专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201513463A 短重合相位之槽饋式雙極化孔徑审中-公开
简体标题：短重合相位之槽馈式双极化孔径
公开(公告)号：TW201513463A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103127789
申请日：2014-08-13
申请人：雷神公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：王亞倫T S , WANG, ALLEN T. S. , 楊方洲 , YANG, FANGCHOU , 李查J , LEE, JAR J. , 米爾恩傑森G , MILNE, JASON G.
IPC分类号： H01Q21/24
CPC分类号： H01Q13/106 , H01Q13/085 , H01Q13/18 , H01Q21/064 , H01Q21/24
摘要：一種經組配以發射電磁輻射之重合相位之雙極化天線陣列包括：配置成一網格之多個電磁輻射器，該等多個電磁輻射器界定多個切口；與該等電磁輻射器間隔開之一接地平面；安置於該等電磁輻射器與該接地平面之間的一導電層，該導電層具有自該等切口側向地偏移並與該等電磁輻射器間隔開且電氣絕緣之多個槽；及多個饋源，該等饋源中之每一者跨越該等槽中之一對應槽，並在該對應槽之一側處電氣連接至該導電層之一部分。
简体摘要：一种经组配以发射电磁辐射之重合相位之双极化天线数组包括：配置成一网格之多个电磁辐射器，该等多个电磁辐射器界定多个切口；与该等电磁辐射器间隔开之一接地平面；安置于该等电磁辐射器与该接地平面之间的一导电层，该导电层具有自该等切口侧向地偏移并与该等电磁辐射器间隔开且电气绝缘之多个槽；及多个馈源，该等馈源中之每一者跨越该等槽中之一对应槽，并在该对应槽之一侧处电气连接至该导电层之一部分。

2. 发明专利

TW201907493A 在氧化物接合晶圓堆疊中的晶粒封裝审中-公开
简体标题：在氧化物接合晶圆堆栈中的晶粒封装
公开(公告)号：TW201907493A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW106143303
申请日：2017-12-11
申请人：美商雷神公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：德瑞普約翰 , DRAB, JOHN J. , 米爾恩傑森 , MILNE, JASON G.
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L25/065
摘要：製造半導體晶圓組件的結構及方法，其將一或多個晶粒封裝於被蝕刻進入氧化物接合之半導體晶圓堆疊的孔腔中。該等方法大致上包括以下步驟：將該晶粒定位在該孔腔中、將該晶粒機械地及電安裝至該晶圓堆疊、及藉由以多數個方式之其中一者將蓋體晶圓接合至該晶圓堆疊而把該晶粒封裝在該孔腔內。半導體處理步驟被應用，以根據上述實施例製成該等組件(例如沈積、退火、化學及機械拋光、蝕刻等)及連接該晶粒(例如凸塊接合、引線互連、超音波接合、氧化物接合等)。
简体摘要：制造半导体晶圆组件的结构及方法，其将一或多个晶粒封装于被蚀刻进入氧化物接合之半导体晶圆堆栈的孔腔中。该等方法大致上包括以下步骤：将该晶粒定位在该孔腔中、将该晶粒机械地及电安装至该晶圆堆栈、及借由以多数个方式之其中一者将盖体晶圆接合至该晶圆堆栈而把该晶粒封装在该孔腔内。半导体处理步骤被应用，以根据上述实施例制成该等组件(例如沉积、退火、化学及机械抛光、蚀刻等)及连接该晶粒(例如凸块接合、引线互连、超音波接合、氧化物接合等)。

3. 发明专利

TWI555270B 短重合相位之槽饋式雙極化孔徑有权
简体标题：短重合相位之槽馈式双极化孔径
公开(公告)号：TWI555270B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW103127789
申请日：2014-08-13
申请人：雷神公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：王亞倫T S , WANG, ALLEN T. S. , 楊方洲 , YANG, FANGCHOU , 李查J , LEE, JAR J. , 米爾恩傑森G , MILNE, JASON G.
IPC分类号： H01Q21/24
CPC分类号： H01Q13/106 , H01Q13/085 , H01Q13/18 , H01Q21/064 , H01Q21/24

4. 发明专利

TW201613051A 具有安裝加強件的倒裝晶片單石微波積體電路（ＭＭＩＣ）审中-公开
简体标题：具有安装加强件的倒装芯片单石微波集成电路（ＭＭＩＣ）
公开(公告)号：TW201613051A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104118608
申请日：2015-06-09
申请人：雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：康茲克里斯多福 , KOONTZ, CHRISTOPHER R. , 米恩傑森 , MILNE, JASON G. , 王策 , WONG, TSE E. , 赫里奇伊坦 , HEINRICH, ETHAN S.
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/495 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/49534 , G06K19/07745 , H01L21/4825 , H01L21/4871 , H01L23/367 , H01L23/481 , H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/562 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/16238 , H01L2224/80896 , H01L2924/1423 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要：本發明提供一種倒裝晶片安裝半導體結構具有倒裝晶片安裝墊，以及以倒裝晶片方式安裝於倒裝晶片安裝墊的電路結構。電路結構包括：半導體晶粒，以及附接於晶粒的加強件結構，加強件結構具有導管，導管在加強件結構的前端和後端之間通過加強件結構，加強件和附接的晶粒具有大於晶粒本身的剛性度。
简体摘要：本发明提供一种倒装芯片安装半导体结构具有倒装芯片安装垫，以及以倒装芯片方式安装于倒装芯片安装垫的电路结构。电路结构包括：半导体晶粒，以及附接于晶粒的加强件结构，加强件结构具有导管，导管在加强件结构的前端和后端之间通过加强件结构，加强件和附接的晶粒具有大于晶粒本身的刚性度。

5. 发明专利

TW201824330A 用於主動電子掃描陣列（ＡＥＳＡ）之磚片审中-公开
简体标题：用于主动电子扫描数组（ＡＥＳＡ）之砖片
公开(公告)号：TW201824330A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106135418
申请日：2017-10-17
申请人：美商雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：手柴瑪莉 , TESHIBA, MARY A. , 米恩傑森 , MILNE, JASON G. , 羅斯頓凱文 , ROLSTON, KEVIN C. , 德拉布約翰 , DRAB, JOHN J.
IPC分类号： H01J37/28
摘要：於一形態中，主動電子掃描陣列(AESA)磚片包括輻射器結構及氧化物接合的半導體晶圓，該氧化物接合的半導體晶圓係裝附至該輻射器結構並包含射頻(RF)岐管和波束形成器。通過該些氧化物接合晶圓之RF信號路徑包含一朝向該波束形成器而傳播之第一部分及一平行於該波束形成器而傳播之第二部分。
简体摘要：于一形态中，主动电子扫描数组(AESA)砖片包括辐射器结构及氧化物接合的半导体晶圆，该氧化物接合的半导体晶圆系装附至该辐射器结构并包含射频(RF)岐管和波束形成器。通过该些氧化物接合晶圆之RF信号路径包含一朝向该波束形成器而传播之第一部分及一平行于该波束形成器而传播之第二部分。

6. 发明专利

TWI690970B 用於主動電子掃描陣列（ＡＥＳＡ）之磚片有权
简体标题：用于主动电子扫描数组（ＡＥＳＡ）之砖片
公开(公告)号：TWI690970B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW106135418
申请日：2017-10-17
申请人：美商雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：手柴瑪莉 , TESHIBA, MARY A. , 米恩傑森 , MILNE, JASON G. , 羅斯頓凱文 , ROLSTON, KEVIN C. , 德拉布約翰 , DRAB, JOHN J.
IPC分类号： H01J37/28

7. 发明专利

TWI685931B 用於積體電路和裝置層級冷卻的微管有权
简体标题：用于集成电路和设备层级冷却的微管
公开(公告)号：TWI685931B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW105117549
申请日：2016-06-03
申请人：美商瑞西恩公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：麥恩傑森G , MILNE, JASON G.
IPC分类号： H01L23/473 , H05K7/20

8. 发明专利

TWI665821B 金屬輻射器上之高頻聚合物及製造其之方法有权
简体标题：金属辐射器上之高频聚合物及制造其之方法
公开(公告)号：TWI665821B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW106135613
申请日：2017-10-18
申请人：美商雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：伊森羅伯特 , ISOM, ROBERT S. , 馬奎特安卓 , MARQUETTE, ANDREW J. , 米恩傑森 , MILNE, JASON G.
IPC分类号： H01Q1/38 , H01Q1/36 , H01Q1/40 , H01Q21/00

9. 发明专利

TW201824641A 金屬輻射器上之高頻聚合物审中-公开
简体标题：金属辐射器上之高频聚合物
公开(公告)号：TW201824641A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106135613
申请日：2017-10-18
申请人：美商雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：伊森羅伯特 , ISOM, ROBERT S. , 馬奎特安卓 , MARQUETTE, ANDREW J. , 米恩傑森 , MILNE, JASON G.
IPC分类号： H01Q1/38 , H01Q1/36 , H01Q1/40 , H01Q21/00
摘要：在一種態樣中，相控陣列天線的單元胞(unit cell)包括具有孔、第一側和相對於該第一側的第二側的金屬板、設置在該第一側上的第一複數個疊合層(laminate layers)、設置在該金屬板的該第二側上的第二複數個疊合層、設置在該第一側上的該第一複數個疊合層中的輻射器、設置在該第二側上的該第二複數個疊合層中的饋電電路並且被配置成提供激勵信號給該輻射器、以及延伸穿過該孔連接該饋電電路至該輻射器的第一複數個通孔。
简体摘要：在一种态样中，相控数组天线的单元胞(unit cell)包括具有孔、第一侧和相对于该第一侧的第二侧的金属板、设置在该第一侧上的第一复数个叠合层(laminate layers)、设置在该金属板的该第二侧上的第二复数个叠合层、设置在该第一侧上的该第一复数个叠合层中的辐射器、设置在该第二侧上的该第二复数个叠合层中的馈电电路并且被配置成提供激励信号给该辐射器、以及延伸穿过该孔连接该馈电电路至该辐射器的第一复数个通孔。

10. 发明专利

TW201709444A 用於積體電路和裝置層級冷卻的微管审中-公开
简体标题：用于集成电路和设备层级冷却的微管
公开(公告)号：TW201709444A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105117549
申请日：2016-06-03
申请人：瑞西恩公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：麥恩傑森G , MILNE, JASON G.
IPC分类号： H01L23/473 , H05K7/20
CPC分类号： H01L23/473 , H01L21/4846 , H01L21/4871 , H01L23/3675 , H01L23/433 , H01L23/46 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L2223/6683 , H01L2224/16225 , H01L2224/29144 , H01L2224/2918 , H01L2924/1423 , H05K1/0209 , H05K1/0272 , H05K7/20
摘要：本發明提供一種散熱裝置，其包含至少一散熱表面以及一藉由加法式製造方法直接被形成在該至少一散熱表面上的微型尺寸冷卻機制。該冷卻機制包含至少一流體通路，例如，一微管，用於將一冷卻介質從一冷卻劑源處直接攜載至該散熱表面。該冷卻機制被流體密封至該散熱表面，俾使得該冷卻介質會直接熱接觸該散熱表面。
简体摘要：本发明提供一种散热设备，其包含至少一散热表面以及一借由加法式制造方法直接被形成在该至少一散热表面上的微型尺寸冷却机制。该冷却机制包含至少一流体通路，例如，一微管，用于将一冷却介质从一冷却剂源处直接携载至该散热表面。该冷却机制被流体密封至该散热表面，俾使得该冷却介质会直接热接触该散热表面。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式