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1. 发明专利

TW200736420A 承載器及磊晶晶圓之製造裝置审中-公开
简体标题：承载器及磊晶晶圆之制造设备
公开(公告)号：TW200736420A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096104583
申请日：2007-02-08
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：錦戶浩一 , 中村元宜 , 廣澤敦彥 , 飯田昇 , 佐藤憲彥 , 永戶厚 , 龜井利之
IPC分类号： C30B
摘要：提供一種可以抑制位於基板晶圓之表面外周部中磊晶膜之膜厚變異的承載器(susceptor)及磊晶晶圓之製造裝置。於承載器2設置晶圓載置部21與約略環板狀之周緣部22;其中,該晶圓載置部21具有較基板晶圓W大之外形且約略呈圓板狀;其中,在包圍該晶圓載置部21之周緣之狀態下立起之內周面22A、與從該內周面22A之上端沿著該晶圓載置部21之載置面21A向外側延伸而形成之表面22B。在內周面23A仿照周緣部22之內周面22A且表面23B仿照周緣部22之表面22B的狀態下,藉由較SiC被覆膜更能抑制與反應氣體之反應的SiO2而形成並設置氣相沉積控制部23。
简体摘要：提供一种可以抑制位于基板晶圆之表面外周部中磊晶膜之膜厚变异的承载器(susceptor)及磊晶晶圆之制造设备。于承载器2设置晶圆载置部21与约略环板状之周缘部22;其中,该晶圆载置部21具有较基板晶圆W大之外形且约略呈圆板状;其中,在包围该晶圆载置部21之周缘之状态下立起之内周面22A、与从该内周面22A之上端沿着该晶圆载置部21之载置面21A向外侧延伸而形成之表面22B。在内周面23A仿照周缘部22之内周面22A且表面23B仿照周缘部22之表面22B的状态下,借由较SiC被覆膜更能抑制与反应气体之反应的SiO2而形成并设置气相沉积控制部23。

2. 发明专利

TW200809926A 用於在基板上形成膜之裝置及方法审中-公开
简体标题：用于在基板上形成膜之设备及方法
公开(公告)号：TW200809926A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096118939
申请日：2007-05-28
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：廣澤敦彥 , 飯田昇 , 佐藤憲彥 , 永戶厚 , 龜井利之 , 錦戶浩一 , 中村元宜
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/52
摘要：在反應室20A氣體流入口40B內,供給來自多個氣體流路36A的反應氣體。在以氣體流入口40B為中心二分而成之一側範圍內,氣體流路36A個數係為5個以上。鄰接的氣體流路36A間的間距係為10毫米以上。在氣體流路36A上游配置持有多個縫隙穴38A的擋板38。使用定義氣體流路36A各氣體流量及晶圓28上膜成長速度分佈間關係的膜成長靈敏度資料,藉由回歸計算,以分別調整氣體流路36A的氣體流量。
简体摘要：在反应室20A气体流入口40B内,供给来自多个气体流路36A的反应气体。在以气体流入口40B为中心二分而成之一侧范围内,气体流路36A个数系为5个以上。邻接的气体流路36A间的间距系为10毫米以上。在气体流路36A上游配置持有多个缝隙穴38A的挡板38。使用定义气体流路36A各气体流量及晶圆28上膜成长速度分布间关系的膜成长灵敏度数据,借由回归计算,以分别调整气体流路36A的气体流量。

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