。
简体摘要：一种由一本体（１）产生空间图样化构件（１０）之方法，在本体（１）背面设具有孔（９）之阻碍层（８）以阻碍本体材料之移除，且淀积可移植材料区（５）。本体（１）受到热移植处理以形成移植区（７）。之后，在单一材料移除步骤下，构件（１０）由本体（１）分开，移植区（７）露出。

2. 发明专利

TW201613819A 微電機械系統構件审中-公开
简体标题：微电机械系统构件
公开(公告)号：TW201613819A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104127870
申请日：2015-08-26
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：雪林克里斯多福 , SCHELLING, CHRISTOPH , 史湯伯米夏埃爾 , STUMBER, MICHAEL , 史坦班乃迪克 , STEIN, BENEDIKT
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2201/01 , B81B2201/0228 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0136 , B81C1/00801
摘要：一種層材料，它特別適合用於在一MEMS構件(102)的層構造中做具有電極(7)的自由承載的構造元件(31)，其至少部分地由一以碳氮化矽(Si1-x-yCxNy)為基礎的層構成。(圖1b)
简体摘要：一种层材料，它特别适合用于在一MEMS构件(102)的层构造中做具有电极(7)的自由承载的构造组件(31)，其至少部分地由一以碳氮化硅(Si1-x-yCxNy)为基础的层构成。(图1b)

3. 发明专利

TW200902430A 微擺動元件及微擺動元件陣列 MICRO-OSCILLATION ELEMENT AND ARRAY OF MICRO OSCILLATION ELEMENTS 审中-公开
简体标题：微摆动组件及微摆动组件数组 MICRO-OSCILLATION ELEMENT AND ARRAY OF MICRO OSCILLATION ELEMENTS
公开(公告)号：TW200902430A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097122151
申请日：2008-06-13
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：壺井修 TSUBOI, OSAMU , 高馬悟覺 KOUMA, NORINAO , 曾根田弘光 SONEDA, HIROMITSU , 奧田久雄 OKUDA, HISAO , 水野義博 MIZUNO, YOSHIHIRO , 松本剛 MATSUMOTO, TSUYOSHI , 佐一平 SAWAKI, IPPEI
IPC分类号： B81B , B81C , G02B
CPC分类号： B81B3/0078 , B81B2201/033 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81B2203/0181 , B81B2203/058 , G02B26/0841
摘要：一種微擺動元件包括一基本框架、一擺動部分,及使該基本框架與該擺動部分互相連接的一鏈結部分。該擺動部分具有一可移動功能部分、被連接到該可移動功能部分的一第一驅動電極,及被接合到該第一驅動電極的一重量部分。該鏈結部分定義該擺動部分的擺動動作的一軸。被固定到該基本框架的該第二驅動電極與該第一驅動電極合作為該擺動動作產生驅動力。
简体摘要：一种微摆动组件包括一基本框架、一摆动部分,及使该基本框架与该摆动部分互相连接的一链结部分。该摆动部分具有一可移动功能部分、被连接到该可移动功能部分的一第一驱动电极,及被接合到该第一驱动电极的一重量部分。该链结部分定义该摆动部分的摆动动作的一轴。被固定到该基本框架的该第二驱动电极与该第一驱动电极合作为该摆动动作产生驱动力。

4. 发明专利

TW528884B 微鏡元件之製造方法及由此所製造之微鏡元件失效
简体标题：微镜组件之制造方法及由此所制造之微镜组件
公开(公告)号：TW528884B
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：TW090129094
申请日：2001-11-23
申请人：富士通股份有限公司 , 富士通媒體裝置股份有限公司
发明人：水野義博 , 上田知史 , 壺井修 , 佐一平 , 奧田久雄 , 山岸文雄 , 高馬悟覺
IPC分类号： G02B , B81B , G11B
CPC分类号： G02B26/0841 , B01D53/885 , B01J8/0453 , B01J8/0496 , B01J2208/00212 , B01J2208/00309 , B01J2208/025 , B81B2201/045 , B81B2203/0136 , B81C1/00142 , B81C1/00626 , B81C2201/0142 , C01B3/16 , C01B2203/0288 , C01B2203/045 , C01B2203/0485 , Y10S359/904
摘要：本發明係用以提供一種微鏡元件之製造方法及依該方法所製造之微鏡元件，而該微鏡元件係設有正確地位置於材料基板之厚度方向中間且具有更高精密度之厚度尺寸之扭力棒。
本發明於製造設有鏡形成部、框架部及扭力棒之微鏡元件時係進行以下程序，即：於具有含多數矽層20、21及至少一中間層160之層積結構之材料基板8上對矽層20進行蝕刻處理，藉此形成較鏡形成部薄且與中間層相接之預扭棒T'；藉去除與預扭棒T'相接之中間層160，以形成扭力棒T。(參閱第26圖及第27圖)
简体摘要：本发明系用以提供一种微镜组件之制造方法及依该方法所制造之微镜组件，而该微镜组件系设有正确地位置于材料基板之厚度方向中间且具有更高精密度之厚度尺寸之扭力棒。本发明于制造设有镜形成部、框架部及扭力棒之微镜组件时系进行以下进程，即：于具有含多数硅层20、21及至少一中间层160之层积结构之材料基板8上对硅层20进行蚀刻处理，借此形成较镜形成部薄且与中间层相接之预扭棒T'；藉去除与预扭棒T'相接之中间层160，以形成扭力棒T。(参阅第26图及第27图)

5. 发明专利

TW201700390A 多層微機械結構审中-公开
简体标题：多层微机械结构
公开(公告)号：TW201700390A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105113943
申请日：2016-05-05
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：依胡拉安堤 , IIHOLA, ANTTI , 托爾凱利艾爾堤 , TORKKELI, ALTTI , 瑞特庫尼斐勒佩卡 , RYTKONEN, VILLE-PEKKA , 里歐庫瑪堤 , LIUKKU, MATTI
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B3/0094 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0136 , B81B2203/04 , B81C1/00357 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132
摘要：本發明係關於一種微機械裝置，其包含僅具有均質矽材料之一多層微機械結構。該裝置層包含至少一轉子及至少兩個定子。該轉子及該至少兩個定子中之至少一些自該裝置層之一第一表面至少部分地凹入到至少兩個不同凹入深度，且該轉子及該至少兩個定子中之至少一些自該裝置層之一第二表面至少部分地凹入到至少兩個不同凹入深度。
简体摘要：本发明系关于一种微机械设备，其包含仅具有均质硅材料之一多层微机械结构。该设备层包含至少一转子及至少两个定子。该转子及该至少两个定子中之至少一些自该设备层之一第一表面至少部分地凹入到至少两个不同凹入深度，且该转子及该至少两个定子中之至少一些自该设备层之一第二表面至少部分地凹入到至少两个不同凹入深度。

6. 发明专利

TW201328961A 梳狀電極結構审中-公开
简体标题：梳状电极结构
公开(公告)号：TW201328961A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101100236
申请日：2012-01-03
申请人：探微科技股份有限公司 , TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳明發 , CHEN, MING FA , 李柏勳 , LEE, BOR SHIUN
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0045 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81B2203/058
摘要：一種梳狀電極結構，包括多個第一梳狀齒、多個第二梳狀齒以及一第一強化齒。第一梳狀齒與第二梳狀齒彼此間隔交錯。第一強化齒位於第一梳狀齒之最外側，並與此些第一梳狀齒電性連接。在一實施例中，第一強化齒的寬度大於第一梳狀齒的寬度。在另一實施例中，第一強化齒的厚度大於第一梳狀齒的厚度。
简体摘要：一种梳状电极结构，包括多个第一梳状齿、多个第二梳状齿以及一第一强化齿。第一梳状齿与第二梳状齿彼此间隔交错。第一强化齿位于第一梳状齿之最外侧，并与此些第一梳状齿电性连接。在一实施例中，第一强化齿的宽度大于第一梳状齿的宽度。在另一实施例中，第一强化齿的厚度大于第一梳状齿的厚度。

7. 发明专利

TW201109267A 微加工元件結構強化及靈敏度提升的方法 A GENERAL STRENGTH AND SENSITIVITY ENHANCEMENT METHOD FOR MICROMACHINED DEVICES 审中-公开
简体标题：微加工组件结构强化及灵敏度提升的方法 A GENERAL STRENGTH AND SENSITIVITY ENHANCEMENT METHOD FOR MICROMACHINED DEVICES
公开(公告)号：TW201109267A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW098130194
申请日：2009-09-08
申请人：黃榮堂
发明人：黃榮堂 , 林銘哲 , 許后竣
IPC分类号： B81C , H01L
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0136 , B81B2207/015 , B81C2201/0167 , B81C2201/0197 , B81C2203/0714
摘要：本發明係一種對CMOS-MEMS微加工元件結構强化及靈敏度提升之方法,其中CMOS-MEMS微加工元件可為微動作感測器、微致動器以及微射頻開關,其係包括有下列之步驟:於一微加工元件中利用鈍化層與金屬層製作所需的化學鍍金屬結構區域;透過微影製程製作化學鍍金屬結構之模穴;化學鍍沈積金屬結構於微加工元件結構上;研磨金屬結構,達到厚度與均勻度控制;利用乾、溼蝕刻技術使微加工元件結構懸浮。本發明利用化學鍍在微結構上沈積一金屬結構,達到增强懸浮結構强度與提供多一層保護,藉以改善微加工元件於運動或封裝中結構容易斷裂之問題,得到尺寸小且結構强之CMOS-MEMS微加工元件。此外對於微動作感測器晶片如加速度計、陀螺儀等,也可藉由化學鍍沈積一金屬結構於感測器結構上,藉此增加質量塊重量、增加感測面積,提升靈敏度、提升電容値、縮小結構面積以及降低懸浮結構本身因殘留應力所造成的翹曲程度。
简体摘要：本发明系一种对CMOS-MEMS微加工组件结构强化及灵敏度提升之方法,其中CMOS-MEMS微加工组件可为微动作传感器、微致动器以及微射频开关,其系包括有下列之步骤:于一微加工组件中利用钝化层与金属层制作所需的化学镀金属结构区域;透过微影制程制作化学镀金属结构之模穴;化学镀沉积金属结构于微加工组件结构上;研磨金属结构,达到厚度与均匀度控制;利用干、湿蚀刻技术使微加工组件结构悬浮。本发明利用化学镀在微结构上沉积一金属结构,达到增强悬浮结构强度与提供多一层保护,借以改善微加工组件于运动或封装中结构容易断裂之问题,得到尺寸小且结构强之CMOS-MEMS微加工组件。此外对于微动作传感器芯片如加速度计、陀螺仪等,也可借由化学镀沉积一金属结构于传感器结构上,借此增加质量块重量、增加传感面积,提升灵敏度、提升电容値、缩小结构面积以及降低悬浮结构本身因残留应力所造成的翘曲程度。

8. 发明专利

TW201000390A 具有減低對封裝應力之感受性之半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED SENSITIVITY TO PACKAGE STRESS 审中-公开
简体标题：具有减低对封装应力之感受性之半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED SENSITIVITY TO PACKAGE STRESS
公开(公告)号：TW201000390A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098111044
申请日：2009-04-02
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：麥克奈爾安德魯C , 吉斯伯格亞倫A , 庫瑞丹尼爾N 二世 , 李蓋瑞G
IPC分类号： B81B
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2203/0109 , B81B2203/0136 , G01P1/006 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0814 , G01P2015/082
摘要：本發明揭示一種微機電系統(MEMS)感測器(52)，其包含：一基板(62)、一與該基板(62)間隔開之可移動元件(58)、若干形成於該基板(62)上之懸吊錨錠(66、68、70、72)及若干互連該可移動元件(58)與該等懸吊錨錠之柔順部件(74)。該MEMS感測器(52)進一步包含若干固定指(76)及若干將該等固定指(76)附接至該基板(62)之固定指錨錠(78)。該可移動元件(58)包含若干開口(64)。該等懸吊錨錠中之至少一者駐留於該多個開口(64)中之至少一者中且若干該等固定指(76)對(94)駐留於其他多個開口(64)中。該MEMS感測器(52)係對稱地形成，且該等固定指錨錠(78)之一位置界定該等懸吊錨錠(66、68、70、72)定位於其內之一錨錠區域(103)。
简体摘要：本发明揭示一种微机电系统(MEMS)传感器(52)，其包含：一基板(62)、一与该基板(62)间隔开之可移动组件(58)、若干形成于该基板(62)上之悬吊锚锭(66、68、70、72)及若干互连该可移动组件(58)与该等悬吊锚锭之柔顺部件(74)。该MEMS传感器(52)进一步包含若干固定指(76)及若干将该等固定指(76)附接至该基板(62)之固定指锚锭(78)。该可移动组件(58)包含若干开口(64)。该等悬吊锚锭中之至少一者驻留于该多个开口(64)中之至少一者中且若干该等固定指(76)对(94)驻留于其他多个开口(64)中。该MEMS传感器(52)系对称地形成，且该等固定指锚锭(78)之一位置界定该等悬吊锚锭(66、68、70、72)定位于其内之一锚锭区域(103)。

9. 发明专利

TW546490B 微型鏡單元與其製造方法失效
简体标题：微型镜单元与其制造方法
公开(公告)号：TW546490B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW090123248
申请日：2001-09-20
申请人：富士通股份有限公司 , 富士通媒體裝置股份有限公司
发明人：壺井修 , 上田知史 , 水野義博 , 佐一平 , 山岸文雄
IPC分类号： G02B , G11B , G11C
CPC分类号： B81C1/00142 , B81B3/0078 , B81B2201/042 , B81B2201/045 , B81B2203/0136 , B81B2203/0181 , B81B2203/058 , B81C1/00396 , G02B26/0841 , Y10S359/904
摘要：一種製造微鏡單元的方法，該單元包含一框架，一成鏡座，及接橋等可將框架連接於成鏡座。該方法包含下列步驟。首先，在一基材上設一第一罩幕圖案，以罩蔽該基材要形成該框架與成鏡座的部份。嗣在該基材上設一第二罩幕圖案，以罩蔽該基材要形成該等接橋的部份。然後，以該第一與第二罩幕圖案作為罩蔽裝置，來對該基材進行一第一蝕刻處理。再選擇性地除掉第二罩圖案。然後以第一罩幕圖案作為罩蔽裝置來對該基材進行一第二蝕刻處理。最後，除掉該第一罩幕圖案。
简体摘要：一种制造微镜单元的方法，该单元包含一框架，一成镜座，及接桥等可将框架连接于成镜座。该方法包含下列步骤。首先，在一基材上设一第一罩幕图案，以罩蔽该基材要形成该框架与成镜座的部份。嗣在该基材上设一第二罩幕图案，以罩蔽该基材要形成该等接桥的部份。然后，以该第一与第二罩幕图案作为罩蔽设备，来对该基材进行一第一蚀刻处理。再选择性地除掉第二罩图案。然后以第一罩幕图案作为罩蔽设备来对该基材进行一第二蚀刻处理。最后，除掉该第一罩幕图案。

10. 发明专利

TW505613B 交錯扭轉之靜電梳式驅動器及其製法失效
简体标题：交错扭转之静电梳式驱动器及其制法
公开(公告)号：TW505613B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090113195
申请日：2001-06-26
申请人：加利福尼亞大學董事會
发明人：羅伯 A 科南特 , 喬瑟琳 T 尼 , 羅坎吟 , 理查 S 慕勒
IPC分类号： B81B , G02B
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C2201/0178 , B81C2203/032 , G02B26/0841
摘要：一交錯扭轉之靜電梳式驅動器包含一固定式梳齒組件及一設有一鏡片及一扭轉樞紐之移動式梳齒組件。該移動式梳齒組件於一梳式驅動器靜止狀態期間完全定位在該固定式梳齒組件上方達一預定垂直位移。製造交錯扭轉之靜電梳式驅動器之一方法包含於一第一晶圓中深溝道蝕刻一固定式梳齒組件之步驟。一第二晶圓係接合至該第一晶圓，以形成包含該第一晶圓、一氧化物層、及該第二晶圓之夾層結構。一移動式梳齒組件係形成在該第二晶圓中。該移動式梳齒組件包含一鏡片及一扭轉樞紐。藉著該氧化物層分開該移動式梳齒組件及該第一晶圓。隨後移去該氧化物層以釋放該交錯扭轉之靜電梳式驅動器。
简体摘要：一交错扭转之静电梳式驱动器包含一固定式梳齿组件及一设有一镜片及一扭转枢纽之移动式梳齿组件。该移动式梳齿组件于一梳式驱动器静止状态期间完全定位在该固定式梳齿组件上方达一预定垂直位移。制造交错扭转之静电梳式驱动器之一方法包含于一第一晶圆中深沟道蚀刻一固定式梳齿组件之步骤。一第二晶圆系接合至该第一晶圆，以形成包含该第一晶圆、一氧化物层、及该第二晶圆之夹层结构。一移动式梳齿组件系形成在该第二晶圆中。该移动式梳齿组件包含一镜片及一扭转枢纽。借着该氧化物层分开该移动式梳齿组件及该第一晶圆。随后移去该氧化物层以释放该交错扭转之静电梳式驱动器。

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