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1. 发明专利

TW201811662A 用於具有傾斜的光學窗的微機械裝置的製造方法以及相對應的微機械裝置审中-公开
简体标题：用于具有倾斜的光学窗的微机械设备的制造方法以及相对应的微机械设备
公开(公告)号：TW201811662A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106130315
申请日：2017-09-05
申请人：德商羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：史都沃班傑明 , STEUER, BENJAMIN , 平特史堤方 , PINTER, STEFAN
IPC分类号： B81C1/00 , B81B1/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00626 , B81B7/0058 , B81B2201/042 , B81C2201/0116 , G02B26/0833 , G02B27/0006
摘要：本發明提供一種用於具有一傾斜的光學窗的一微機械裝置的製造方法，以及一相對應的微機械裝置。該製造方法包含以下步驟：提供具有一前側(V1)及一後側(R1)的一第一基板(W1)，該第一基板(W1)具有一切口(L11；L11'；L11"；L11'''；L11''''；K1；K2)；在該前側(V1)上施加一第二基板(W2)，其中該第二基板(W2)為熱可變形的且在該切口(L11；L11'；L11"；L11'''；L11''''；K1；K2)上方具有一第一通孔(L21)，該第一通孔(L21)與該切口(L11；L11'；L11"；L11'''；L11''''；K1；K2)相比具有一較小的側向延伸；在該第一通孔(L21)上方或下方的該第二基板(W2)上形成一摺疊區(K；K')，該摺疊區(K；K')係配置在相對於該第一基板(W1)的一第一位置中；使該第二基板(W2)經受熱變形，其中使該摺疊區(K；K')到達該切口(L11)內的一第二位置中，該第二位置相對於該第一位置為傾斜的且可選擇地降低至該切口(L11；L11'；L11"；L11'''；L11''''； K1；K2)中；自該第二基板(W2)移除該摺疊區(K；K')；及在傾斜的該第二位置中將光學窗(FE)附接至該第一通孔(L21)上方或下方的該第二基板(W2)上。
简体摘要：本发明提供一种用于具有一倾斜的光学窗的一微机械设备的制造方法，以及一相对应的微机械设备。该制造方法包含以下步骤：提供具有一前侧(V1)及一后侧(R1)的一第一基板(W1)，该第一基板(W1)具有一切口(L11；L11'；L11"；L11'''；L11''''；K1；K2)；在该前侧(V1)上施加一第二基板(W2)，其中该第二基板(W2)为热可变形的且在该切口(L11；L11'；L11"；L11'''；L11''''；K1；K2)上方具有一第一通孔(L21)，该第一通孔(L21)与该切口(L11；L11'；L11"；L11'''；L11''''；K1；K2)相比具有一较小的侧向延伸；在该第一通孔(L21)上方或下方的该第二基板(W2)上形成一折叠区(K；K')，该折叠区(K；K')系配置在相对于该第一基板(W1)的一第一位置中；使该第二基板(W2)经受热变形，其中使该折叠区(K；K')到达该切口(L11)内的一第二位置中，该第二位置相对于该第一位置为倾斜的且可选择地降低至该切口(L11；L11'；L11"；L11'''；L11''''； K1；K2)中；自该第二基板(W2)移除该折叠区(K；K')；及在倾斜的该第二位置中将光学窗(FE)附接至该第一通孔(L21)上方或下方的该第二基板(W2)上。

2. 发明专利

TW201801172A 選擇性蝕刻奈米結構之方法审中-公开
简体标题：选择性蚀刻奈米结构之方法
公开(公告)号：TW201801172A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106108388
申请日：2017-03-14
申请人：可汗米迪沙畢爾阿邁德 , KHAN, MD SABBIR AHMED , 桑魁維斯喬納斯 , SUNDQVIST, JONAS , 蘇亞亭德米特里 , SUYATIN, DMITRY
发明人：可汗米迪沙畢爾阿邁德 , KHAN, MD SABBIR AHMED , 桑魁維斯喬納斯 , SUNDQVIST, JONAS , 蘇亞亭德米特里 , SUYATIN, DMITRY
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/3065 , B81C1/00626 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/30621 , H01L21/3086 , H01L29/0673 , H01L29/66439 , H01L29/775
摘要：本發明係關於一種選擇性蝕刻奈米結構(10)之方法。此方法包括：提供具有由相對於主要表面(12)之數個斜面(14)所界定出之主要表面(12)之奈米結構(10)；以及將此奈米結構(10)置於乾蝕刻中，其中此乾蝕刻包括：將奈米結構(10)置於具有垂直於主要表面(12)方向之低能量粒子束(20)下；從而於此奈米結構(10)內形成凹口(16)，此凹口(16)具有位於奈米結構(10)之主要表面(12)處的開口。
简体摘要：本发明系关于一种选择性蚀刻奈米结构(10)之方法。此方法包括：提供具有由相对于主要表面(12)之数个斜面(14)所界定出之主要表面(12)之奈米结构(10)；以及将此奈米结构(10)置于干蚀刻中，其中此干蚀刻包括：将奈米结构(10)置于具有垂直于主要表面(12)方向之低能量粒子束(20)下；从而于此奈米结构(10)内形成凹口(16)，此凹口(16)具有位于奈米结构(10)之主要表面(12)处的开口。

3. 发明专利

TWI272649B 形成原位凹部結構之方法 METHOD OF FORMING AN IN-SITU RECESSED STRUCTURE 有权
简体标题：形成原位凹部结构之方法 METHOD OF FORMING AN IN-SITU RECESSED STRUCTURE
公开(公告)号：TWI272649B
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW094132084
申请日：2005-09-16
申请人：分子壓模公司 MOLECULAR IMPRINTS, INC.
发明人：維杜瑟克大衛A. VIDUSEK, DAVID A. , 史瑞尼瓦森思蓋塔V. SREENIVASAN, SIDLGATA V. , 王大衛C. WANG, DAVID C.
IPC分类号： H01L , B81C
CPC分类号： B81C1/00626
摘要：本發明係有關一種將基材圖案化之方法，包括由設置於基材上的第一材料形成第一薄膜，其具有包括多個凸部的原先圖案。凸部從谷面延伸而終於峰面，界定介於其間的高度。部分第一薄膜重疊谷面而界定谷部。谷部被去除而暴露出重疊谷部的基材一區，其界定多個凹部。第二材料係設置於該第一薄膜上來形成第二薄膜，其具有表面從該等多個凸部的峰面隔開，及填補多個凹部而形成多層膜疊層。第一薄膜和部分第二薄膜被去除而形成多個彼此隔開的第二材料製成的凸部於基材上。
简体摘要：本发明系有关一种将基材图案化之方法，包括由设置于基材上的第一材料形成第一薄膜，其具有包括多个凸部的原先图案。凸部从谷面延伸而终于峰面，界定介于其间的高度。部分第一薄膜重叠谷面而界定谷部。谷部被去除而暴露出重叠谷部的基材一区，其界定多个凹部。第二材料系设置于该第一薄膜上来形成第二薄膜，其具有表面从该等多个凸部的峰面隔开，及填补多个凹部而形成多层膜叠层。第一薄膜和部分第二薄膜被去除而形成多个彼此隔开的第二材料制成的凸部于基材上。

4. 发明专利

TW201607879A 用於改進ＭＥＭＳ裝置的致動器層上的表面粗糙度和消除尖角之方法审中-公开
简体标题：用于改进ＭＥＭＳ设备的致动器层上的表面粗糙度和消除尖角之方法
公开(公告)号：TW201607879A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104115947
申请日：2015-05-19
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：史密斯彼得 , SMEYS, PETER , 辛宗祐 , SHIN, JONGWOO , 辛正一 , SHIN, JONG II
IPC分类号： B81B7/02 , H01L21/324
CPC分类号： B81C1/00626 , B81C1/00825 , B81C2201/0169
摘要：在此揭露了一用於形成微機電系統(MEMS,micro-electromechanical system)裝置的致動器層之方法。該方法包括對致動器層進行蝕刻，並且在蝕刻之後對致動器層進行退火處理以減少MEMS裝置的表面粗糙度。
简体摘要：在此揭露了一用于形成微机电系统(MEMS,micro-electromechanical system)设备的致动器层之方法。该方法包括对致动器层进行蚀刻，并且在蚀刻之后对致动器层进行退火处理以减少MEMS设备的表面粗糙度。

5. 发明专利

TWI284953B 可控制結構尺寸之液態重力蝕刻停止方法 A LIQUID-BASED GRAVITY-DRIVEN ETCHING-STOP TECHNIQUE FOR CONTROLLING STRUCTURE DIMENSION 失效
简体标题：可控制结构尺寸之液态重力蚀刻停止方法 A LIQUID-BASED GRAVITY-DRIVEN ETCHING-STOP TECHNIQUE FOR CONTROLLING STRUCTURE DIMENSION
公开(公告)号：TWI284953B
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW094116609
申请日：2005-05-20
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林韋至 LIN, WEI CHIN , 張惠玲 CHANG, HUI LING , 蔡晴翔 TSAI, CHING HSIANG , 梁兆鈞 LIANG, CHAO CHING , 謝建文 HSIEH, GEN WEN , 李裕文 LEE, YUH WEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , B81B2201/12 , B81C1/00626 , B81C2201/0142 , G01Q60/38
摘要：一種使用對立蝕刻槽與蝕刻停止液體搭配，達到晶圓級的元件微結構尺寸控制的方法。而控制的方法，則是在晶圓兩面，分別蝕刻一組包圍元件的對立溝槽，而在晶片正面，與元件微結構同面之溝槽，深度則等同於所需求的微結構尺寸。反之在晶片背面之溝槽深度，則無須特別定義，只須待最後待元件釋放的同時，背面的溝槽蝕刻與正面溝槽接觸時，元件將會由整片晶圓上自動分離，由原本的蝕刻液中，落入下層的蝕刻停止液體(二碘甲烷)中，進而停止蝕刻，藉此達到元件微結構尺寸的控制。
简体摘要：一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到晶圆级的组件微结构尺寸控制的方法。而控制的方法，则是在晶圆两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面之沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸。反之在芯片背面之沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片晶圆上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的蚀刻停止液体(二碘甲烷)中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。

6. 发明专利

TW200618049A 形成原位凹部結構之方法 METHOD OF FORMING AN IN-SITU RECESSED STRUCTURE 审中-公开
简体标题：形成原位凹部结构之方法 METHOD OF FORMING AN IN-SITU RECESSED STRUCTURE
公开(公告)号：TW200618049A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094132084
申请日：2005-09-16
申请人：分子壓模公司 MOLECULAR IMPRINTS, INC.
发明人：維杜瑟克大衛A VIDUSEK, DAVID A. , 史瑞尼瓦森思蓋塔V SREENIVASAN, SIDLGATA V. , 王大衛C WANG, DAVID C.
IPC分类号： H01L , B81C
CPC分类号： B81C1/00626
摘要：本發明係有關一種將基材圖案化之方法，包括由設置於基材上的第一材料形成第一薄膜，其具有包括多個凸部的原先圖案。凸部從谷面延伸而終於峰面，界定介於其間的高度。部分第一薄膜重疊谷面而界定谷部。谷部被去除而暴露出重疊谷部的基材一區，其界定多個凹部。第二材料係設置於該第一薄膜上來形成第二薄膜，其具有表面從該等多個凸部的峰面隔開，及填補多個凹部而形成多層膜疊層。第一薄膜和部分第二薄膜被去除而形成多個彼此隔開的第二材料製成的凸部於基材上。
简体摘要：本发明系有关一种将基材图案化之方法，包括由设置于基材上的第一材料形成第一薄膜，其具有包括多个凸部的原先图案。凸部从谷面延伸而终于峰面，界定介于其间的高度。部分第一薄膜重叠谷面而界定谷部。谷部被去除而暴露出重叠谷部的基材一区，其界定多个凹部。第二材料系设置于该第一薄膜上来形成第二薄膜，其具有表面从该等多个凸部的峰面隔开，及填补多个凹部而形成多层膜叠层。第一薄膜和部分第二薄膜被去除而形成多个彼此隔开的第二材料制成的凸部于基材上。

7. 发明专利

TW201800326A 用於具微機電系統元件之結構审中-公开
简体标题：用于具微机电系统组件之结构
公开(公告)号：TW201800326A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106107028
申请日：2017-03-03
申请人：索泰克公司 , SOITEC
发明人：奇斯蘭布魯諾 , GHYSELEN, BRUNO
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00801 , B81B7/0025 , B81B2203/0127 , B81B2207/015 , B81C1/00182 , B81C1/00626 , B81C2201/056
摘要：本發明與一種用於製作一結構之方法有關，該方法包括： a) 提供包含一前表面及一後表面之一施體底材； b) 提供一支撐底材； c) 在該施體底材之前表面上或在該支撐底材上形成一中間層； d) 接合該施體底材及該支撐底材，以使該中間層設置在所述二底材之間；及 e) 薄化該施體底材之後表面，以形成具有用厚度之一有用層，該有用層具有設置在該中間層上之一第一表面，以及一第二自由表面；該方法之特徵在於：該施體底材包含一埋置停止層，以及介於該施體底材之前表面與該停止層間之一薄主動層，該薄主動層具有小於所述有用厚度之一第一厚度；且在步驟e)之後，該方法包括移除在該結構之第一區域中，由該有用層之第二自由表面及該停止層所劃定界限之一厚主動層。
简体摘要：本发明与一种用于制作一结构之方法有关，该方法包括： a) 提供包含一前表面及一后表面之一施体底材； b) 提供一支撑底材； c) 在该施体底材之前表面上或在该支撑底材上形成一中间层； d) 接合该施体底材及该支撑底材，以使该中间层设置在所述二底材之间；及 e) 薄化该施体底材之后表面，以形成具有用厚度之一有用层，该有用层具有设置在该中间层上之一第一表面，以及一第二自由表面；该方法之特征在于：该施体底材包含一埋置停止层，以及介于该施体底材之前表面与该停止层间之一薄主动层，该薄主动层具有小于所述有用厚度之一第一厚度；且在步骤e)之后，该方法包括移除在该结构之第一区域中，由该有用层之第二自由表面及该停止层所划定界限之一厚主动层。

9. 发明专利

TWI356451B 適合用於在矽（ＳＩ）中產生方形切塊之濕式蝕刻及所獲得之結構 WET ETCH SUITABLE FOR CREATING SQUARE CUTS IN SI AND RESULTING STRUCTURES 有权
简体标题：适合用于在硅（ＳＩ）中产生方形切块之湿式蚀刻及所获得之结构 WET ETCH SUITABLE FOR CREATING SQUARE CUTS IN SI AND RESULTING STRUCTURES
公开(公告)号：TWI356451B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：TW096119774
申请日：2007-06-01
申请人：美光科技公司
发明人：李宏奇 , 傑諾斯法斯科 , 大衛H 威爾斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30608 , B81B2203/033 , B81B2203/0338 , B81C1/00626 , C30B29/06 , C30B33/10
摘要：本發明係關於一種單晶矽蝕刻方法，其包括提供一其中具有至少一個溝槽之單晶矽基板。將該基板暴露至一緩衝氟化物蝕刻溶液，該溶液底切矽以在沿方向圖案化時提供橫向承架。當沿方向圖案化時，所獲得之結構包括一底切形貌。
简体摘要：本发明系关于一种单晶硅蚀刻方法，其包括提供一其中具有至少一个沟槽之单晶硅基板。将该基板暴露至一缓冲氟化物蚀刻溶液，该溶液底切硅以在沿<100>方向图案化时提供横向承架。当沿<100>方向图案化时，所获得之结构包括一底切形貌。

10. 发明专利

TW201003775A 矽結構之製造方法、矽結構之製造裝置及矽結構之製造程式审中-公开
简体标题：硅结构之制造方法、硅结构之制造设备及硅结构之制造进程
公开(公告)号：TW201003775A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098113302
申请日：2009-04-22
申请人：住友精密工業股份有限公司
发明人：野澤善幸 , 山本孝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81C1/00619 , B81B2203/033 , B81C1/00531 , B81C1/00626 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , H01L21/3065 , H01L21/30655
摘要：一種矽結構之製造方法，係在利用所謂氣體切換所形成的乾蝕刻步驟中，使用高速蝕刻條件進行蝕刻步驟(a)，並且在讓矽範圍中蝕刻速度最快之位置蝕刻到前述蝕刻截止層之前，歷經使用從高速蝕刻條件之蝕刻速度隨時間經過而減緩蝕刻速度之過渡蝕刻條件的蝕刻步驟(b)，再使用具有過渡蝕刻條件當中蝕刻速度最緩慢之蝕刻速度之低速蝕刻條件，來對前述矽範圍蝕刻之步驟(c)。據此，可在具有蝕刻截止層之矽異向性乾蝕刻中，同時達成高度的垂直性與良好之側璧形狀。
简体摘要：一种硅结构之制造方法，系在利用所谓气体切换所形成的干蚀刻步骤中，使用高速蚀刻条件进行蚀刻步骤(a)，并且在让硅范围中蚀刻速度最快之位置蚀刻到前述蚀刻截止层之前，历经使用从高速蚀刻条件之蚀刻速度随时间经过而减缓蚀刻速度之过渡蚀刻条件的蚀刻步骤(b)，再使用具有过渡蚀刻条件当中蚀刻速度最缓慢之蚀刻速度之低速蚀刻条件，来对前述硅范围蚀刻之步骤(c)。据此，可在具有蚀刻截止层之硅异向性干蚀刻中，同时达成高度的垂直性与良好之侧璧形状。

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