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1. 发明专利

TWI313035B 矽晶圓及矽晶圓之製造方法有权
简体标题：硅晶圆及硅晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI313035B
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW091135701
申请日：2002-12-10
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：伊賀久雄 , 北川悟
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3221 , H01L21/3225
摘要： [課題]:附加有氮摻雜處理的IG與EG發生去疵能力不足的情形,此問題至今仍未解決。
[解決手段]:對於矽晶圓1'施加氮摻雜處理與外部去疵(EG)處理(例如,形成多晶矽層3的處理)。因此,在裝置步驟中,即使在曝露於重金屬離子(所謂銅、鎳)的熱處理的過程中,內部法疵(IG)起作用,能捕獲銅、鎳。另,為了形成應變層的多晶矽層3,依照外部去疵(EG)的作用,以多晶矽層3作捕獲點能捕獲鐵、銅。
简体摘要： [课题]:附加有氮掺杂处理的IG与EG发生去疵能力不足的情形,此问题至今仍未解决。 [解决手段]:对于硅晶圆1'施加氮掺杂处理与外部去疵(EG)处理(例如,形成多晶硅层3的处理)。因此,在设备步骤中,即使在曝露于重金属离子(所谓铜、镍)的热处理的过程中,内部法疵(IG)起作用,能捕获铜、镍。另,为了形成应变层的多晶硅层3,依照外部去疵(EG)的作用,以多晶硅层3作捕获点能捕获铁、铜。

2. 发明专利

TW200923144A 半導體單結晶製造裝置之位置量測裝置及位置量測方法审中-公开
简体标题：半导体单结晶制造设备之位置量测设备及位置量测方法
公开(公告)号：TW200923144A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097124858
申请日：2008-07-02
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：林田男 HAYASHIDA TOSHIO , 木原亞由美 KIHARA AYUMI , 三谷直司 MITANI NAOJI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/14 , C30B29/06
摘要：【【課題】】即使在短時間內以高作業效率進行熱遮蔽體的邊緣位置的位置量測處理,仍可精度良好且沒有變動地量測邊緣位置。【【解決手段】】以第1掃瞄間隔��1進行距離測定,同時進行第1判斷處理,結果,在可判斷為邊緣位置的量測距離d被判斷為變化時,此次使光掃瞄位置��沿著掃瞄方向A之反方向B(或者沿著掃瞄方向B之反方向A)返回預定量097124858P01.bmp,從返回的光掃瞄位置��rs起再度掃瞄雷射光101,並以比第1掃瞄間隔��1短的第2掃瞄間隔��2進行距離量測,同時進行第2判斷處理,結果,在判斷出可判斷為邊緣位置的量測距離d變化時,最終地判定在其變化被判斷之時點的光掃瞄位置��c,雷射光101被熱遮蔽體8的框邊8a的邊緣8e反射。
简体摘要：【【课题】】即使在短时间内以高作业效率进行热屏蔽体的边缘位置的位置量测处理,仍可精度良好且没有变动地量测边缘位置。【【解决手段】】以第1扫瞄间隔��1进行距离测定,同时进行第1判断处理,结果,在可判断为边缘位置的量测距离d被判断为变化时,此次使光扫瞄位置��沿着扫瞄方向A之反方向B(或者沿着扫瞄方向B之反方向A)返回预定量097124858P01.bmp,从返回的光扫瞄位置��rs起再度扫瞄激光光101,并以比第1扫瞄间隔��1短的第2扫瞄间隔��2进行距离量测,同时进行第2判断处理,结果,在判断出可判断为边缘位置的量测距离d变化时,最终地判定在其变化被判断之时点的光扫瞄位置��c,激光光101被热屏蔽体8的框边8a的边缘8e反射。

3. 发明专利

TW200915410A 半導體晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW200915410A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097127323
申请日：2008-07-18
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：高井宏 , 里村健治 , 中吉雄一 , 山本勝利 , 溝浩二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/08
摘要： [課題]提供能確保半導體晶圓的高平坦度,且能提升邊緣區域的半導體晶圓利用率的半導體晶圓之製造方法。[解決手段]利用具備有:收納著半導體晶圓S的承載器50、以及包夾該承載器50的上平板10與下平板20之雙面研磨機1,對上述半導體晶圓S的表背面同時施行研磨加工的半導體晶圓之製造方法,包括:將半導體晶圓S的厚度尺寸設為較承載器50的厚度尺寸大出0��m以上且5��m以下範圍內,並收納於承載器50中,對半導體晶圓S的面及平板10、20的面之間供應研磨漿,並施行研磨的研磨步驟;在研磨步驟中,將半導體晶圓的裕度,雙面均設定在5��m以下。
简体摘要： [课题]提供能确保半导体晶圆的高平坦度,且能提升边缘区域的半导体晶圆利用率的半导体晶圆之制造方法。[解决手段]利用具备有:收纳着半导体晶圆S的承载器50、以及包夹该承载器50的上平板10与下平板20之双面研磨机1,对上述半导体晶圆S的表背面同时施行研磨加工的半导体晶圆之制造方法,包括:将半导体晶圆S的厚度尺寸设为较承载器50的厚度尺寸大出0��m以上且5��m以下范围内,并收纳于承载器50中,对半导体晶圆S的面及平板10、20的面之间供应研磨浆,并施行研磨的研磨步骤;在研磨步骤中,将半导体晶圆的裕度,双面均设置在5��m以下。

4. 发明专利

TWI307924B 用以預測矽基板中之內部捕獲活動的方法及儲存用以預測該活動之程式的儲存媒體有权
简体标题：用以预测硅基板中之内部捕获活动的方法及存储用以预测该活动之进程的存储媒体
公开(公告)号：TWI307924B
公开(公告)日：2009-03-21
申请号：TW095119385
申请日：2006-06-01
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：中村浩三 KOZO NAKAMURA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要：在包含實用的捕獲熱處理溫度及氧析出物密度範圍之所有條件下,可以無須執行實際測量,而能夠正確地預測內部捕獲活動。因此,可以正確地在短時間內,經濟地執行內部捕獲能的評估。
使用矽基板中污染重金屬的初期污染濃度Cini、氧析出物的密度N、氧析出物的半徑、內部捕獲熱處理溫度T、內部捕獲熱處理時間t、熱處理後矽基板中殘留之鐵的濃度C(t)之間成立的演算式,預測矽基板中之內部捕獲活動時,在氧析出物的表面,產生污染重金屬矽化物核的過程;以及表面上污染重金屬矽化物核產生之後,由氧析出物捕獲污染重金屬的過程,並將演算式加成。本發明可以適用於捕獲除鐵之外的銅、鎳等各種污染重金屬的狀況。例如,預測在矽基板中內部捕獲的活動,求出為了使熱處理後矽基板中殘留污染重金屬的濃度低於所欲之濃度以下,所必須的氧析出物密度N及/或氧析出物半徑R。
简体摘要：在包含实用的捕获热处理温度及氧析出物密度范围之所有条件下,可以无须运行实际测量,而能够正确地预测内部捕获活动。因此,可以正确地在短时间内,经济地运行内部捕获能的评估。使用硅基板中污染重金属的初期污染浓度Cini、氧析出物的密度N、氧析出物的半径、内部捕获热处理温度T、内部捕获热处理时间t、热处理后硅基板中残留之铁的浓度C(t)之间成立的演算式,预测硅基板中之内部捕获活动时,在氧析出物的表面,产生污染重金属硅化物核的过程;以及表面上污染重金属硅化物核产生之后,由氧析出物捕获污染重金属的过程,并将演算式加成。本发明可以适用于捕获除铁之外的铜、镍等各种污染重金属的状况。例如,预测在硅基板中内部捕获的活动,求出为了使热处理后硅基板中残留污染重金属的浓度低于所欲之浓度以下,所必须的氧析出物密度N及/或氧析出物半径R。

5. 发明专利

TW200907121A 單結晶拉引裝置及方法审中-公开
简体标题：单结晶拉引设备及方法
公开(公告)号：TW200907121A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097117388
申请日：2008-05-12
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：海老大輔 , 玉健
IPC分类号： C30B
摘要：【課題】提供一種單結晶拉引裝置及方法,其藉由改善構成冷卻器之冷卻配管系統的構造,而改善避免該冷卻配管系統之破損所伴隨的危險之手段。【解決手段】單結晶拉引裝置1具備有用以冷卻拉引中之單結晶的冷卻器10,冷卻器10包含有冷卻配管系統100,將冷卻水流通之冷卻配管系統100朝單結晶的拉引方向分割成複數個系統而構成,在頂室50具備有破裂板60,其可應付來自冷卻配管系統100的複數個系統之一的漏水。
简体摘要：【课题】提供一种单结晶拉引设备及方法,其借由改善构成冷却器之冷却配管系统的构造,而改善避免该冷却配管系统之破损所伴随的危险之手段。【解决手段】单结晶拉引设备1具备有用以冷却拉引中之单结晶的冷却器10,冷却器10包含有冷却配管系统100,将冷却水流通之冷却配管系统100朝单结晶的拉引方向分割成复数个系统而构成,在顶室50具备有破裂板60,其可应付来自冷却配管系统100的复数个系统之一的漏水。

6. 发明专利

TW200817130A 半導體晶圓之粗研磨方法以及半導體晶圓之研磨裝置审中-公开
简体标题：半导体晶圆之粗研磨方法以及半导体晶圆之研磨设备
公开(公告)号：TW200817130A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096128980
申请日：2007-08-07
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：小佐佐和明 , 川崎智憲 , 三好康介
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： H01L21/02024 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： [課題]本發明係為提供使利用粗研磨工程之半導體晶圓表面的粗糙度穩定化,而能夠有效地進行精研磨工程之半導體晶圓的研磨方法。[解決手段]本發明之使用研磨裝置1,進行半導體晶圓W的粗研磨之半導體晶圓的粗研磨方法,在半導體晶圓W之鏡面精研磨前的粗研磨中,包括:利用來自漿料供給裝置4所供給之含有矽膠的漿料,進行半導體晶圓W的研磨之第1研磨工程;及利用將來自純水供給裝置5所供給的純水與來自鹼原液供給裝置6所供給的鹼原液加以混合之鹼液,進行研磨之第2研磨工程,第2研磨工程中之鹼液的pH値、研磨時間係根據第1研磨工程中之研磨平台2的負荷電流値加以設定。
简体摘要： [课题]本发明系为提供使利用粗研磨工程之半导体晶圆表面的粗糙度稳定化,而能够有效地进行精研磨工程之半导体晶圆的研磨方法。[解决手段]本发明之使用研磨设备1,进行半导体晶圆W的粗研磨之半导体晶圆的粗研磨方法,在半导体晶圆W之镜面精研磨前的粗研磨中,包括:利用来自浆料供给设备4所供给之含有硅胶的浆料,进行半导体晶圆W的研磨之第1研磨工程;及利用将来自纯水供给设备5所供给的纯水与来自碱原液供给设备6所供给的碱原液加以混合之碱液,进行研磨之第2研磨工程,第2研磨工程中之碱液的pH値、研磨时间系根据第1研磨工程中之研磨平台2的负荷电流値加以设置。

7. 发明专利

TW200736420A 承載器及磊晶晶圓之製造裝置审中-公开
简体标题：承载器及磊晶晶圆之制造设备
公开(公告)号：TW200736420A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096104583
申请日：2007-02-08
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：錦戶浩一 , 中村元宜 , 廣澤敦彥 , 飯田昇 , 佐藤憲彥 , 永戶厚 , 龜井利之
IPC分类号： C30B
摘要：提供一種可以抑制位於基板晶圓之表面外周部中磊晶膜之膜厚變異的承載器(susceptor)及磊晶晶圓之製造裝置。於承載器2設置晶圓載置部21與約略環板狀之周緣部22;其中,該晶圓載置部21具有較基板晶圓W大之外形且約略呈圓板狀;其中,在包圍該晶圓載置部21之周緣之狀態下立起之內周面22A、與從該內周面22A之上端沿著該晶圓載置部21之載置面21A向外側延伸而形成之表面22B。在內周面23A仿照周緣部22之內周面22A且表面23B仿照周緣部22之表面22B的狀態下,藉由較SiC被覆膜更能抑制與反應氣體之反應的SiO2而形成並設置氣相沉積控制部23。
简体摘要：提供一种可以抑制位于基板晶圆之表面外周部中磊晶膜之膜厚变异的承载器(susceptor)及磊晶晶圆之制造设备。于承载器2设置晶圆载置部21与约略环板状之周缘部22;其中,该晶圆载置部21具有较基板晶圆W大之外形且约略呈圆板状;其中,在包围该晶圆载置部21之周缘之状态下立起之内周面22A、与从该内周面22A之上端沿着该晶圆载置部21之载置面21A向外侧延伸而形成之表面22B。在内周面23A仿照周缘部22之内周面22A且表面23B仿照周缘部22之表面22B的状态下,借由较SiC被覆膜更能抑制与反应气体之反应的SiO2而形成并设置气相沉积控制部23。

8. 发明专利

TWI310058B 單結晶半導體之製造方法(二) 有权
简体标题：单结晶半导体之制造方法(二)
公开(公告)号：TWI310058B
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：TW093138741
申请日：2004-12-14
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：稻垣宏 , 本間雅規 , 川島茂樹 , 柴田昌弘
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/305 , C30B29/06 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
摘要： [課題] 自熔液牽引成長單結晶半導體之過程中,藉由雜質更均勻地取入單結晶半導體內,使半導體晶圓表面內之雜質濃度不均變小,使晶圓平坦度更加提高。
[解決手段] 於牽引單結晶半導體(6)過程中,藉由抑制牽引速度之變動,使單結晶半導體(6)內雜質濃度不均變小。特別是使牽引速度10秒間之速度變動幅度��V調整到不滿0.025mm/min。而且,當實施調整牽引速度之控制,以使單結晶半導體(6)直徑變成希望的直徑時,施加1500高斯以上强度之磁場到熔液(5)。
简体摘要： [课题] 自熔液牵引成长单结晶半导体之过程中,借由杂质更均匀地取入单结晶半导体内,使半导体晶圆表面内之杂质浓度不均变小,使晶圆平坦度更加提高。 [解决手段] 于牵引单结晶半导体(6)过程中,借由抑制牵引速度之变动,使单结晶半导体(6)内杂质浓度不均变小。特别是使牵引速度10秒间之速度变动幅度��V调整到不满0.025mm/min。而且,当实施调整牵引速度之控制,以使单结晶半导体(6)直径变成希望的直径时,施加1500高斯以上强度之磁场到熔液(5)。

9. 发明专利

TWI305672B 晶圓熱處理用治具以及熱處理後之晶圓有权
简体标题：晶圆热处理用治具以及热处理后之晶圆
公开(公告)号：TWI305672B
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：TW095102193
申请日：2006-01-20
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人： 武久 , 森下隆博
IPC分类号： H01L
摘要：不管在進行哪一溫度領域之熱處理之情況,皆可使融著於晶圓內面之矽屑儘可能小,減低晶圓曝光時之曝光不良。
在複晶矽上形成晶圓支持部。更以鹼系溶液將晶圓支持部的表面腐蝕,使表面粗度(算數平均粗度Ra)變大。
简体摘要：不管在进行哪一温度领域之热处理之情况,皆可使融着于晶圆内面之硅屑尽可能小,减低晶圆曝光时之曝光不良。在复晶硅上形成晶圆支持部。更以碱系溶液将晶圆支持部的表面腐蚀,使表面粗度(算数平均粗度Ra)变大。

10. 发明专利

TW200815628A 單結晶製造裝置及方法审中-公开
简体标题：单结晶制造设备及方法
公开(公告)号：TW200815628A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096128180
申请日：2007-08-01
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：飯田哲 IIDA TETSUHIRO , 松隈伸 MATSUKUMA SHIN
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/14 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要：本發明係使用複數層加熱器的捷可拉斯基單結晶製造裝置,將改善結晶直徑的控制性。為控制結晶直徑而操控拉晶速度。為使拉晶速度能接近既定速度設定値,且使加熱器溫度接近既定溫度目標値,便操控複數層加熱器(16,18)的功率。加熱器(16,18)的功率比率係控制呈與既定功率比率設定値一致狀態。功率比率設定値係配合結晶拉晶長度而進行變化,並隨該變化而使加熱器溫度進行變化,此便將成為直徑控制的擾動。為將該擾動進行補償,便在決定溫度目標値基礎的溫度設定値中,追加隨功率比率設定値變化,所產生的加熱器溫度變化。所以,溫度設定値便將隨功率比率設定値的變化,而變化為適合目前功率比率設定値的數値。
简体摘要：本发明系使用复数层加热器的捷可拉斯基单结晶制造设备,将改善结晶直径的控制性。为控制结晶直径而操控拉晶速度。为使拉晶速度能接近既定速度设置値,且使加热器温度接近既定温度目标値,便操控复数层加热器(16,18)的功率。加热器(16,18)的功率比率系控制呈与既定功率比率设置値一致状态。功率比率设置値系配合结晶拉晶长度而进行变化,并随该变化而使加热器温度进行变化,此便将成为直径控制的扰动。为将该扰动进行补偿,便在决定温度目标値基础的温度设置値中,追加随功率比率设置値变化,所产生的加热器温度变化。所以,温度设置値便将随功率比率设置値的变化,而变化为适合目前功率比率设置値的数値。

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