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1. 发明专利

TWI489478B 共用記憶體電路內的阻抗匹配電路執行初始校正及全時更新模式校正的方法和可於初始校正及全時更新模式校正共用阻抗匹配電路的記憶體電路有权
简体标题：共享内存电路内的阻抗匹配电路运行初始校正及全时更新模式校正的方法和可于初始校正及全时更新模式校正共享阻抗匹配电路的内存电路
公开(公告)号：TWI489478B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101116167
申请日：2012-05-07
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 洪森富 , HONG, SEN FU , 陳文偉 , CHEN, WEN WEY
IPC分类号： G11C7/10 , G11C29/04
CPC分类号： H03K19/0005 , G11C11/406 , G11C11/4072 , G11C29/022 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2207/2254

2. 发明专利

TW201340103A 記憶體及更新記憶體的方法审中-公开
简体标题：内存及更新内存的方法
公开(公告)号：TW201340103A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101110342
申请日：2012-03-26
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 洪森富 , HONG, SEN FU
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C11/402 , G11C11/40603 , G11C11/40615 , G11C11/40618
摘要：記憶體包含一判斷電路、複數個更新計數器及複數個記憶區塊。該判斷電路接收一更新指令；該複數個更新計數器係耦接於該判斷電路；該複數個更新計數器中的每一更新計數器係對應於該複數個記憶區塊的一記憶區塊。該判斷電路偵測該複數個記憶區塊中的一第一記憶區塊是否致能或對應於該第一記憶區塊的該複數個更新計數器中的第一更新計數器的計數是否到達一預定值。然後，該判斷電路根據一偵測結果選擇性地更新該複數個記憶區塊中的一個記憶區塊。如此即使該複數個記憶區塊沒有全部都在閒置狀態，也能接收一更新指令更新一閒置的記憶區塊。
简体摘要：内存包含一判断电路、复数个更新计数器及复数个记忆区块。该判断电路接收一更新指令；该复数个更新计数器系耦接于该判断电路；该复数个更新计数器中的每一更新计数器系对应于该复数个记忆区块的一记忆区块。该判断电路侦测该复数个记忆区块中的一第一记忆区块是否致能或对应于该第一记忆区块的该复数个更新计数器中的第一更新计数器的计数是否到达一预定值。然后，该判断电路根据一侦测结果选择性地更新该复数个记忆区块中的一个记忆区块。如此即使该复数个记忆区块没有全部都在闲置状态，也能接收一更新指令更新一闲置的记忆区块。

3. 发明专利

TWI436584B 降低超越量的輸出級電路有权
简体标题：降低超越量的输出级电路
公开(公告)号：TWI436584B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW097105027
申请日：2008-02-13
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 連啟發 , LIEN, CHI FA , 洪森富 , HONG, SEN FU
IPC分类号： H03F3/26
CPC分类号： H03K19/00361 , H03K5/08

4. 发明专利

TW201346927A 共用記憶體電路內的阻抗匹配電路執行初始校正及全時更新模式校正的方法和可於初始校正及全時更新模式校正共用阻抗匹配電路的記憶體電路审中-公开
简体标题：共享内存电路内的阻抗匹配电路运行初始校正及全时更新模式校正的方法和可于初始校正及全时更新模式校正共享阻抗匹配电路的内存电路
公开(公告)号：TW201346927A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101116167
申请日：2012-05-07
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 洪森富 , HONG, SEN FU , 陳文偉 , CHEN, WEN WEY
IPC分类号： G11C7/10 , G11C29/04
CPC分类号： H03K19/0005 , G11C11/406 , G11C11/4072 , G11C29/022 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2207/2254
摘要：共用記憶體電路內的阻抗匹配電路執行初始校正及全時更新模式校正的方法包含供電至該記憶體電路；利用該阻抗匹配電路，對該記憶體電路執行該初始校正；該記憶體電路離開該初始校正；該記憶體電路進入一驅動模式；每隔一預定時間該記憶體電路退出該驅動模式；根據一更新指令，利用該阻抗匹配電路對該記憶體電路執行該更新模式校正；一輸出電壓準位偵測電路判斷該記憶體電路的輸出電壓準位；根據該輸出電壓準位偵測電路的判斷結果，執行一相對應的動作。
简体摘要：共享内存电路内的阻抗匹配电路运行初始校正及全时更新模式校正的方法包含供电至该内存电路；利用该阻抗匹配电路，对该内存电路运行该初始校正；该内存电路离开该初始校正；该内存电路进入一驱动模式；每隔一预定时间该内存电路退出该驱动模式；根据一更新指令，利用该阻抗匹配电路对该内存电路运行该更新模式校正；一输出电压准位侦测电路判断该内存电路的输出电压准位；根据该输出电压准位侦测电路的判断结果，运行一相对应的动作。

5. 发明专利

TWI498889B 記憶體及更新記憶體的方法有权
简体标题：内存及更新内存的方法
公开(公告)号：TWI498889B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW101110342
申请日：2012-03-26
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 洪森富 , HONG, SEN FU
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C11/402 , G11C11/40603 , G11C11/40615 , G11C11/40618

6. 发明专利

TWI446715B 具有雙輸入緩衝器切換功能的輸入緩衝系統及其方法有权
简体标题：具有双输入缓冲器切换功能的输入缓冲系统及其方法
公开(公告)号：TWI446715B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW100100044
申请日：2011-01-03
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 洪森富 , HONG, SEN FU , 陳家明 , CHEN, CHIA MING
IPC分类号： H03K19/0175
CPC分类号： H03K19/017509

7. 发明专利

TWI408392B 增加晶片測試效率的裝置及其方法有权
简体标题：增加芯片测试效率的设备及其方法
公开(公告)号：TWI408392B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW100105390
申请日：2011-02-18
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉士暉 , LIU, SHI HUEI , 洪森富 , HONG, SEN FU , 陳和穎 , CHEN, HO YIN
IPC分类号： G01R31/3183
CPC分类号： G11C29/10 , G11C29/36 , G11C29/40 , G11C2029/3602

8. 发明专利

TW201230684A 具有雙輸入緩衝器切換功能的輸入緩衝系統及其方法 INPUT BUFFER SYSTEM WITH A DUAL INPUT BUFFERS SWITCHING FUNCTION AND METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具有双输入缓冲器切换功能的输入缓冲系统及其方法 INPUT BUFFER SYSTEM WITH A DUAL INPUT BUFFERS SWITCHING FUNCTION AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201230684A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100100044
申请日：2011-01-03
申请人：鈺創科技股份有限公司
发明人：夏濬 , 洪森富 , 陳家明
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K19/017509
摘要：具有雙輸入緩衝器切換功能的輸入緩衝系統包含一第一輸入緩衝器、一第二輸入緩衝器及一多工器。該第一輸入緩衝器係用以於一輸入訊號的邏輯高電位時,輸出一第一訊號,且於該輸入訊號的邏輯低電位時關閉;該第二輸入緩衝器係用以於該輸入訊號的邏輯低電位輸出一第二訊號;及該多工器係耦接於該第一輸入緩衝器及該第二輸入緩衝器,用以根據一自更新訊號,輸出該第一訊號或該第二訊號。
简体摘要：具有双输入缓冲器切换功能的输入缓冲系统包含一第一输入缓冲器、一第二输入缓冲器及一多任务器。该第一输入缓冲器系用以于一输入信号的逻辑高电位时,输出一第一信号,且于该输入信号的逻辑低电位时关闭;该第二输入缓冲器系用以于该输入信号的逻辑低电位输出一第二信号;及该多任务器系耦接于该第一输入缓冲器及该第二输入缓冲器,用以根据一自更新信号,输出该第一信号或该第二信号。

9. 发明专利

TW201235683A 增加晶片測試效率的裝置及其方法 DEVICE OF INCREASING A CHIP TESTING EFFICIENCY AND METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：增加芯片测试效率的设备及其方法 DEVICE OF INCREASING A CHIP TESTING EFFICIENCY AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201235683A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW100105390
申请日：2011-02-18
申请人：鈺創科技股份有限公司
发明人：劉士暉 , 洪森富 , 陳和穎
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G11C29/10 , G11C29/36 , G11C29/40 , G11C2029/3602
摘要：增加晶片測試效率的裝置包含一式樣產生器、一讀取單元、一邏輯運算器及一判斷單元。該式樣產生器係用以對一記憶體晶片內的每一記憶區塊寫入一邏輯電位；該讀取單元係用以讀取該記憶區塊內所有記憶單元儲存的邏輯電位；該邏輯運算器係用以對該記憶區塊內所有記憶單元儲存的邏輯電位執行一第一邏輯運算，以產生一對應於該記憶區塊的第一邏輯運算結果，以及對複數個第一邏輯運算結果執行一第二邏輯運算，以產生一對應於該記憶體晶片的第二邏輯運算結果；及該判斷單元係根據該第二邏輯運算結果，判斷該記憶體晶片是否合格。
简体摘要：增加芯片测试效率的设备包含一式样产生器、一读取单元、一逻辑运算器及一判断单元。该式样产生器系用以对一内存芯片内的每一记忆区块写入一逻辑电位；该读取单元系用以读取该记忆区块内所有记忆单元存储的逻辑电位；该逻辑运算器系用以对该记忆区块内所有记忆单元存储的逻辑电位运行一第一逻辑运算，以产生一对应于该记忆区块的第一逻辑运算结果，以及对复数个第一逻辑运算结果运行一第二逻辑运算，以产生一对应于该内存芯片的第二逻辑运算结果；及该判断单元系根据该第二逻辑运算结果，判断该内存芯片是否合格。

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