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1. 发明专利

TW434094B 研磨劑及半導體基板之拋光方法失效
简体标题：研磨剂及半导体基板之抛光方法
公开(公告)号：TW434094B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW087107010
申请日：1998-05-06
申请人：東芝股份有限公司 , 德山股份有限公司
发明人：宮下直人 , 南良宏 , 土井建治 , 高安淳 , 河野博之 , 加藤寬 , 林和彥
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/0056 , B24B37/044 , B24D3/20 , B24D3/344 , C09G1/02 , H01L21/3212
摘要：含有以二氧化矽粒子作為主成分之拋光粒子，及水所組成之溶媒，及水溶性纖維素，使用將水溶性纖維素之濃度作為C重量%時，鹼金屬雜質之含有量為5Cppm以下的研磨劑，介經實行拋光，在基板或被拋光膜不會受傷，不會產生杯狀變形(dishing)等，能實行半導體晶圓之平坦化。
简体摘要：含有以二氧化硅粒子作为主成分之抛光粒子，及水所组成之溶媒，及水溶性纤维素，使用将水溶性纤维素之浓度作为C重量%时，碱金属杂质之含有量为5Cppm以下的研磨剂，介经实行抛光，在基板或被抛光膜不会受伤，不会产生杯状变形(dishing)等，能实行半导体晶圆之平坦化。

2. 发明专利

TW200418965A 半導體裝置之研磨劑及使用研磨劑之半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之研磨剂及使用研磨剂之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200418965A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092121990
申请日：2003-08-11
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：高安淳
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/31053 , C09K3/1436
摘要：本發明係提供一種半導體裝置之研磨劑及半導體裝置之製造方法，以減少刻痕的產生，並抑制研磨速率的降低。該半導體裝量之研磨劑含有以二氧化鈰為主要成份之二氧化鈰粒子11及覆蓋於二氧化鈰粒子11表面之二氧化矽粒子12。
简体摘要：本发明系提供一种半导体设备之研磨剂及半导体设备之制造方法，以减少刻痕的产生，并抑制研磨速率的降低。该半导体装量之研磨剂含有以二氧化铈为主要成份之二氧化铈粒子11及覆盖于二氧化铈粒子11表面之二氧化硅粒子12。

3. 发明专利

TWI245336B 使用樹脂粒子之半導體基板上之有機膜之研磨方法及研磨液有权
简体标题：使用树脂粒子之半导体基板上之有机膜之研磨方法及研磨液
公开(公告)号：TWI245336B
公开(公告)日：2005-12-11
申请号：TW092126661
申请日：2003-09-26
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：高安淳 , 村上聰志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66181 , C09G1/02 , H01L21/02112 , H01L21/02271 , H01L21/31058 , H01L21/312
摘要：本發明之目的係提供一種有機膜之研磨方法及適用於其之研磨液，其中該研磨方法係可不損傷半導體基板上之被研磨對象之有機膜的底層而研磨有機膜，並將表面平坦化。本發明於使用包含樹脂粒子之研磨液，化學機械研磨半導體基板上之為有機膜之抗蝕劑13之際，將較樹脂粒子硬質之ASG膜12形成於抗蝕劑13之底層，並使用樹脂粒子之粒徑設定較溝穴DT之開口部尺寸1d為大之研磨液，可防止侵蝕、刮痕、或填塞。
简体摘要：本发明之目的系提供一种有机膜之研磨方法及适用于其之研磨液，其中该研磨方法系可不损伤半导体基板上之被研磨对象之有机膜的底层而研磨有机膜，并将表面平坦化。本发明于使用包含树脂粒子之研磨液，化学机械研磨半导体基板上之为有机膜之抗蚀剂13之际，将较树脂粒子硬质之ASG膜12形成于抗蚀剂13之底层，并使用树脂粒子之粒径设置较沟穴DT之开口部尺寸1d为大之研磨液，可防止侵蚀、刮痕、或填塞。

4. 发明专利

TW200416860A 使用樹脂粒子之半導體基板上之有機膜之研磨方法及研磨液审中-公开
简体标题：使用树脂粒子之半导体基板上之有机膜之研磨方法及研磨液
公开(公告)号：TW200416860A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092126661
申请日：2003-09-26
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：高安淳 , 村上聰志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66181 , C09G1/02 , H01L21/02112 , H01L21/02271 , H01L21/31058 , H01L21/312
摘要：本發明之目的係提供一種有機膜之研磨方法及適用於其之研磨液，其中該研磨方法係可不損傷半導體基板上之被研磨對象之有機膜的底層而研磨有機膜，並將表面平坦化。本發明於使用包含樹脂粒子之研磨液，化學機械研磨半導體基板上之為有機膜之抗蝕劑13之際，將較樹脂粒子硬質之ASG膜12形成於抗蝕劑13之底層，並使用樹脂粒子之粒徑設定較溝穴DT之開口部尺寸1d為大之研磨液，可防止侵蝕、刮痕、或填塞。
简体摘要：本发明之目的系提供一种有机膜之研磨方法及适用于其之研磨液，其中该研磨方法系可不损伤半导体基板上之被研磨对象之有机膜的底层而研磨有机膜，并将表面平坦化。本发明于使用包含树脂粒子之研磨液，化学机械研磨半导体基板上之为有机膜之抗蚀剂13之际，将较树脂粒子硬质之ASG膜12形成于抗蚀剂13之底层，并使用树脂粒子之粒径设置较沟穴DT之开口部尺寸1d为大之研磨液，可防止侵蚀、刮痕、或填塞。

5. 发明专利

TW442442B 電解離子水製造裝置、電解離子水之製造方法及使用電解離子水之洗淨方法失效
简体标题：电解离子水制造设备、电解离子水之制造方法及使用电解离子水之洗净方法
公开(公告)号：TW442442B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW086114159
申请日：1997-09-27
申请人：東芝股份有限公司
发明人：高安淳 , 官下直人
IPC分类号： C02F , H01L
CPC分类号： C02F1/4618 , C02F1/001 , C02F1/46109 , C02F2001/46138 , C02F2201/46115 , C02F2201/4618
摘要：為了達到上述目的本發明提供一種基板處理用電解離子水製造裝置，其特徵係具備，具有以多孔質膜分隔之陽極室及陰極室的電解槽;收納於前述陽極室之第l之碳電極；收納於前述陰極室之第2之碳電極;支持電解質溶於超水或超純水之電解質溶液供給前述電解槽的手段；前述第l及2之碳電極間外加直流電壓的手段；藉此前述電解質溶液被電解，陽極室及陰極室中分別生成氧化性離子水，還原性離子水之由前述陽極室將氧化性離子水排出之第 l的排出口;及由前述陰極室將還原性離子水排出之第2的排出口。
简体摘要：为了达到上述目的本发明提供一种基板处理用电解离子水制造设备，其特征系具备，具有以多孔质膜分隔之阳极室及阴极室的电解槽;收纳于前述阳极室之第l之碳电极；收纳于前述阴极室之第2之碳电极;支持电解质溶于超水或超纯水之电解质溶液供给前述电解槽的手段；前述第l及2之碳电极间外加直流电压的手段；借此前述电解质溶液被电解，阳极室及阴极室中分别生成氧化性离子水，还原性离子水之由前述阳极室将氧化性离子水排出之第 l的排出口;及由前述阴极室将还原性离子水排出之第2的排出口。

6. 发明专利

TW368696B 半導體裝置之製造方法及半導體製造裝置失效
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体制造设备
公开(公告)号：TW368696B
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：TW085115767
申请日：1996-12-20
申请人：東芝股份有限公司
发明人：下村麻里子 , 宮下直人 , 高安淳
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051 , B24B37/042 , C09G1/02
摘要：提供一種在半導體基板之ＣＭＰ處理中有效的後續處理方法及實施該方法所用的半導體製造裝置。
具有將漿一面供應於半導體基板表面一面藉由研磨布拋光該半導體基板表面之被拋光膜的工程，及在該拋光終了之時刻停止漿之供應，調整附著於上述半導體基板表面的上述漿之研磨粒子所具有之電能勢與上述被拋光膜所具有之電能勢成為相同極性的工程。半導體基板與含於漿中之研磨粒子之電能勢成為相同極性。而且儘量將電能勢值之絕對值接近地調整離子水之ｐＨ，因而不損及拋光速率及均勻性，防止研磨粒子對於半導體基板表面之吸附，實現其低塵埃化。
简体摘要：提供一种在半导体基板之ＣＭＰ处理中有效的后续处理方法及实施该方法所用的半导体制造设备。具有将浆一面供应于半导体基板表面一面借由研磨布抛光该半导体基板表面之被抛光膜的工程，及在该抛光终了之时刻停止浆之供应，调整附着于上述半导体基板表面的上述浆之研磨粒子所具有之电能势与上述被抛光膜所具有之电能势成为相同极性的工程。半导体基板与含于浆中之研磨粒子之电能势成为相同极性。而且尽量将电能势值之绝对值接近地调整离子水之ｐＨ，因而不损及抛光速率及均匀性，防止研磨粒子对于半导体基板表面之吸附，实现其低尘埃化。

7. 发明专利

TW323306B 電解水之產生方法和產生裝置、及半導體基板洗淨裝置失效
简体标题：电解水之产生方法和产生设备、及半导体基板洗净设备
公开(公告)号：TW323306B
公开(公告)日：1997-12-21
申请号：TW085105083
申请日：1996-04-29
申请人：東芝股份有限公司
发明人：川口美紀子 , 宮下直人 , 高安淳
IPC分类号： C02F , H01L , C25B
CPC分类号： C02F1/4618 , C02F1/461 , C02F1/688 , C02F9/00 , C02F2103/02 , Y10S134/902
摘要：本發明，係例如，關於用以洗淨半導體基板的超純水之電解產生方法及其產生裝置。
本發明之目的，係提供能夠不損傷半導體基板，減低在洗淨過程之運轉成本及排水的無公害化，提高作業環境之安全性的用以將純水或超純水電解之固體的支持電解質。
用以產生電解水之支持電解質，係從草酸，草酸銨，蟻酸銨，碳酸氫銨，酒石酸銨之中選擇的至少１種而成。在溶解槽５形成草酸的飽和溶液，在溶液槽６把該草酸之飽和溶液２１混合在純水或超純水成為草酸的稀釋溶液，將之電解所以容易控制濃度。因具有優異的去除污染能力，故用以洗淨矽半導體基板。
简体摘要：本发明，系例如，关于用以洗净半导体基板的超纯水之电解产生方法及其产生设备。本发明之目的，系提供能够不损伤半导体基板，减低在洗净过程之运转成本及排水的无公害化，提高作业环境之安全性的用以将纯水或超纯水电解之固体的支持电解质。用以产生电解水之支持电解质，系从草酸，草酸铵，蚁酸铵，碳酸氢铵，酒石酸铵之中选择的至少１种而成。在溶解槽５形成草酸的饱和溶液，在溶液槽６把该草酸之饱和溶液２１混合在纯水或超纯水成为草酸的稀释溶液，将之电解所以容易控制浓度。因具有优异的去除污染能力，故用以洗净硅半导体基板。

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