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1. 发明专利

TW200849816A 表面聲波裝置及雙工器 SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND DUPLEXER 审中-公开
简体标题：表面声波设备及双工器 SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND DUPLEXER
公开(公告)号：TW200849816A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097113594
申请日：2008-04-15
申请人：富士通媒體裝置股份有限公司 FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED
发明人：田島基行 TAJIMA, MOTOYUKI , 西澤年雄 NISHIZAWA, TOSHIO , 伊形理 IKATA, OSAMU
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02866 , H03H9/6483
摘要：一種表面聲波裝置,其包括一支撐基體、被接合在該支撐基體上的一LiTaO3壓電基體,該LiTaO3壓電基體在其一主要表面在圍繞著一X軸從一Y軸方向到一Z軸方向旋轉43�到53�的一方向上具有一法線方向,及在該壓電基體上形成的一電極圖型。
简体摘要：一种表面声波设备,其包括一支撑基体、被接合在该支撑基体上的一LiTaO3压电基体,该LiTaO3压电基体在其一主要表面在围绕着一X轴从一Y轴方向到一Z轴方向旋转43�到53�的一方向上具有一法线方向,及在该压电基体上形成的一电极图型。

2. 发明专利

TW200820286A 固體電解電容器 SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR 审中-公开
简体标题：固体电解电容器 SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR
公开(公告)号：TW200820286A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096133687
申请日：2007-09-10
申请人：富士通媒體裝置股份有限公司 FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED
发明人：石塚英俊 ISHIZUKA, HIDETOSHI , 水谷敏行 MIZUTANI, TOSHIYUKI , 船橋稔 FUNAHASHI, MINORU , 越後忠幸 ECHIGO, TADAYUKI
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G9/15 , H01G2/06 , H01G9/012 , H01G9/14
摘要：本發明係提供一種可實現良好之耐濕性能且具有低ESR之固體電解電容器。本發明之固體電解電容器包含有:基板,係具有導電性者;電容器元件,係配置於前述基板上者;金屬蓋,係連接於前述基板上,且覆蓋前述電容器元件者;拉出端子,係貫通前述基板並連接於前述電容器元件之陽極,並且具有作為芯材之第1導電性構件、及被覆前述第1導電性構件之第2導電性構件;及絕緣構件,係配置於前述基板與前述拉出端子之間者,且第1導電性構件之導電率高於第2導電性構件之導電率,並且第2導電性構件之熱膨脹係數在絕緣構件之熱膨脹係數以下。
简体摘要：本发明系提供一种可实现良好之耐湿性能且具有低ESR之固体电解电容器。本发明之固体电解电容器包含有:基板,系具有导电性者;电容器组件,系配置于前述基板上者;金属盖,系连接于前述基板上,且覆盖前述电容器组件者;拉出端子,系贯通前述基板并连接于前述电容器组件之阳极,并且具有作为芯材之第1导电性构件、及被覆前述第1导电性构件之第2导电性构件;及绝缘构件,系配置于前述基板与前述拉出端子之间者,且第1导电性构件之导电率高于第2导电性构件之导电率,并且第2导电性构件之热膨胀系数在绝缘构件之热膨胀系数以下。

3. 发明专利

TW200733182A 微結構之製造方法及微結構 MICROSTRUCTURE MANUFACTURING METHOD AND MICROSTRUCTURE 审中-公开
简体标题：微结构之制造方法及微结构 MICROSTRUCTURE MANUFACTURING METHOD AND MICROSTRUCTURE
公开(公告)号：TW200733182A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW096102301
申请日：2007-01-22
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED , 富士通媒體裝置股份有限公司 FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED
发明人：中谷忠司 NAKATANI, TADASHI , 阮俊英 NGUYEN, TUAN ANH , 上田知史 UEDA, SATOSHI , 米澤遊 YONEZAWA, YU , 三島直之 MISHIMA, NAOYUKI
IPC分类号： H01L , B81B
CPC分类号： B81C1/00944
摘要：一種適於避免黏貼現象的微結構,包括一個基底、一個連接到該基底的第一結構部份、和一個與該基底相對且具有一個固定到該第一結構部份之固定末端的第二結構部份。如此的微結構是藉著一種方法來完成,該方法包括處理一個材料基體的步驟,該材料基體具有一個由一個第一層、一個第二層、和一個在該第一與第二層之間之中間層製成的堆疊結構。藉著這方法,該第一層是形成有該第一結構部份、該具有被固定到該第一結構部份之固定末端的第二結構部份、和一個橋接該第一和第二結構部份的支撐樑。其後,濕蝕刻被執行俾可把在該第二層與該第二結構部份之間之中間層的一個區域移去,接著一個乾燥步驟和一個相對於該支撐樑的切割步驟是被執行。
简体摘要：一种适于避免黏贴现象的微结构,包括一个基底、一个连接到该基底的第一结构部份、和一个与该基底相对且具有一个固定到该第一结构部份之固定末端的第二结构部份。如此的微结构是借着一种方法来完成,该方法包括处理一个材料基体的步骤,该材料基体具有一个由一个第一层、一个第二层、和一个在该第一与第二层之间之中间层制成的堆栈结构。借着这方法,该第一层是形成有该第一结构部份、该具有被固定到该第一结构部份之固定末端的第二结构部份、和一个桥接该第一和第二结构部份的支撑梁。其后,湿蚀刻被运行俾可把在该第二层与该第二结构部份之间之中间层的一个区域移去,接着一个干燥步骤和一个相对于该支撑梁的切割步骤是被运行。

4. 发明专利

TW200709561A 表面聲波裝置 SURFACE ACOUSTIC WAVE APPARATUS 审中-公开
简体标题：表面声波设备 SURFACE ACOUSTIC WAVE APPARATUS
公开(公告)号：TW200709561A
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：TW095106104
申请日：2006-02-13
申请人：富士通媒體裝置股份有限公司 FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED , 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：和田剛一 WADA, KOICHI , 水戶部整一 MITOBE, SEIICHI , 井上將吾 INOUE, SHOGO
IPC分类号： H03H
摘要：一種表面聲波裝置,具有以此高階橫向模式之亂真被抑制及SAW激化强度分配函數不會在傳播方向改變的組構。該表面聲波裝置具有至少一指叉狀轉換器;一區域具有多個相互交插的梳形電極以二個區域被形成,其為一第一重疊區與一第二重疊區以沿著一表面聲波之一傳播方向的重疊長度被加權;該第一重疊區與該第二重疊區在垂直於該表面聲波之傳播方向的方向接觸或重疊;以及在該第一或第二重疊區其中之一中的一重疊長度加權包絡曲線於該表面聲波之該傳播方向具有至少二個或更多的改變點。
简体摘要：一种表面声波设备,具有以此高级横向模式之乱真被抑制及SAW激化强度分配函数不会在传播方向改变的组构。该表面声波设备具有至少一指叉状转换器;一区域具有多个相互交插的梳形电极以二个区域被形成,其为一第一重叠区与一第二重叠区以沿着一表面声波之一传播方向的重叠长度被加权;该第一重叠区与该第二重叠区在垂直于该表面声波之传播方向的方向接触或重叠;以及在该第一或第二重叠区其中之一中的一重叠长度加权包络曲线于该表面声波之该传播方向具有至少二个或更多的改变点。

5. 发明专利

TW200308143A 表面聲波裝置 SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE 审中-公开
简体标题：表面声波设备 SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
公开(公告)号：TW200308143A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092103683
申请日：2003-02-21
申请人：富士通媒體裝置股份有限公司 FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED
发明人：西澤年雄 TOSHIO NISHIZAWA , 八反田朋夏 TOMOKA HATTANDA
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H03H9/25 , H03H9/6483
摘要：在一將表面聲波共振器連接成梯形之表面聲波裝置中，使並聯共振器（P1～P3）之梳形驅動電極（10）周期有2種以上且串聯共振器（S1～S3）之梳形驅動電極周期有2種以上，並令設置於梳形驅動電極兩側之反射電極（12，14）周期與該梳形驅動電極周期相異，又使並聯共振器之靜電容量具2種以上且串聯共振器之靜電容量具2種以上者。
简体摘要：在一将表面声波共振器连接成梯形之表面声波设备中，使并联共振器（P1～P3）之梳形驱动电极（10）周期有2种以上且串联共振器（S1～S3）之梳形驱动电极周期有2种以上，并令设置于梳形驱动电极两侧之反射电极（12，14）周期与该梳形驱动电极周期相异，又使并联共振器之静电容量具2种以上且串联共振器之静电容量具2种以上者。

6. 发明专利

TW200306702A 表面聲波裝置 SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE 审中-公开
简体标题：表面声波设备 SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
公开(公告)号：TW200306702A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW092108014
申请日：2003-04-08
申请人：富士通媒體裝置股份有限公司 FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED
发明人：川內治 OSAMU KAWACHI , 田島基行 MOTOYUKI TAJIMA , 阿部卓也 TAKUYA ABE
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H03H9/0042 , H03H9/0028 , H03H9/0061 , H03H9/02992 , H03H9/14591
摘要：本發明之目的在於在表面聲波裝置中，改善平衡輸入端子或平衡輸出端子之相位差平衡，且抑制通過頻帶之副振動信號。本發明之表面聲波裝置具有一壓電基板以及配置於前述壓電基板之表面聲波傳送路徑上，並分別由至少一個以上之交叉指狀電極所構成之輸入用交叉指狀電極及輸出用交叉指狀電極，當令前述輸入用交叉指狀電極或輸出用交叉指狀電極之電極指之交叉幅度為X時，前述輸出用交叉指狀電極或輸入用交叉指狀電極具有2個交叉幅度分別約為X／2之電極指之分割交叉指狀電極；而前述2個分割交叉指狀電極之電極指之電極自前述2個分割交叉指狀電極拉出，而配置成使連接於平衡端子對之2個輸出或輸入信號之相位相差180°，且，前述2個分割交叉指狀電極藉具有較前述2個分割交叉指狀電極之電極指間距之2倍大的電極幅度之板狀共通電極串聯，而前述共通電極係連接於接地電位。
简体摘要：本发明之目的在于在表面声波设备中，改善平衡输入端子或平衡输出端子之相位差平衡，且抑制通过频带之副振动信号。本发明之表面声波设备具有一压电基板以及配置于前述压电基板之表面声波发送路径上，并分别由至少一个以上之交叉指状电极所构成之输入用交叉指状电极及输出用交叉指状电极，当令前述输入用交叉指状电极或输出用交叉指状电极之电极指之交叉幅度为X时，前述输出用交叉指状电极或输入用交叉指状电极具有2个交叉幅度分别约为X／2之电极指之分割交叉指状电极；而前述2个分割交叉指状电极之电极指之电极自前述2个分割交叉指状电极拉出，而配置成使连接于平衡端子对之2个输出或输入信号之相位相差180°，且，前述2个分割交叉指状电极藉具有较前述2个分割交叉指状电极之电极指间距之2倍大的电极幅度之板状共通电极串联，而前述共通电极系连接于接地电位。

7. 发明专利

TW200303988A 加速度感測器 ACCELERATION SENSOR 失效
简体标题：加速度传感器 ACCELERATION SENSOR
公开(公告)号：TW200303988A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW092103813
申请日：2003-02-24
申请人：富士通媒體裝置股份有限公司 FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED
发明人：田中浩 HIROSHI TANAKA , 谷內雅紀 MASANORI YACHI , 加藤隆志 TAKASHI KATO , 石川寬 HIROSHI ISHIKAWA
IPC分类号： G01P
CPC分类号： G01P15/09 , G01P15/0915
摘要：本發明之加速度感測器係具有一重量塊(12)與一於該重量塊之重心位置支持該重量塊之振動子(10)。重量塊一受到加速度，於振動子就會產生對應於加速度之應力。振動子由於設置成支持重量塊的重心位置狀，故角加速度與並進加速度等加速度與產生之電荷的大小與極性，就有特定的關係成立。利用此關係，可輕易檢測出不同的加速度。
简体摘要：本发明之加速度传感器系具有一重量块(12)与一于该重量块之重心位置支持该重量块之振动子(10)。重量块一受到加速度，于振动子就会产生对应于加速度之应力。振动子由于设置成支持重量块的重心位置状，故角加速度与并进加速度等加速度与产生之电荷的大小与极性，就有特定的关系成立。利用此关系，可轻易检测出不同的加速度。

8. 发明专利

TW461178B 倒裝晶片安裝用表面聲波裝置失效
简体标题：倒装芯片安装用表面声波设备
公开(公告)号：TW461178B
公开(公告)日：2001-10-21
申请号：TW089115022
申请日：2000-07-27
申请人：富士通媒體裝置股份有限公司
发明人：三澤清秀 , 川內治 , 古里博之 , 上田政則
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H03H9/6469 , H01L2224/16225 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/6483 , H03H9/725
摘要：一種SAW裝置包含一組壓電基片以及一組固持壓電基片之封裝個體，其中該封裝個體包含以朝下狀態攜帶壓電基片之底部部份以及側向地圍繞壓電基片之側壁部份，該底部部份攜帶在壓電基片上面用以電氣連接一組電極圖型之一組接線圖型，該接線圖型包含具有互相分離關係之一組第一接地圖型以及一組第二接地圖型,該第一接地圖型以及第二接地圖型彼此電氣地被連接。
简体摘要：一种SAW设备包含一组压电基片以及一组固持压电基片之封装个体，其中该封装个体包含以朝下状态携带压电基片之底部部份以及侧向地围绕压电基片之侧壁部份，该底部部份携带在压电基片上面用以电气连接一组电极图型之一组接线图型，该接线图型包含具有互相分离关系之一组第一接地图型以及一组第二接地图型,该第一接地图型以及第二接地图型彼此电气地被连接。

9. 发明专利

TWI234006B 含被傳導性隔件所隔開之鏡基材與佈線基材之微鏡單元 MICRO MIRROR UNIT INCLUDING MIRROR SUBSTRATE AND WIRING SUBSTRATE SPACED BY CONDUCTIVE SPACER 失效
简体标题：含被传导性隔件所隔开之镜基材与布线基材之微镜单元 MICRO MIRROR UNIT INCLUDING MIRROR SUBSTRATE AND WIRING SUBSTRATE SPACED BY CONDUCTIVE SPACER
公开(公告)号：TWI234006B
公开(公告)日：2005-06-11
申请号：TW092100023
申请日：2003-01-02
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED , 富士通媒體裝置股份有限公司 FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED
发明人：曾根田弘光 HIROMITSU SONEDA , 上田知史 SATOSHI UEDA , 奧田久雄 HISAO OKUDA , 佐一平 IPPEI SAWAKI , 壺井修 OSAMU TSUBOI , 水野義博 YOSHIHIRO MIZUNO , 高馬悟覺 NORINAO KOUMA , 中村義孝 YOSHITAKA NAKAMURA , 山岸文雄 FUMIO YAMAGISHI
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/3518 , G02B6/3556 , G02B6/357 , G02B6/3584 , G02B6/4232 , G02B26/0841 , Y10S359/904
摘要：一種微鏡單元包括一微鏡基材、一佈線基材、以及一電傳導性隔件設置於此二基材間。微鏡單元包括一活動元件、一框以及一扭桿連結該活動元件至該框。活動元件設置有個鏡成形部。佈線基材成形有佈線圖案。導電隔件電性連結該框至該佈線圖案，同時也提供一個空間介於該微鏡基材與該佈線基材間。
简体摘要：一种微镜单元包括一微镜基材、一布线基材、以及一电传导性隔件设置于此二基材间。微镜单元包括一活动组件、一框以及一扭杆链接该活动组件至该框。活动组件设置有个镜成形部。布线基材成形有布线图案。导电隔件电性链接该框至该布线图案，同时也提供一个空间介于该微镜基材与该布线基材间。

10. 发明专利

TW200404314A 晶片型固體電解電容器审中-公开
简体标题：芯片型固体电解电容器
公开(公告)号：TW200404314A
公开(公告)日：2004-03-16
申请号：TW092116110
申请日：2003-06-13
申请人：富士通媒體裝置股份有限公司 FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED
发明人：下田圭吾 KEIGO SHIMODA , 工藤真明 MASAAKI KUDO
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G9/012 , H01G9/042
摘要：本發明係提供一種具有更大靜電容且容易進行極性判別之晶片型固體電解電容器，其係連接至電容器元件(1)之陽極與陰極的導出引線端子(3，5)之各個突出部(3b，5b)沿著模製外裝樹脂成形體(7)之壁面彎曲者，其特徵在於：來自前述陽極引線端子(3)與前述陰極引線端子(5)之前述模製外裝樹脂成形體(7)之各個突出部面並非位在同一平面上，並具有高度差，且前述陽極引線端子(3)與前述陰極引線端子(5)中之各個前述突出部之垂直方向之長度A、B係相異的。
简体摘要：本发明系提供一种具有更大静电容且容易进行极性判别之芯片型固体电解电容器，其系连接至电容器组件(1)之阳极与阴极的导出引线端子(3，5)之各个突出部(3b，5b)沿着模制外装树脂成形体(7)之壁面弯曲者，其特征在于：来自前述阳极引线端子(3)与前述阴极引线端子(5)之前述模制外装树脂成形体(7)之各个突出部面并非位在同一平面上，并具有高度差，且前述阳极引线端子(3)与前述阴极引线端子(5)中之各个前述突出部之垂直方向之长度A、B系相异的。

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