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1. 发明专利

TW201824330A 用於主動電子掃描陣列（ＡＥＳＡ）之磚片审中-公开
简体标题：用于主动电子扫描数组（ＡＥＳＡ）之砖片
公开(公告)号：TW201824330A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106135418
申请日：2017-10-17
申请人：美商雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：手柴瑪莉 , TESHIBA, MARY A. , 米恩傑森 , MILNE, JASON G. , 羅斯頓凱文 , ROLSTON, KEVIN C. , 德拉布約翰 , DRAB, JOHN J.
IPC分类号： H01J37/28
摘要：於一形態中，主動電子掃描陣列(AESA)磚片包括輻射器結構及氧化物接合的半導體晶圓，該氧化物接合的半導體晶圓係裝附至該輻射器結構並包含射頻(RF)岐管和波束形成器。通過該些氧化物接合晶圓之RF信號路徑包含一朝向該波束形成器而傳播之第一部分及一平行於該波束形成器而傳播之第二部分。
简体摘要：于一形态中，主动电子扫描数组(AESA)砖片包括辐射器结构及氧化物接合的半导体晶圆，该氧化物接合的半导体晶圆系装附至该辐射器结构并包含射频(RF)岐管和波束形成器。通过该些氧化物接合晶圆之RF信号路径包含一朝向该波束形成器而传播之第一部分及一平行于该波束形成器而传播之第二部分。

2. 发明专利

TWI690970B 用於主動電子掃描陣列（ＡＥＳＡ）之磚片有权
简体标题：用于主动电子扫描数组（ＡＥＳＡ）之砖片
公开(公告)号：TWI690970B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW106135418
申请日：2017-10-17
申请人：美商雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：手柴瑪莉 , TESHIBA, MARY A. , 米恩傑森 , MILNE, JASON G. , 羅斯頓凱文 , ROLSTON, KEVIN C. , 德拉布約翰 , DRAB, JOHN J.
IPC分类号： H01J37/28

3. 发明专利

TWI647813B 用於多層級互連的半導體晶圓之同軸連接器饋通有权
简体标题：用于多层级互连的半导体晶圆之同轴连接器馈通
公开(公告)号：TWI647813B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106120790
申请日：2017-06-21
申请人：雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：德拉布約翰 , DRAB, JOHN J. , 手柴瑪莉 , TESHIBA, MARY A.
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/12

4. 发明专利

TW201830662A 用於多層級互連的半導體晶圓之同軸連接器饋通审中-公开
简体标题：用于多层级互连的半导体晶圆之同轴连接器馈通
公开(公告)号：TW201830662A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106120790
申请日：2017-06-21
申请人：雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：德拉布約翰 , DRAB, JOHN J. , 手柴瑪莉 , TESHIBA, MARY A.
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/12
摘要：一種半導體的氧化物上矽(SOI；silicon-on-oxide)結構，具有配置在底部氧化物(BOX；bottom oxide)絕緣層上的矽層。深凹槽隔離(DTI；deep trench isolation)材料垂直地通過矽層到底部氧化物隔離層。深凹槽隔離材料具有比矽的電容率(permittivity)更低的電容率。具有內部電導體及外部導電屏蔽結構的同軸傳輸線已配置在垂直通過深凹槽隔離材料的內部電導體周圍，用以將配置在底部氧化物絕緣層之上的電導體電性連接至配置在接觸底部氧化物絕緣層之下的電導體。
简体摘要：一种半导体的氧化物上硅(SOI；silicon-on-oxide)结构，具有配置在底部氧化物(BOX；bottom oxide)绝缘层上的硅层。深凹槽隔离(DTI；deep trench isolation)材料垂直地通过硅层到底部氧化物隔离层。深凹槽隔离材料具有比硅的电容率(permittivity)更低的电容率。具有内部电导体及外部导电屏蔽结构的同轴传输线已配置在垂直通过深凹槽隔离材料的内部电导体周围，用以将配置在底部氧化物绝缘层之上的电导体电性连接至配置在接触底部氧化物绝缘层之下的电导体。

5. 发明专利

TW201806004A 用於晶圓之與代工廠無關的後處理方法审中-公开
简体标题：用于晶圆之与代工厂无关的后处理方法
公开(公告)号：TW201806004A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106116291
申请日：2017-05-17
申请人：瑞西恩公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：泰旭巴瑪莉A , TESHIBA, MARY A. , 戴拉伯約翰J , DRAB, JOHN J.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/768 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L21/84 , H01L27/1203
摘要：本發明提供一種用於一晶圓之與代工廠無關的後處理方法。該晶圓包含一主動表面、一基板、及一中間層，該中間層夾置於該主動表面與該基板之間。該方法包含：自一晶圓處理代工廠之一輸出成品取出該晶圓；將該基板薄化至該中間層或薄化至距該中間層數微米之內，以暴露出一新表面；以及將該新表面接合至一替代材料基板，與該基板相較，該替代材料基板達成增強之裝置效能。
简体摘要：本发明提供一种用于一晶圆之与代工厂无关的后处理方法。该晶圆包含一主动表面、一基板、及一中间层，该中间层夹置于该主动表面与该基板之间。该方法包含：自一晶圆处理代工厂之一输出成品取出该晶圆；将该基板薄化至该中间层或薄化至距该中间层数微米之内，以暴露出一新表面；以及将该新表面接合至一替代材料基板，与该基板相较，该替代材料基板达成增强之设备性能。

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