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2. 发明专利

TWI433213B 可調節波長照明系統有权
简体标题：可调节波长照明系统
公开(公告)号：TWI433213B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW099109700
申请日：2010-03-30
申请人： ASML控股公司 , ASML HOLDING N.V. , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 賽威爾哈利 , SEWELL, HARRY , 安德森凱斯威廉 , ANDRESEN, KEITH WILLIAM , 艾伯特二世鄂爾威廉 , EBERT JR., EARL WILLIAM , 席恩山傑夫庫馬 , SINGH, SANJEEV KUMAR
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70141 , G01B11/14 , G02F1/116 , G03F7/70191 , G03F9/7065

3. 发明专利

TWI553428B 檢測方法及裝置、微影裝置、微影製程單元及元件製造方法有权
简体标题：检测方法及设备、微影设备、微影制程单元及组件制造方法
公开(公告)号：TWI553428B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103105158
申请日：2010-05-11
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , 希尼保羅克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN
IPC分类号： G03F7/207 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641

4. 发明专利

TWI525397B 量測方法和裝置、微影裝置和器件製造方法有权
简体标题：量测方法和设备、微影设备和器件制造方法
公开(公告)号：TWI525397B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW098106504
申请日：2009-02-27
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G01J3/18 , G01J3/28 , G03F7/70483 , G03F7/70625 , G03F7/70633

5. 发明专利

TW201421172A 檢測方法及裝置、微影裝置、微影製程單元及元件製造方法审中-公开
简体标题：检测方法及设备、微影设备、微影制程单元及组件制造方法
公开(公告)号：TW201421172A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW103105158
申请日：2010-05-11
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , 希尼保羅克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN
IPC分类号： G03F7/207 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641
摘要：本發明提供一種方法，其用以判定在一基板上用於一微影製程中之一微影裝置之聚焦。使用該微影製程以在該基板上形成至少兩個週期性結構。每一結構具有至少一特徵，該至少一特徵具有在相對側壁角度之間的一不對稱性，該不對稱性作為在該基板上該微影裝置之該聚焦之一不同函數而變化。量測藉由將一輻射光束引導至該至少兩個週期性結構上所產生之一光譜，且判定該等不對稱性之比率。使用每一結構的該等比率及在該聚焦與該側壁不對稱性之間的一關係來判定在該基板上該微影裝置之該聚焦。
简体摘要：本发明提供一种方法，其用以判定在一基板上用于一微影制程中之一微影设备之聚焦。使用该微影制程以在该基板上形成至少两个周期性结构。每一结构具有至少一特征，该至少一特征具有在相对侧壁角度之间的一不对称性，该不对称性作为在该基板上该微影设备之该聚焦之一不同函数而变化。量测借由将一辐射光束引导至该至少两个周期性结构上所产生之一光谱，且判定该等不对称性之比率。使用每一结构的该等比率及在该聚焦与该侧壁不对称性之间的一关系来判定在该基板上该微影设备之该聚焦。

6. 发明专利

TW201716742A 檢測裝置、檢測方法及製造方法审中-公开
简体标题：检测设备、检测方法及制造方法
公开(公告)号：TW201716742A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105123943
申请日：2016-07-28
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY
IPC分类号： G01B11/02 , G01N21/956 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70133 , G01B11/272 , G01N21/4788 , G01N2201/06113 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要：本發明提供一種用於量測一非週期性產品結構(500')之屬性之檢測裝置。一輻射源(402)及一影像偵測器(408)在該產品結構上提供一輻射光點(S)。該輻射空間上相干且具有小於50奈米之一波長，例如在12奈米至16奈米或1奈米至2奈米之範圍內。該影像偵測器經配置以捕捉由該輻射在由該產品結構散射之後形成之至少一個繞射圖案(606)。一處理器接收該經捕捉圖案且亦接收描述該產品結構之經假定結構特徵之參考資料(612)。程序使用相干繞射成像(614)以使用該(等)經捕捉繞射圖案及該參考資料來計算該結構之一3-D影像。該相干繞射成像可為(例如)單次曝光成像或疊層成像。該經計算影像偏離該標稱結構，且揭露諸如CD、疊對之屬性。
简体摘要：本发明提供一种用于量测一非周期性产品结构(500')之属性之检测设备。一辐射源(402)及一影像侦测器(408)在该产品结构上提供一辐射光点(S)。该辐射空间上相干且具有小于50奈米之一波长，例如在12奈米至16奈米或1奈米至2奈米之范围内。该影像侦测器经配置以捕捉由该辐射在由该产品结构散射之后形成之至少一个绕射图案(606)。一处理器接收该经捕捉图案且亦接收描述该产品结构之经假定结构特征之参考数据(612)。进程使用相干绕射成像(614)以使用该(等)经捕捉绕射图案及该参考数据来计算该结构之一3-D影像。该相干绕射成像可为(例如)单次曝光成像或叠层成像。该经计算影像偏离该标称结构，且揭露诸如CD、叠对之属性。

7. 发明专利

TW201712447A 微影裝置及元件製造方法审中-公开
简体标题：微影设备及组件制造方法
公开(公告)号：TW201712447A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105121931
申请日：2016-07-12
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：班捷恩法蘭西斯科哥登法蘭德斯凱司柏 , BIJNEN, FRANCISCUS GODEFRIDUS CASPER , 丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 凡哈倫理查喬哈奈法蘭西卡斯 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , 提那曼斯派翠西斯阿若瑟斯約克伯 , TINNEMANS, PATRICUIUS ALOYSIUS JACOBUS , 伊瑪亞力山大 , YPMA, ALEXANDER , 呂林納艾琳娜安娜多麗弗娜 , LYULINA, IRINA ANATOLIEVNA , 荷西布斯愛多瑪莉亞 , HULSEBOS, EDO MARIA , 希可利哈奇爾金 , 柳星蘭 , LIU, XING LAN , 梵席斯洛克喬漢斯彼托斯 , VERHEES, LOEK JOHANNES PETRUS , 卡拉多維克托艾曼紐 , CALADO, VICTOR EMANUEL , 凡迪傑克里昂保羅 , VAN DIJK, LEON PAUL
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F9/7092 , G03F7/70508 , G03F7/70633 , G03F9/7046
摘要：本發明描述一種特性化複數個基板之一變形之方法。該方法包含如下步驟：-針對複數n個不同對準量測參數λ及針對複數個基板量測對準標記之一位置；-將一位置偏差判定為該n個對準標記位置量測與一標稱對準標記位置之間的差；-將該等位置偏差分組成資料集；-判定一平均資料集；-自該等資料集減去該平均資料集以獲得複數個可變資料集；-對該等可變資料集執行一盲源分離方法，藉此將該等可變資料集分解成表示該等可變資料集之主成份之本徵晶圓之一集合；-將本徵晶圓之該集合細分成標記變形本徵晶圓之一集合及基板變形本徵晶圓之一集合。
简体摘要：本发明描述一种特性化复数个基板之一变形之方法。该方法包含如下步骤：-针对复数n个不同对准量测参数λ及针对复数个基板量测对准标记之一位置；-将一位置偏差判定为该n个对准标记位置量测与一标称对准标记位置之间的差；-将该等位置偏差分组成数据集；-判定一平均数据集；-自该等数据集减去该平均数据集以获得复数个可变数据集；-对该等可变数据集运行一盲源分离方法，借此将该等可变数据集分解成表示该等可变数据集之主成份之本征晶圆之一集合；-将本征晶圆之该集合细分成标记变形本征晶圆之一集合及基板变形本征晶圆之一集合。

8. 发明专利

TW201708985A 基於配方間一致性的配方選擇审中-公开
简体标题：基于配方间一致性的配方选择
公开(公告)号：TW201708985A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105119206
申请日：2016-06-17
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 戴維斯帝摩希鐸甘 , DAVIS, TIMOTHY DUGAN , 英布隆彼得大衛 , ENGBLOM, PETER DAVID , 巴塔哈爾亞卡司徒夫 , BHATTACHARYYA, KAUSTUVE
IPC分类号： G03F9/00 , G01B11/27
CPC分类号： G03F9/7069 , G01B11/272 , G03F7/70633
摘要：本文中揭示一種方法，其包括：判定複數個基板量測配方中之一個基板量測配方與該複數個基板量測配方中之每另一基板量測配方之間的配方一致性；計算該等配方一致性之一函數；若該函數符合一準則，則自該複數個基板量測配方消除該一個基板量測配方；及重複該判定、該計算及該消除直至符合一終止條件為止。本文中亦揭示一種基板量測裝置，其包括：一儲存器，其經組態以儲存複數個基板量測配方；及一處理器，其經組態以基於該複數個基板量測配方之間的配方一致性而自該複數個基板量測配方選擇一或多個基板量測配方。
简体摘要：本文中揭示一种方法，其包括：判定复数个基板量测配方中之一个基板量测配方与该复数个基板量测配方中之每另一基板量测配方之间的配方一致性；计算该等配方一致性之一函数；若该函数符合一准则，则自该复数个基板量测配方消除该一个基板量测配方；及重复该判定、该计算及该消除直至符合一终止条件为止。本文中亦揭示一种基板量测设备，其包括：一存储器，其经组态以存储复数个基板量测配方；及一处理器，其经组态以基于该复数个基板量测配方之间的配方一致性而自该复数个基板量测配方选择一或多个基板量测配方。

10. 发明专利

TWI456362B 用於量測基板之性質之散射計及方法、微影裝置、微影單元和器件製造方法有权
简体标题：用于量测基板之性质之散射计及方法、微影设备、微影单元和器件制造方法
公开(公告)号：TWI456362B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW098104878
申请日：2009-02-16
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：皮勒曼漢瑞克皮杜斯瑪利亞 , PELLEMANS, HENRICUS PETRUS MARIA , 丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20
CPC分类号： G01B11/24 , G03F7/70191 , G03F7/70633 , G03F7/7085

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