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1. 发明专利

TW200915410A 半導體晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW200915410A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097127323
申请日：2008-07-18
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：高井宏 , 里村健治 , 中吉雄一 , 山本勝利 , 溝浩二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/08
摘要： [課題]提供能確保半導體晶圓的高平坦度,且能提升邊緣區域的半導體晶圓利用率的半導體晶圓之製造方法。[解決手段]利用具備有:收納著半導體晶圓S的承載器50、以及包夾該承載器50的上平板10與下平板20之雙面研磨機1,對上述半導體晶圓S的表背面同時施行研磨加工的半導體晶圓之製造方法,包括:將半導體晶圓S的厚度尺寸設為較承載器50的厚度尺寸大出0��m以上且5��m以下範圍內,並收納於承載器50中,對半導體晶圓S的面及平板10、20的面之間供應研磨漿,並施行研磨的研磨步驟;在研磨步驟中,將半導體晶圓的裕度,雙面均設定在5��m以下。
简体摘要： [课题]提供能确保半导体晶圆的高平坦度,且能提升边缘区域的半导体晶圆利用率的半导体晶圆之制造方法。[解决手段]利用具备有:收纳着半导体晶圆S的承载器50、以及包夹该承载器50的上平板10与下平板20之双面研磨机1,对上述半导体晶圆S的表背面同时施行研磨加工的半导体晶圆之制造方法,包括:将半导体晶圆S的厚度尺寸设为较承载器50的厚度尺寸大出0��m以上且5��m以下范围内,并收纳于承载器50中,对半导体晶圆S的面及平板10、20的面之间供应研磨浆,并施行研磨的研磨步骤;在研磨步骤中,将半导体晶圆的裕度,双面均设置在5��m以下。

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